유기 전기발광 소자 document_id 1020117026043

[청구항 1] 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 설치된 유기 박막층을 구비한 유기 전기발광 소자로서, 상기 유기 박막층은, 호스트 재료와 발광 재료를 함유하는 발광층, 및 상기 발광층보다도 상기 양극측에 설치된 정공수송층을 갖고, 상기 정공수송층은, 상기 양극으로부터 순차로 제 1 정공수송층 및 제 2 정공수송층을 갖고, 상기 제 1 정공수송층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하고, 상기 제 2 정공수송층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자 [화학식 1] (식중, l 1 은 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 10～40의 아릴렌기를 나타내고, ar 1 ～ar 4 는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～60의 아릴기 또는 환형성 원자수 6～60의 헤테로아릴기를 나타낸다. ) [화학식 2] (식중, ar 5 ～ar 7 중 적어도 하나는 하기 화학식 3으로 표시되는 기이고, ar 5 ～ar 7 중 화학식 3이 아닌 기는 하기 화학식 4 또는 5로 표시되는 기, 또는 치환되거나 비치환된 탄소수 6～40의 아릴기이다. ) [화학식 3] (식중, l 2 는 단일 결합 또는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～50의 아릴렌기를 나타내고, l 2 가 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다 r 1 및 r 2 는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 치환되거나 비치환된 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～16의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다. 인접한 복수의 r 1 및 r 2 는 서로 결합하여, 환을 형성하는 포화 또는 불포화의 2가 기를 형성할 수도 있다. a 및 b는 각각 독립적으로 0～4의 정수를 나타낸다. ) [화학식 4] (식중, l 3 은 단일 결합 또는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～50의 아릴렌기를 나타내고, l 3 이 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다 c 및 d는 각각 독립적으로 0～4의 정수를 나타낸다 r 3 및 r 4 는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 치환되거나 비치환된 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타낸다. 인접한 복수의 r 3 및 r 4 는 서로 결합하여, 환을 형성하는 포화 또는 불포화의 2가 기를 형성할 수도 있다. ) [화학식 5] (식중, l 4 는 단일 결합 또는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～50의 아릴렌기를 나타내고, l 4 가 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다 ar 8 은 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기를 나타내고, ar 8 이 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다 e는 0～3의 정수를 나타내고, f는 0～4의 정수를 나타낸다 r 5 및 r 6 은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 치환되거나 비치환된 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타낸다. 인접한 복수의 r 5 및 r 6 은 서로 결합하여, 환을 형성하는 포화 또는 불포화의 2가 기를 형성할 수도 있다. ) [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 화합물비대칭인유기 전기발광 소자. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 화학식1에 있어서 l1이 바이페닐다이일기인유기 전기발광 소자. [청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화학식1의 ar1～ar4가 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 페닐기, 치환되거나 비치환된 바이페닐릴기, 치환되거나 비치환된 터페닐릴기, 치환되거나 비치환된 페난트릴기, 또는 하기 화학식 6으로 표시되는 유기 전기발광 소자. [화학식 6](식중, l5는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～50의 아릴렌기를 나타내고, l5가 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다. ar9는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기를 나타내고, ar9가 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다. g는 1 또는 2를 나타낸다. r7은 치환되거나 비치환된 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 치환되거나 비치환된 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타낸다. 복수의 r7은 서로 결합하여, 환을 형성하는 포화 또는 불포화의 2가 기형성할 수도 있다. ) [청구항 5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화학식1의 ar1～ar4가 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 페닐기, 치환되거나 비치환된 바이페닐기, 치환되거나 비치환된 터페닐기치환되거나비치환된페난트릴기인 유기 전기발광 소자. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화학식1의 ar1～ar4중 적어도 하나가 하기 화학식 6으로 표시되는 유기 전기발광 소자. [화학식 6](식중, l5는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～50의 아릴렌기를 나타내고, l5가 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다. ar9는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기를 나타내고, ar9가 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다. g는 1 또는 2를 나타낸다. r7은 치환되거나 비치환된 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 치환되거나 비치환된 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타낸다. 