향상된 높은 효율의 결정 솔라 셀 제작 방법 document_id 1020117024287

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 전도성 웨이퍼는실리콘 기판인,솔라 셀. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 제 1 전면의 도핑된 영역과 상기 제 1 후면의 도핑된 영역은 대략 80 ω/□ 내지 대략 160 ω/□ 의 시트 저항갖는,솔라 셀. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 제 2 전면의 도핑된 영역과 상기 제 2 후면의 도핑된 영역은 대략 10 ω/□ 내지 대략 40 ω/□의 시트 저항갖는,솔라 셀. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 제 1 전면의 도핑된 영역과 상기 제 1 후면의 도핑된 영역은 대략 80 ω/□내지 대략 160 ω/□의 시트 저항을 갖고,상기 제 2 전면의 도핑된 영역과 상기 제 2 후면의 도핑된 영역은 대략 10 ω/□내지 대략 40 ω/□의 시트 저항갖는솔라 셀. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 배경의 도핑된 영역은 대략 0.5 ω/□ 내지 1.5 ω/□의 시트 저항갖는,솔라 셀. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 제 1 전면의 도핑된 영역 위의 상기 반도체성 웨이퍼의 상기 전면 상에 배치된 반사-방지 코팅층더 포함하는,솔라 셀. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 제 2 전면의 도핑된 영역 위, 그리고 상기 전면의 금속 접촉부 아래에 배치되는 금속 시드 층더 포함하는,솔라 셀. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 금속 시드 층은 매조택시(mesotaxy) 주입물포함하는,솔라 셀. [청구항 10] 제 8항에 있어서,상기 금속 시드 층은 실리콘 규화물포함하는,솔라 셀. [청구항 11] 제 1항에 있어서,상기 제 2 전면의 도핑된 영역은 대략 1mm 내지 대략 3mm의 범위의 거리만큼 서로 측면이격되는,솔라 셀. [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 배경의 도핑된 영역은 p-타입으로 도핑되고,상기 제 1 전면의 도핑된 영역과 상기 제 2 전면의 도핑된 영역은 n-타입도핑되는,솔라 셀. [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 제 2 후면의 도핑된 영역은 상기 후면의 도핑된 영역과 동일한 전하-타입의 불순물도핑되는,솔라 셀. [청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 제 1 후면의 도핑된 영역은 상기 제 2 후면의 도핑된 영역 및 상기 배경의 도핑된 영역과 동일한 전하-타입도핑되는,솔라 셀. [청구항 15] 제 13항에 있어서,상기 제 2 후면의 도핑된 영역 및 상기 배경의 도핑된 영역은 p-타입도핑되는,솔라 셀. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 제 2 후면의 도핑된 영역은 붕소도핑되는,솔라 셀. [청구항 37] 제 36항에 있어서,상기 반도체성 웨이퍼의 상기 전면은 임의의 금속 접촉부의 부재에 의해 특징 지워짐으로써, 금속 접촉부를 통한 임의의 전면의 쉐도잉제거하는,솔라 셀. [청구항 38] 제 36항에 있어서,상기 배경의 도핑된 영역은 n-타입으로 도핑되고,상기 제 1 후면의 도핑된 영역은 p-타입으로 도핑되며,상기 제 2 후면의 도핑된 영역은 n-타입도핑되는솔라 셀. [청구항 39] 제 38항에 있어서,상기 제 1 후면의 도핑된 영역은 붕소, 알루미늄 및 갈륨으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 불순물도핑되는,솔라 셀. [청구항 40] 제 38항에 있어서,상기 제 2 후면의 도핑된 영역은 인, 비소 및 안티몬으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 불순물도핑되는 ,솔라 셀. [청구항 41] 제 36항에 있어서,상기 반도체성 웨이퍼는실리콘 기판인,솔라 셀. [청구항 42] 제 36항에 있어서,상기 반도체성 웨이퍼의 상기 전면으로부터 상기 전면과 상기 후면 사이의 위치로 확장하는 전면의 도핑된 영역을 더 포함하고, 상기 전면의 도핑된 영역은 상기 후면의 교호적으로 도핑된 영역의 위치로또는이지나확장하지 않는,솔라 셀. [청구항 43] 제 42항에 있어서,상기 전면의 도핑된 영역은 p-타입도핑되는,솔라 셀. [청구항 44] 제 36항에 있어서,상기 후면의 금속 접촉 층은 상기 제 1 및 제 2 후면의 도핑된 영역 상에 정렬된 금속 접촉부 그리드라인포함하는,솔라 셀. [청구항 45] 제 44항에 있어서,상기 반도체성 웨이퍼의 상기 후면 위에, 그리고 상기 금속 접착물 그리드라인 간에 배치된 반사-방지 코팅층더 포함하는,솔라 셀. [청구항 46] 제 45항에 있어서,상기 반사-방지 코팅층은 질화 실리콘포함하는,솔라 셀. [청구항 47] 제 36항에 있어서,상기 반도체성 웨이퍼의 상기 전면 위에 배치된 반사-방지 코팅층더 포함하는,솔라 셀. [청구항 48] 제 47항에 있어서,상기 반사-방지 코팅층은 질화 실리콘포함하는,솔라 셀.