비-단결정질의 반도체 스페이싱 부분이 베이스-연결 길이를 조절하는 바이폴라 접합 트랜지스터를 갖는 반도체 구조의 구성 및 제조 document_id 1020117025421

[청구항 1] "주 베이스 (primary base), 주 에미터, 주 컬렉터를 상부 표면을 가진 반도체 보디의 각각의 존들로서 포함하는 주 바이폴라 접합 트랜지스터 (""bjt"") 로서, 상기 주 베이스는 제 1 전도성 타입을 가지고, (i) 상기 주 에미터의 아래 및 상기 주 컬렉터의 재료 위에 위치해 있는 주 진성 베이스 부분, (ii) 상기 반도체 보디의 상부 표면으로 확장되는 주 베이스 컨택트 부분, 및 (iii) 상기 주 진성 베이스 부분과 상기 주 베이스 컨택트 부분 사이에서 확장되는 주 베이스 연결 부분을 포함하며, 상기 주 에미터 및 상기 주 컬렉터는 상기 제 1 전도성 타입과 반대인 제 2 전도성 타입을 갖고 상기 주 베이스에 의해 서로 분리되어서 상기 주 베이스와 각각의 주 pn 접합을 형성하고, 상기 주 에미터는 상기 반도체 보디의 상부 표면으로 확장되고 상기 주 베이스 연결 부분에 의해 상기 주 베이스 컨택트 부분으로부터 측방으로 분리되어 있는, 상기 주 바이폴라 접합 트랜지스터 (""bjt""); 및 주 스페이싱 구조로서, (i) 상기 반도체 보디의 상부 표면 상에 위치해 있는 주 분리 (isolating) 유전체 층 및 (ii) 상기 주 베이스 연결 부분 위의 상기 주 분리 유전체 층 상에 위치해 있는 대체로 비-단결정질의 반도체 재료로 된 주 측방 스페이싱 부분을 포함하는 주 스페이싱 컴포넌트로서, 상기 주 베이스 연결 부분의 대체로 대향하는 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 주 측방 스페이싱 부분의 대체로 대향하는 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지에 대해 각기 대체로 측방으로 부합되는, 상기 주 스페이싱 컴포넌트를 포함하는, 상기 주 스페이싱 구조를 포함하는, 반도체 구조." [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 주 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 주 측방 스페이싱 부분의 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지로부터 대체로 일정한 제 1 측방 거리 및 제 2 측방 거리각각 분리되는,반도체 구조. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 주 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는상기주측방스페이싱부분의제1하부 에지및제2하부 에지멀리떨어져있는,반도체 구조. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 주 스페이싱 컴포넌트는 상기 주 측방 스페이싱 부분의 제 1 측면 측 및 제 2 측면 측이 상기 주 측방 스페이싱 부분의 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지를 각각 포함하도록, 상기 주 측방 스페이싱 부분의 대체로 대향하는 제 1 측면 측 및 제 2 측면 측을 따라서 각각 위치해 있는 제 1 유전체 분리 스페이서 및 제 2 유전체 분리 스페이서포함하는,반도체 구조. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 제 1 유전체 분리 스페이서 및 제 2 유전체 분리 스페이서는 상기 주 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지 위에 각각 위치있는,반도체 구조. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 주 베이스 컨택트 부분은 상기 주 진성 베이스 부분 및 주 베이스 연결 부분보다 더 고농도도핑되는,반도체 구조. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 주 측방 스페이싱 부분의 비-단결정질의 반도체 재료는 상당한 전기적 전도성을 갖도록 반도체 도펀트를 포함하고,상기 반도체 구조는 주 측방 스페이싱 부분에 기준 전압을 제공하기 위한 전압 공급원더 포함하는,반도체 구조. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 주 컬렉터는 메인 컬렉터 부분 및 그 아래에 놓인 상기 메인 컬렉터 부분 보다 더 고농도로 도핑된 깊은 컬렉터 층포함하는,반도체 구조. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 보디는 기판 및 상기 기판 상에 위치해 있는 에피택셜 층을 포함하고,상기 주 컬렉터는 메인 컬렉터 부분, 및 상기 메인 컬렉터 부분 아래에 놓이고 상기 기판과 상기 에피택셜 층 사이의 계면을 따라 위치해 있는 상기 메인 컬렉터 부분 보다 더 고농도로 도핑된 매립형 컬렉터 층포함하는,반도체 구조. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 주 측방 스페이싱 부분의 비-단결정질의 반도체 재료는 대체로 다결정질의 반도체재료인,반도체 구조. