문맥 (context)
[청구항 20]
제19항에 있어서,상기 프로세스 가스는 hf 및 nh3를 포함하는 것인, 화학적 산화물 제거에 의해 기판프로세싱하는방법
[청구항 40]
제39항에 있어서,상기cor 모듈은 온도 제어 화학적 처리 챔버, 상기 화학적 처리 챔버 내에 탑재되어 있고 또 상기 화학적 처리 챔버로부터 열적으로 절연되도록 구성되어 있는 온도 제어 기판 홀더, 상기 화학적 처리 챔버에 결합되어 있는 진공 펌핑 시스템, 및 하나 이상의 프로세스 가스를 상기 화학적 처리 챔버 내로 유입시키는 온도 제어 가스 분배 시스템을 더 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 41]
제39항에 있어서,상기pht 모듈은 온도 제어 열적 처리 챔버, 상기 열적 처리 챔버 내에 탑재되어 있고 또 상기 열적 처리 챔버로부터 열적으로 절연되도록 구성되어 있는 온도 제어 기판 홀더, 및 상기 열적 처리 챔버에 결합되어 있는 진공 펌핑 시스템을 더 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 42]
제39항에 있어서,상기 제어 장치는 화학적 처리 챔버 온도, 화학적 처리 가스 분배 시스템 온도, 화학적 처리 기판 홀더 온도, 화학적 처리 기판 온도, 화학적 처리 프로세싱 압력, 화학적 처리 가스 유량, 열적 처리 챔버 온도, 열적 처리 기판 홀더 온도, 열적 처리 기판 온도, 및 열적 처리 프로세싱 압력 중 하나 이상을 제어하는 수단을 더 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 43]
제39항에 있어서,상기 절연 어셈블리는 열적 절연 어셈블리, 게이트 밸브 어셈블리, 및 이송 시스템 중 하나 이상을 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 44]
제40항에 있어서,상기 온도 제어 화학적 처리 챔버는 벽 가열 요소(wall heating element)를 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 45]
제40항에 있어서,상기 온도 제어 가스 분배 시스템은 하나 이상의 가스 분배 플레이트를 포함하며,상기 가스 분배 플레이트는 하나 이상의 가스 주입 구멍(gas injection orifice)을 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 46]
제40항에 있어서,상기 화학적 처리 챔버 내의 상기 온도 제어 기판 홀더는 정전 클램핑 시스템, 배면 가스 공급 시스템(back-side gas supply system) 및 하나 이상의 온도 제어 요소 중 하나 이상을 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 47]
제40항에 있어서,상기 화학적 처리 챔버 내의 상기 온도 제어 기판 홀더는 하나 이상의 온도 제어 요소를 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 48]
제40항에 있어서,상기 가스 분배 시스템은, 하나 이상의 구멍(orifice)의 제1 어레이 및 하나 이상의 구멍의 제2 어레이를 갖는 제1 가스 분배 플레이트(plate) 및 제1 가스 분배 플리넘(plenum)으로서, 상기 제1 가스 분배 플레이트 내의 하나 이상의 구멍의 상기 제1 어레이를 통해 제1 가스를 프로세스 공간에 결합시키는 제1 가스 분배 플레이트 및 제1 가스 분배 플리넘; 및 그 안에 통로(passage)를 갖는 제2 가스 분배 플레이트 및 제2 가스 분배 플리넘으로서, 상기 제2 가스 분배 플레이트 내의 상기 통로 및 상기 제1 가스 분배 플레이트 내의 하나 이상의 구멍의 상기 제2 어레이를 통해 상기 제2 가스를 상기 프로세스 공간에 결합시키는 제2 가스 분배 플레이트 및 제2 가스 분배 플리넘을 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 49]
제48항에 있어서,상기 제1 가스 및 상기 제2 가스는 상기 프로세스 공간으로 독립적으로 유입되는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 50]
제41항에 있어서,상기pht 모듈은 상기 열적 처리 챔버에 결합되어, 이송 평면과 상기 기판 홀더 사이에서 상기 기판을 수직으로 이송시키는 기판 리프터 어셈블리(substrate lifter assembly)를 더 포함하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 51]
제39항에 있어서,상기 프로세싱 서브시스템은 제조 시스템에 결합되어 있는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
[청구항 52]
제39항에 있어서,상기 제어 장치는 또한 상기 원하는 출력 상태가 달성되었는지를 결정하는 것인, 기판처리하는프로세싱 시스템.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
기판처리하는 프로세싱 시스템의 cor 모듈 구성 요소 중, 화학적 처리 챔버 내에 탑재되어 챔버로부터 열적으로 절연되도록 구성된 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationcor 모듈의 구성 요소 중 화학적 처리 챔버 내에 탑재되어 열적으로 절연되도록 구성된 요소를 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 40에서 cor 모듈의 구성 요소와 그 특징을 추출한다.
- 상기cor 모듈은 온도 제어 화학적 처리 챔버, 상기 화학적 처리 챔버 내에 탑재되어 있고 또 상기 화학적 처리 챔버로부터 열적으로 절연되도록 구성되어 있는 온도 제어 기판 홀더, 상기 화학적 처리 챔버에 결합되어 있는 진공 펌핑 시스템, 및 하나 이상의 프로세스 가스를 상기 화학적 처리 챔버 내로 유입시키는 온도 제어 가스 분배 시스템을 더 포함하는 것
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3근거 선택
evidence_selection질문 조건인 '화학적 처리 챔버 내 탑재' 및 '열적으로 절연'에 부합하는 구절을 선택한다.
- 상기 화학적 처리 챔버 내에 탑재되어 있고 또 상기 화학적 처리 챔버로부터 열적으로 절연되도록 구성되어 있는 온도 제어 기판 홀더
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4논리 통합
logical_integration추출된 구절의 주어인 '온도 제어 기판 홀더'가 질문에서 요구하는 구성 요소임을 확인한다.
- 상기 화학적 처리 챔버 내에 탑재되어 있고 또 상기 화학적 처리 챔버로부터 열적으로 절연되도록 구성되어 있는 온도 제어 기판 홀더
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 '온도 제어 기판 홀더'를 도출한다.
- 상기 화학적 처리 챔버 내에 탑재되어 있고 또 상기 화학적 처리 챔버로부터 열적으로 절연되도록 구성되어 있는 온도 제어 기판 홀더
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 작성한다.
- 상기 화학적 처리 챔버 내에 탑재되어 있고 또 상기 화학적 처리 챔버로부터 열적으로 절연되도록 구성되어 있는 온도 제어 기판 홀더
최종 답변 (final_answer)
온도 제어 기판 홀더
핵심 해석 (core_interpretation)
cor 모듈 내의 온도 제어 기판 홀더는 화학적 처리 챔버 내부에 위치하면서 챔버로부터 열적으로 절연되는 구조를 가짐으로써 기판의 온도 제어를 용이하게 한다.