발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼 document_id 1020117022610

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 변형 발광층의 조성식이 gayin1-yp(여기서, y는 0.39≤y≤0.45를 만족하는수치인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 변형 발광층의 두께nan가8내지범위인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 변형 조정층의 조성식이(alxga1-x)yin1-yp(여기서, x 및 y는, 각각 0≤x≤1 및 0.6≤y≤1을 만족하는수치인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 5] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 변형 조정층의 조성식이 alxga1-xas1-ypy(여기서, x 및 y는, 각각 0≤x≤1 및 0.6≤y≤1을 만족하는수치인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 6] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 변형 조정층의 재질이 gap인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 변형 조정층의 두께가 0.5내지범위인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 8] 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광부는 상기 변형 발광층과 배리어층의 적층 구조를 갖고 있으며,상기 변형 발광층이8내지40층포함되어있는것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 9] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 배리어층의 조성식이(alxga1-x)yin1-yp(여기서, x 및 y는, 각각 0.3≤x≤0.7 및 0.49≤y≤0.52를 만족하는수치인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 10] 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광부의 상면및 하면 중 한쪽 또는 양쪽에 클래드층을 구비하고,상기 클래드층의 조성식이 (alxga1-x)yin1-yp(여기서, x 및 y는, 각각 0.5≤x≤1 및 0.48≤y≤0.52를 만족하는수치인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 11] 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기gaas 기판의 면 방위의 범위가, (100) 방향으로부터 (0-1-1) 방향으로 15°오프인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 12] 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기gaas기판의직경이상인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 13] 제12항에 있어서,량이 200 ㎛이하인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 14] 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,식물 육성의 광합성의 촉진에 사용하는 발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼이며,상기 변형 발광층의 피크 발광 파장이655내지범위인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 변형 발광층의 발광 파장700 nm에서의 발광 강도가, 상기 피크 발광 파장에서의발광 강도미만인것을특징으로 하는발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼.