플라즈마 도즈 측정 방법 및 장치 document_id 1020117017129

[청구항 1] 플라즈마 프로세스 챔버 내의 이온 도즈 측정 장치로서, 상기 플라즈마 프로세스 챔버 내에 위치된 워크피스에 연결되며, 상기 워크피스로 바이어스 전류를 공급하는 전원 공급부 상기 챔버 내의 상기 워크피스 위에 위치되며, 플라즈마 도핑에 노출된 상기 워크피스의 표면으로부터 방출된 2차 전자들의 샘플을 검출하고, 검출된 2차 전자들의 상기 샘플에 비례하는 전류 신호를 출력하도록 구성된 센서; 및 상기 2차 전자들의 샘플로부터 생성된 상기 전류와 상기 워크피스에 인가된 상기 바이어스 전류를 수신하고, 상기 워크피스와 연관된 이온 도즈 전류를 결정하기 위하여 상기 바이어스 전류 신호로부터 상기 센서로부터 생성된 상기 전류를 감산하도록 구성된 전류 회로를 포함하는 이온 도즈 측정 장치 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 이온 도즈 측정 장치는, 그 내부에 상기 센서가 장착되는 캐비티를 구비하는 하우징으로서, 상기 캐비티는 상기 2차 전류들이 통과하는 개구를 형성하며, 상기 하우징은 상기 챔버 내의 상기 워크피스 위에 위치되는, 하우징더 포함하는이온 도즈 측정 장치. [청구항 3] 청구항 2에 있어서,상기 장치 하우징은 상기 프로세스 챔버 내의 배플 상장착되는,이온 도즈 측정 장치. [청구항 4] 청구항 1에 있어서,상기 센서는 상기 프로세스 챔버 내의 배플에 일체형성되는,이온 도즈 측정 장치. [청구항 5] 청구항 1에 있어서,상기 센서는 상기 플라즈마 프로세스 챔버의 라이너와 일체형성되는,이온 도즈 측정 장치. [청구항 6] 청구항 1에 있어서,상기 이온 도즈 측정 장치는, 상기 센서와 상기 워크피스 사이에 배치되고, 직류 정전압으로 바이어스되며, 상기 플라즈마 도핑으로부터의 저 에너지 이온들이 상기 센서로 접촉하는 것을 방지하도록 구성된 그리드더 포함하는이온 도즈 측정 장치. [청구항 7] 청구항 6에 있어서,상기 그리드는 제 1 그리드이며, 상기 측정 장치는,상기 제 1 그리드와 상기 센서 사이에 배치되고, 직류 부전압으로 바이어스되며, 상기 센서로 향하는 상기 2차 전자들을 트랩하도록 구성된 제 2 그리드더 포함하는이온 도즈 측정 장치. [청구항 8] 청구항 7에 있어서,상기 이온 도즈 측정 장치는, 상기 제 1 및 제 2 그리드에 연결되고, 상기 제 1 및 제 2 그리드와 연관된 전기장을 유지하도록 구성된 참조 그리드더 포함하는이온 도즈 측정 장치. [청구항 9] 플라즈마 도핑 시스템으로서, 이온화 가능 가스를 받아들이도록 구성된 플라즈마 도핑 챔버 워크피스를 지지하기 위하여 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 장착된 플래튼 상기 워크피스에 연결되고, 상기 워크피스에 바이어스 전류를 공급하도록 구성된 전원 공급부 상기 챔버에 연결되고, 상기 워크피스 내로의 주입을 위해 희망되는 도펀트를 함유하는 이온화 가능 가스를 제공하는 이온화 가능 가스 소스 상기 이온화 가능 가스의 양이온들을 함유하는 플라즈마를 생성하고, 상기 워크피스 내로의 주입을 위해 상기 양이온들을 상기 플래튼 을 향하여 가속하기 위한 플라즈마 소스 상기 플라즈마 도핑 챔버 내의 상기 워크피스 위에 배치되며, 상기 워크피스의 표면에 충돌하는 상기 플라즈마의 상기 양이온들로부터 방출된 2차 전자들의 수를 검출하고, 상기 검출된 2차 전자들의 수에 비례하는 전류 신호를 출력하도록 구성된 센서 상기 2차 전자들의 샘플로부터 생성된 상기 전류와 상기 워크피스에 인가된 상기 바이어스 전류 신호를 수신하고, 상기 워크피스와 연관된 이온 도즈 전류를 결정하기 위하여 상기 바이어스 전류 신호에서 상기 센서로부터 생성된 상기 전류 신호를 감산하도록 구성된 전류 회로를 포함하는 플라즈마 도핑 시스템 [청구항 10] 청구항 9에 있어서,상기 플라즈마 도핑 시스템은, 그 내부에 상기 센서가 장착되는 캐비티를 구비하는 하우징으로서, 상기 캐비티는 상기 2차 전류들이 통과하는 개구를 형성하며, 상기 하우징은 상기 챔버 내의 상기 워크피스 위에 위치되는, 하우징더 포함하는플라즈마 도핑 시스템. [청구항 11] 청구항 10에 있어서,상기 장치 하우징은 상기 프로세스 챔버 내의 배플 상장착되는,플라즈마 도핑 시스템. [청구항 12] 청구항 9에 있어서,상기 센서는 상기 프로세스 챔버 내의 배플에 일체형성되는,플라즈마 도핑 시스템. [청구항 13] 청구항 8에 있어서,상기 센서는 상기 플라즈마 프로세스 챔버의 라이너와 일체형성되는,플라즈마 도핑 시스템. [청구항 14] 청구항 9에 있어서,상기 플라즈마 도핑 시스템은, 상기 센서와 상기 워크피스 사이에 배치되고, 직류 정전압으로 바이어스되며, 저 에너지 이온들이 상기 개구를 통과하여 상기 센서로 향하는 것을 방지하도록 구성된 그리드더 포함하는플라즈마 도핑 시스템. [청구항 15] 청구항 14에 있어서,상기 그리드는 제 1 그리드이며, 상기 플라즈마 도핑 시스템은,상기 제 1 그리드와 상기 센서 사이에 배치되고, 직류 부전압으로 바이어스되며, 상기 2차 전자들을 상기 캐비티 내에 트랩하도록 구성된 제 2 그리드더 포함하는플라즈마 도핑 시스템.