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 주 베이스는 (i) 상기 반도체 보디의 상부 표면으로 확장되는 추가 베이스 컨택트 부분과, (ii) 상기 주 진성 베이스 부분과 상기 추가 베이스 컨택트 부분 사이에서 확장되는 추가 베이스 연결 부분을 포함하고, 상기 주 진성 베이스 부분은 상기 추가 베이스 연결 부분에 의해 상기 추가 베이스 컨택트 부분으로부터 측방으로 분리되며; 또한 상기 반도체 구조는 (i) 상기 반도체 보디의 상부 표면 상에 위치해 있는 추가 유전체 층, 및 (ii) 상기 추가 베이스 연결 부분 위의 상기 추가 유전체 층 상에 위치해 있는 대체로 비-단결정질의 반도체 재료로 된 추가 측방 스페이싱 부분을 포함하는 추가 스페이싱 컴포넌트로서, 상기 추가 베이스 연결 부분의 대체로 대향하는 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 추가 측방 스페이싱 부분의 대체로 대향하는 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지에 대해 각각 대체로 측방으로 부합되는, 상기 추가 스페이싱 컴포넌트를 포함하는 추가 스페이싱 구조포함하는,반도체 구조. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 주 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 주 측방 스페이싱 부분의 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지로부터 대체로 일정한 주 제 1 측방 거리 및 주 제 2 측방 거리만큼 각각 분리되어 있고,상기 추가 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 추가 측방 스페이싱 부분의 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지로부터 대체로 일정한 추가 제 1 측방 거리 및 추가 제 2 측방 거리각각 분리되어 있는,반도체 구조. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 주bjt에 대해 상보적인 다른 bjt로서, 상기 다른 bjt는 다른 베이스 (further base), 다른 에미터, 및 다른 컬렉터를 상기 반도체 보디의 각각의 존들로서 포함하고, 상기 다른 베이스는 상기 제 2 전도성 타입을 갖고 또한 (i) 상기 다른 에미터의 아래 및 상기 다른 컬렉터의 재료 위에 위치해 있는 다른 진성 베이스 부분, (ii) 상기 반도체 보디의 상부 표면으로 확장되는 다른 베이스 컨택트 부분, 및 (iii) 상기 다른 진성 베이스 부분과 상기 다른 베이스 컨택트 부분 사이에서 확장되는 다른 베이스 연결 부분을 포함하며, 상기 다른 에미터 및 다른 컬렉터는 상기 제 1 전도성 타입을 갖고 상기 다른 베이스에 의해 서로 분리되어서 상기 다른 베이스와 각각의 다른 pn 접합들을 형성하고, 상기 다른 에미터는 상기 반도체 보디의 상부 표면으로 확장되고 상기 다른 베이스 연결 부분에 의해 상기 다른 베이스 컨택트 부분으로부터 측방으로 분리되어 있는, 상기 다른 bjt; 및다른 스페이싱 구조로서, (i) 상기 반도체 보디의 상부 표면 상에 위치해 있는 다른 분리 유전체 층, 및 (ii) 상기 다른 베이스 연결 부분 위의 상기 다른 분리 유전체 층 상에 위치해 있는 대체로 비-단결정질의 반도체 재료로 된 다른 측방 스페이싱 부분을 포함하는 다른 스페이싱 컴포넌트로서, 상기 다른 베이스 연결 부분의 대체로 대향하는 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 다른 측방 스페이싱 부분의 대체로 대향하는 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지에 대해 각각 대체로 측방으로 부합되는, 상기 다른 스페이싱 컴포넌트를 포함하는, 상기 다른 스페이싱 구조더 포함하는,반도체 구조. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 주 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 주 측방 스페이싱 부분의 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지로부터 대체로 일정한 주 제 1 측방 거리 및 주 제 2 측방 거리만큼 각각 분리되고; 또한상기 다른 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 다른 측방 스페이싱 부분의 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지로부터 대체로 일정한 다른 제 1 측방 거리 및 다른 제 2 측방 거리각각 분리되는,반도체 구조. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,상기 주 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 주 측방 스페이싱 부분의 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지보다 더 멀리 떨어져 있고; 또한상기 다른 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지는 상기 다른측방스페이싱부분의제1하부 에지및제2하부 에지멀리떨어져있는,반도체 구조. