문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 광학 센서는 상기 기판을 통해 투과되는 상기 방사선의 양을 수신하도록 위치되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 방사선의 양은 상기 유도적으로 결합된 플라즈마에 의해 생성되는 광이며 상기 광학 센서는 증가하는 도펀트 농도에 비례하는 감소하는 양의 상기 광을 수신하도록 위치되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 기판 지지 표면 위에 배치되는 레이저 소스를 더 포함하며, 상기 방사선의 양은 상기 레이저 소스에 의해 생성되는 광이며, 상기 광학 센서는 증가하는 도펀트 농도에 비례하는 감소하는 양의 상기 광을 수신하도록 위치되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 광학 센서는 상기 내부 볼륨 내에서 상기 기판 지지 표면 위에 생성되는 상기 유도적으로 결합되는 플라즈마로부터 방출되는 미리결정된 파장 또는 주파수에서의 광을 검출하도록 구성되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 방출된 광은 적외선광, 가시광, 자외선광 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹에서 선택되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 방출된 광은 적외선광인, 플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 소스는 토로이달(toroidal) 플라즈마 소스인,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 방사선의 양은 광이며 상기 제어기는 상기 광학 센서에 의해 수신되는 상기 광에 비례하는 초기 신호(initial signal)를 생성하도록 구성되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 제어기는 도펀트 주입 프로세스 동안 도펀트를 상기 기판에 주입하도록 구성되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 제어기는 증가하는 도펀트 농도에 비례하는 상기 광학 센서에 의해 수신된 광을 변조하도록 구성되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 제어기는 상기 기판이 상기 도펀트의 최종 농도를 갖게 되면, 상기 광학 센서에 의해 수신된 상기 광에 비례하는 엔드 포인트(end point) 신호를 생성하도록 구성되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기 제어기는 상기 도펀트 주입 프로세스를 중단하도록 구성되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,상기 광학 센서는 상기 기판으로부터 반사되는 상기 방사선의 양을 수신하도록 위치되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 16]
제 14 항에 있어서,상기 방사선의 양은 상기 유도적으로 결합된 플라즈마에 의해 생성되는 광이며 상기 광학 센서는 증가하는 도펀트 농도에 비례하는 증가하는 양의 상기 광을 수신하도록 위치되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 17]
제 14 항에 있어서,상기 기판 지지 표면 위에 배치되는 레이저 소스를 더 포함하며, 상기 방사선의 양은 상기 레이저 소스에 의해 생성되는 광이며, 상기 광학 센서는 증가하는 도펀트 농도에 비례하는 증가하는 양의 상기 광을 수신하도록 위치되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 18]
제 14 항에 있어서,상기 기판 지지 표면 아래에 배치되는 레이저 소스를 더 포함하며, 상기 방사선의 양은 상기 레이저 소스에 의해 생성되는 광이며, 상기 광학 센서는 증가하는 도펀트 농도에 비례하는 감소하는 양의 상기 광을 수신하도록 위치되는,플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 19]
제 14 항에 있어서,상기 광학 센서는 적외선광, 가시광, 자외선광 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹에서 선택되는 방출된 광을 검출하도록 구성되는(adapted),플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
[청구항 20]
제 19 항에 있어서,상기 방출된 광은 적외선광인, 플라즈마 도핑 프로세스 동안 기판 표면상에 배치된 물질을 도핑하고 도핑 농도검출하기 위한장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
도펀트 농도가 증가함에 따라 광학 센서가 수신하는 광의 양이 감소하는 경우, 해당 방사선은 무엇에 의해 생성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation도펀트 농도 증가 시 광학 센서가 수신하는 광의 양이 감소하는 조건에서, 해당 방사선을 생성하는 주체를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 3과 청구항 18에서 도펀트 농도 증가에 비례하여 광의 양이 감소하는 경우를 확인할 수 있다.
- 증가하는 도펀트 농도에 비례하는 감소하는 양의 상기 광을 수신하도록 위치되는
-
3근거 선택
evidence_selection청구항 3에서 해당 조건(농도 증가 시 광량 감소)일 때 방사선이 무엇에 의해 생성되는지 명시된 구절을 선택한다.
- 상기 방사선의 양은 상기 유도적으로 결합된 플라즈마에 의해 생성되는 광이며
-
4논리 통합
logical_integration청구항 3의 문맥을 종합하면, 도펀트 농도 증가에 따라 수신되는 광의 양이 감소하는 경우의 방사선은 유도적으로 결합된 플라즈마에 의해 생성된다.
- 상기 방사선의 양은 상기 유도적으로 결합된 플라즈마에 의해 생성되는 광이며 상기 광학 센서는 증가하는 도펀트 농도에 비례하는 감소하는 양의 상기 광을 수신하도록 위치되는
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '유도적으로 결합된 플라즈마'를 도출한다.
- 상기 유도적으로 결합된 플라즈마에 의해 생성되는 광
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 유도적으로 결합된 플라즈마
최종 답변 (final_answer)
유도적으로 결합된 플라즈마
핵심 해석 (core_interpretation)
도펀트 농도 변화에 따른 광학 센서의 수신 광량 변화를 이용하여 플라즈마 도핑 프로세스의 농도를 검출하는 기술적 관계를 설명한다.