증가형 ＧａＮ ＨＥＭＴ 장치 및 그 제조 방법 document_id 1020117024904

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 완충층은구성되는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 장벽층은 상기 완충층보다 띠 간격구성되는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 게이트 금속의 하측부와 상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물의 상측부는 같은 치수를 갖고, 상기 게이트 ⅲ-ⅴ 화합물의 측벽은 약 80 내지 약 90도의 각도가지는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물의 측벽은, 약 30 내지 약 80도의 각도가지는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물 및 상기 게이트 금속은 단일의 포토마스크 공정으로 형성되어 자기정합되고,상기 게이트 화합물의 상측부에 대칭형 돌출부가 있도록 상기 게이트 금속이 상기 게이트 ⅲ-ⅴ 화합물보다 좁은, 증가형 gan 트랜지스터. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물의 측벽은 약 80 내지 약 90도의 각도가지는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물의 측벽은 30 내지 80도의 각도경사지는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물 및 상기 게이트 금속은 단일의 포토마스크 공정으로 형성되어 자기정합되고, 상기 게이트 금속의 하측부와 상기 게이트 ⅲ-ⅴ 화합물의 상측부는 거의 같은 치수를 갖고, 상기 게이트 ⅲ-ⅴ 화합물의 하측부는 상기 장벽층 바로 위에 있는 대칭형 돌출부포함하는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물 및 상기 게이트 금속은 단일의 포토마스크 공정으로 형성되어 자기정합되고, 상기 게이트 화합물의 상측부에 대칭형 돌출부가 있도록 상기 게이트 금속이 상기 게이트 ⅲ-ⅴ 화합물보다 좁고, 상기 게이트 ⅲ-ⅴ 화합물의 하측부는 상기 장벽층 바로 위에 있는 대칭형 돌출부포함하는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물은 mg, c, zn, ca와 같은 억셉터형 도펀트로 도핑된 gan이고, p형 도펀트는 활성화되는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물은 mg, c, zn, ca와 같은 억셉터형 도펀트로 도핑된 gan이고, p형 도펀트는 수소보상되는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물은 algan층과, mg, c, zn, ca와 같은억셉터형도펀트도핑된포함하는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 게이트ⅲ-ⅴ 화합물은 algan층 및 gan층을 포함하고, 상기 게이트 금속 및 게이트 gan은 단일의 포토마스크 공정으로 에칭되고, 게이트 algan은 제2 포토마스크 공정으로 인하여 드레인 방향연장하는,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 게이트 금속은인,증가형 gan 트랜지스터. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 게이트 금속은 ta, w, tan, tin, wn, wsi와 같은 1개 이상의 리프랙토리(refractory) 금속, 금속성 화합물, 및 합금포함하는,증가형 gan 트랜지스터.