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,상기 주 스페이싱 컴포넌트는 상기 주 측방 스페이싱 부분의 제 1 측면 측 및 제 2 측면 측이 상기 주 측방 스페이싱 부분의 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지를 각각 포함하도록, 상기 주 측방 스페이싱 부분의 대체로 대향하는 제 1 측면 측 및 제 2 측면 측을 따라서 각각 위치해 있는 주 제 1 유전체 분리 스페이서 및 주 제 2 유전체 분리 스페이서를 포함하고; 또한상기 다른 스페이싱 컴포넌트는 상기 다른 측방 스페이싱 부분의 제 1 측면 측 및 제 2 측면 측이 상기 다른 측방 스페이싱 부분의 제 1 하부 에지 및 제 2 하부 에지를 각각 포함하도록, 상기 다른 측방 스페이싱 부분의 대체로 대향하는 제 1 측면 측 및 제 2 측면 측을 따라서 각각 위치해 있는 다른 제 1 유전체 분리 스페이서 및 다른 제 2 유전체 분리 스페이서포함하는,반도체 구조. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 주 제 1 유전체 분리 스페이서및 주 제 2 유전체 분리 스페이서는 상기 주 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지 위에 각각 위치해 있고; 또한상기 다른 제 1 유전체 분리 스페이서 및 다른 제 2 유전체 분리 스페이서는 상기 다른 베이스 연결 부분의 제 1 상부 에지 및 제 2 상부 에지 위에 각각 위치있는,반도체 구조. [청구항 18] 제 13 항에 있어서,각각의 컬렉터는 메인 컬렉터 부분 및 그 아래에 놓인 상기 메인 컬렉터 부분 보다 더 고농도로 도핑된 깊은 컬렉터 층포함하는,반도체 구조. [청구항 19] 제 13 항에 있어서,상기 반도체 보디는 기판 및 상기 기판 상에 위치해 있는 에피택셜 층을 포함하고; 또한각각의 컬렉터는 메인 컬렉터 부분, 및 상기 메인 컬렉터 부분 아래에 놓이고 상기 기판과 상기 에피택셜 층 사이의 계면을 따라서 위치해 있는 상기 메인 컬렉터 부분 보다 더 고농도로 도핑된 매립형 컬렉터 층포함하는,반도체 구조. [청구항 20] 제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 측방 스페이싱 부분들의 비-단결정질의 반도체 재료는 대체로 다결정질의 반도체재료인,반도체 구조. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 보디는 상기 제 1 전도성 타입의 주 보디 재료를 포함하고, 상기 반도체 구조는 주 전계-효과 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 주 전계-효과 트랜지스터는,상기 주 보디 재료의 주 채널 존;상기 반도체 보디의 상부 표면을 따라 상기 반도체 보디 내에 위치해 있고, 상기 주 채널 존에 의해 측방으로 분리되며, 상기 제 2 전도성 타입을 가져서, 상기 주 보디 재료와 각각의 pn 접합들을 형성하는 한 쌍의 주 소스/드레인 ("s/d") 존들;상기 주 채널 존 위에 놓인 주 게이트 유전체 층; 및상기 주 채널 존 위의 상기 주 게이트 유전체 층 위에 놓이고 도핑된 비-단결정질의 반도체 재료를 포함하는 주 게이트 전극포함하는,반도체 구조. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,각각의 s/d 존은 메인 부분 및 상기 메인 부분 보다 더 저농도로 도핑된 측면 확장부를 포함하고, 상기 주 채널 존은 상기 반도체 보디의 상부 표면을 따르는상기측면 확장부들에의해종결되는,반도체 구조. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 주 게이트 전극의 횡방향 측면들을 따라서 각각 위치해 있는 한 쌍의 유전체 측벽 스페이서들더 포함하는,반도체 구조. [청구항 24] 제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 주 측방 스페이싱 부분및 주 게이트 전극은 대략 동일한 두께갖는,반도체 구조. [청구항 25] 제 21 항에 있어서,상기 반도체 보디는 상기 제 2 전도성 타입의 다른 보디 재료를 포함하고, 상기 반도체 구조는 상기 주 전계-효과 트랜지스터에 대해서 상보적인 다른 전계 효과 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 다른 전계 효과 트랜지스터는,상기 다른 보디 재료의 다른 채널 존;상기 반도체 보디의 상부 표면을 따라 상기 반도체 보디 내에 위치해 있고, 상기 다른 채널 존에 의해 측방으로 분리되며, 상기 제 1 전도성 타입을 가져서, 상기 다른 보디 재료와 각각의 pn 접합들을 형성하는 한 쌍의 다른 s/d 존들;상기 다른 채널 존 위에 놓인 다른 게이트 유전체 층; 및상기 다른 채널 존 위의 상기 다른 게이트 유전체 층 위에 놓이고 도핑된 비-단결정질의 반도체 재료를 포함하는 다른 게이트 전극포함하는,반도체 구조. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,각각의 s/d 존은 메인 부분 및 상기 메인 부분 보다 더 저농도로 도핑된 측면 확장부를 포함하고, 각각의 fet의 채널 존은 상기 반도체 보디의 상부 표면을 따르는자신의측면 확장부들에의해종결되는,반도체 구조. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 주 게이트 전극의 횡방향 측면들을 따라서 각각 위치해 있는 한 쌍의 주 유전체 측벽 스페이서들; 및상기 다른 게이트 전극의 횡방향 측면들을 따라서 각각 위치해 있는 한 쌍의 다른 유전체 측벽 스페이서들더 포함하는,반도체 구조. [청구항 28] 제 25 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 측방 스페이싱 부분 및 상기 게이트 전극들은 대략 동일한 두께갖는,반도체 구조.