복수의 r7은 서로 결합하여, 환을 형성하는 포화 또는 불포화의 2가 기형성할 수도 있다. ) [청구항 7] 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서 ar5～ar7 중 적어도 하나가 상기 화학식표시되는기인 유기 전기발광 소자. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서 ar5～ar7 중 적어도 하나가 상기 화학식표시되는기인 유기 전기발광 소자. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서 ar5～ar7 중 적어도 하나가 상기 화학식표시되는기인 유기 전기발광 소자. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서 ar5～ar7 중 적어도 하나가 하기 화학식 7로 표시되는 유기 전기발광 소자. [화학식 7](식중, r8～r10은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 치환되거나 비치환된 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～16의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다. 인접한 복수의 r8～r10은 서로 결합하여, 환을 형성하는 포화 또는 불포화의 2가 기형성할 수도 있다. h, i 및 j는 각각 독립적으로 0～4의 정수를 나타낸다. ) [청구항 11] 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar5～ar7 중 적어도 2개가 상기 화학식 3으로 표시되고, ar5～ar7 중 2개가 화학식 3으로 표시되는 경우, 2개의 화학식 3으로 표시되는 기가 동일하지 않고, 또한, ar5～ar7의 3개가 화학식 3으로 표시되는 기인 경우, 3개의 화학식 2로 표시되는 기가동일하지 않은유기 전기발광 소자. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서 ar5가 상기 화학식표시되는유기 전기발광 소자. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서 ar6 및 ar7이 치환되거나 비치환된 탄소수 6～40의아릴기인유기 전기발광 소자. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar6이 상기 화학식 3으로 표시되고, ar7이 치환되거나 비치환된 탄소수 6～40의아릴기인유기 전기발광 소자. [청구항 15] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서 ar6 및 ar7이 상기 화학식표시되는유기 전기발광 소자. [청구항 16] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar6이 상기 화학식 3으로 표시되고, ar7이 상기 화학식표시되는유기 전기발광 소자. [청구항 17] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서 ar6 및 ar7이 상기 화학식표시되는유기 전기발광 소자. [청구항 18] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar6이 상기 화학식 3으로 표시되고, ar7이 상기 화학식표시되는유기 전기발광 소자. [청구항 19] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서 ar6 및 ar7이 상기 화학식표시되는유기 전기발광 소자. [청구항 20] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar6이 상기 화학식 3으로 표시되고, ar7이 상기 화학식표시되는유기 전기발광 소자. [청구항 21] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar6이 상기 화학식 4로 표시되고, ar7이 상기 화학식표시되는유기 전기발광 소자. [청구항 22] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar6이 상기 화학식 4로 표시되고, ar7이 상기 화학식표시되는유기 전기발광 소자. [청구항 23] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar6이 상기 화학식 4로 표시되고, ar7이 치환되거나 비치환된 탄소수 6～40의아릴기인유기 전기발광 소자. [청구항 24] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar6이 상기 화학식 5로 표시되고, ar7이 치환되거나 비치환된 탄소수 6～40의아릴기인유기 전기발광 소자. [청구항 25] 제 12 항에 있어서,상기 화학식2에 있어서, ar6이 상기 화학식 7로 표시되고, ar7이 치환되거나 비치환된 탄소수 6～40의아릴기인유기 전기발광 소자. [청구항 26] 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 정공수송층이, 제 1 정공수송층의 더욱 양극측에, 전자 수용성 화합물을 함유하는 층갖는유기 전기발광 소자. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 전자 수용성 화합물이 하기 화학식 10으로 표시되는 유기 전기발광 소자. [화학식 10][상기 화학식 10 중, r7～r12는 각각 독립적으로 사이아노기, -conh2, 카복실기 또는 -coor13(r13은 탄소수 1～20의알킬기서로결합하여표시되는기를 나타낸다. ] [청구항 28] 제 26 항에 있어서,상기 전자 수용성 화합물이 하기 화학식 11로 표시되는 유기 전기발광 소자. [화학식 11][상기 화학식 11 중, ar1은 환형성 탄소수 6～24의 축합환, 또는 환형성 원자수 6～24의 헤테로환이다. ar1 및 ar2는 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 하기 화학식(i) 또는 (ii)이다. {식중, x1 및 x2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 하기 화학식(a)～(g)로 표시되는 2가 기 중 어느 하나이다. (식중, r21～r24는 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 플루오로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 6～50의 아릴기 또는 치환되거나 비치환된 환형성 원자수 3～50의 헤테로환기이며, r22와 r23은 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있다.)