리본 빔에 대한 이온 빔 각도 교정 및 이미턴스 측정 시스템 document_id 1020117019496

[청구항 2] 제1항에 있어서,블(wobble) 각, 소정의 평면 또는 3 차원 공간 내의 상기 제1 빔 전류 및 상기 제2 빔 전류 위치의 함수로서 이온 빔 각 및 이온 빔 이미턴스를 계산하도록 구성되는 제어부를 더 포함하며, 상기 이온 빔 이미턴스 및 상기 이온 빔 각의 계산된 값은 상기 이온 빔을 조절하는데 이용될 수 있는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전류 빔 탐지기 및 상기 빔각 탐지기는, 상기 플레이트를 제자리에 놓는(replace) 세장형 슬릿에 면하여 있는 전방 하우징을 구비하는 하우징 내에서 집합적으로 에워싸여 있으며,상기 하우징의 제1 단부는 회전식 스캔 암의 제1 단부에 부착되는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 4] 제2항에 있어서,전자석 억제기가, 세장형 슬릿에 면하여 있는 전방 하우징의 바로 하류에 위치되며, 전자들이 억제기 면을 횡단하는 것을 방지하도록 구성되는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 스캔 암은 스캔 암 축 주위를 회전하도록 구성되며, 상기 스캔 암은 회전하는 로봇 구동 암에 연결되고, 상기 스캔 암은 스캔 스테퍼(stepper) 모터에 의해 상기 스캔 암 축 주위에서 구동되도록 구성되며, 상기 로봇 구동 암은 구동 암 스테퍼 모터에 의해 구동 암 축 주위에서 구동되도록 구성되는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 6] 제3항에 있어서,상기 회전식 스캔 암 및 상기 회전식 구동 암은 함께 로봇 암 조립체를 형성하며, 상기 로봇 암 조립체는 상기 슬릿에 직교하는 방향으로 직선(rectilinear) 또는 스캔 동작으로 상기 하우징을 이동시키도록 구성되는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 7] 제3항에 있어서,상기 직선 또는 스캔 동작과 동시에 이미턴스 프로파일러 패러데이(faraday) 시스템 회전 동작이 수행되는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 8] 제1항에 있어서,블 구동 크랭크에 부착되는 dc 서보(servo) 워블 모터를 더 포함하고, 상기 워블 구동 크랭크는 상기 하우징에 부착되며 상기 하우징 면을 - 12°내지 + 12°만큼 회전시키는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 9] 제1항에 있어서,결합된 측정값은, 두 개의 3-d 프로파일, l(x,x') 및 l(y.y')와, 네 개의 2-d 프로파일, l(x), l(x'), l(y) 및 l(y')을 산출하는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 10] 제1항에 있어서,데이터 지점에 대한 빔 전류는 다음과 같이 정의되며,여기서,[dl/dx]i는 각 데이터 지점에 대한 빔 전류를,s는 인치(inches) 단위 슬롯 너비를,d(ij)는 도출된 i 열과 j 행을 가지는 데이터 배열을d(i,3)은 프로파일 패러데이 컵에 의해 만들어진 빔 전류 샘플을 포함하는 행을,d(i,4)는 각 패러데이 컵에 의해 만들어진 빔 전류 샘플을 포함하는 행을의미하는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 11] 제1항에 있어서,샘플들 사이의 간격x는,로 정의되며,여기서, δxi는 샘플들 사이의 간격 x를,di,2는 도출된 i열과 2행을 가지는 데이터 배열을,di-1,2는 도출된 i-1열과 2행을 가지는 데이터 배열을의미하는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 12] 제1항에 있어서,샘플들 사이에의 근사치인 총 빔 전류는,로 정의되며,여기서,δii는 샘플들 사이에의 근사치인 총 빔 전류를,di,2는 도출된 i열과 2행을 가지는 데이터 배열을,di-1,2는 도출된 i-1열과 2행을 가지는 데이터 배열을의미하는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 13] 제1항에 있어서,측정된 상기 빔 내에 포함되는 총 전류는,로 정의되며,여기서,it는 측정된 상기 빔 내에 포함되는 총 전류를,는 i가 0에서 n까지 ii 열로부터의 총 빔 전류의 합을의미하는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 14] 제1항에 있어서,매트릭스dk,1내에 포함되는 전류 샘플들은 아래와 같은 수식 4로부터의 총 전류를 이용하여 정규화되며,여기서,k는 각 패러데이 컵 내의 샘플화된 전류에 각 패러데이 컵의 합을 정규화하는데 이용되는 정규화 인자임. 상기 인자 k는 차원을 값 dl/dx' 및 dl/dy'에 더하는데 필수적이며 본 기술분야의 숙련자에게 널리 알려져 있고,it는 측정된 빔 내에 포함된 총 전류를의미하는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 15] 제1항에 있어서,패러데이 샘플로부터의 정규화된 전류(inorm)는,로 정의되며,여기서,k는 각 패러데이 컵 내의 샘플화된 전류에 각 패러데이 컵의 합을 정규화하는데 이용되는 정규화 인자임. 상기 인자 k는 치수를 값 dl/dx' 및 dl/dy'에 더하는데 필수적이며 본 기술분야의 숙련자에게 널리 알려져 있고,inorm은 각 패러데이 샘플로부터 정규화된 전류(inorm)를 의미하는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 이온 빔 각도 교정및 이미턴스 측정 시스템은 그 전체로서 선택된 작업편(workpiece)에 충돌하는 이온 빔의 경로 밖으로 이동될 수 있으며, 상기 시스템은 또한 선형 액츄에이터, 선형 구동 장치와, 랙 및 피니언(rack and pinion) 구동 장치를 더 포함하는,이온 빔 각도 교정이미턴스 측정 시스템. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 작업편 표면에 대한 이온 빔 이미턴스 측정값은, l(x,x'), l(y.y'), l(x), l(x'), l(y), l(y')의 독립 프로파일을 포함하고,상기 l(x,x') 및 상기 l(y.y')은 3-d 프로파일이며,상기 l(x), 상기 l(x'), 상기 l(y) 및 상기 l(y') 항은 2-d 프로파일인,이온 빔 평면에 대한 작업편 표면을 측정교정하기 위한시스템.