} 화학식 11 중의 r1～r4는 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 6～50의 탄소수 6～50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 원자수 3～50의 헤테로환기, 할로젠 원자, 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 플루오로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 플루오로알콕시기, 치환되거나 비치환된 탄소수 6～50의 탄소수 6～50의 아릴옥시기, 또는 사이아노기이다. r1～r4 중 서로 인접하는 것은 서로 결합하여 환을 형성할 수도 있다. y1～y4는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, -n=, -ch= 또는 c(r5)=이며, r5는 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 6～50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 원자수 3～50의 헤테로환기, 할로젠 원자, 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 플루오로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 탄소수 1～20의 플루오로알콕시기, 치환되거나 비치환된 탄소수 6～50의탄소수 6～50의 아릴옥시기, 또는 사이아노기이다. ] [청구항 29] 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 설치된 유기 박막층을 구비한 유기 전기발광 소자로서, 상기 유기 박막층은, 호스트 재료와 발광 재료를 함유하는 발광층, 및 상기 발광층보다도 상기 양극측에 설치된 정공수송층을 갖고, 상기 정공수송층은, 상기 양극으로부터 순차로 전자 수용성 화합물을 함유하는 층 및 제 1 정공수송층을 가지며, 상기 전자 수용성 화합물이 하기 화학식 10으로 표시되고, 상기 제 1 정공수송층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자 [화학식 10] [상기 화학식 10 중, r 7 ～r 12 는 각각 독립적으로 사이아노기, -conh 2 , 카복실기 또는 -coor 13 (r 13 은 탄소수 1～20의 알킬기이다.)을 나타내거나, 또는 r 7 및 r 8 , r 9 및 r 10 , 또는 r 11 및 r 12 가 서로 결합하여 -co-o-co-로 표시되는 기를 나타낸다. ] [화학식 2] (식중, ar 5 ～ar 7 중 적어도 하나는 하기 화학식 3으로 표시되는 기이고, ar 5 ～ar 7 중 화학식 3이 아닌 기는 하기 화학식 4 또는 5로 표시되는 기, 또는 치환되거나 비치환된 탄소수 6～40의 아릴기이다. ) [화학식 3] (식중, l 2 는 단일 결합 또는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～50의 아릴렌기를 나타내고, l 2 가 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다 r 1 및 r 2 는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 치환되거나 비치환된 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～16의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다. 인접한 복수의 r 1 및 r 2 는 서로 결합하여, 환을 형성하는 포화 또는 불포화의 2가 기를 형성할 수도 있다. a 및 b는 각각 독립적으로 0～4의 정수를 나타낸다. ) [화학식 4] (식중, l 3 은 단일 결합 또는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～50의 아릴렌기를 나타내고, l 3 이 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다 c 및 d는 각각 독립적으로 0～4의 정수를 나타낸다 r 3 및 r 4 는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 치환되거나 비치환된 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타낸다. 인접한 복수의 r 3 및 r 4 는 서로 결합하여, 환을 형성하는 포화 또는 불포화의 2가 기를 형성할 수도 있다. ) [화학식 5] (식중, l 4 는 단일 결합 또는 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～50의 아릴렌기를 나타내고, l 4 가 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다 ar 8 은 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기를 나타내고, ar 8 이 가질 수 있는 치환기는, 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기이다 e는 0～3의 정수를 나타내고, f는 0～4의 정수를 나타낸다 r 5 및 r 6 은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1～10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 3～10의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 탄소수 3～10의 트라이알킬실릴기, 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 18～30의 트라이아릴실릴기, 치환되거나 비치환된 탄소수 8～15의 알킬아릴실릴기(아릴 부분의 환형성 탄소수는 6～14), 치환되거나 비치환된 환형성 탄소수 6～14의 아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타낸다. 인접한 복수의 r 5 및 r 6 은 서로 결합하여, 환을 형성하는 포화 또는 불포화의 2가 기를 형성할 수도 있다. ) [청구항 30] 제 1 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 정공수송층이 상기 발광층접합하고 있는유기 전기발광 소자. [청구항 31] 제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 재료가, ir, pt, os, cu, ru, re, au로부터 선택되는 금속을 함유하는 금속 착체화합물인유기 전기발광 소자. [청구항 32] 제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 재료에 있어서, 중심 금속 원자와 배위자에 포함되는 탄소 원자가 오쏘메탈결합하고 있는유기 전기발광 소자. [청구항 33] 제 1 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 호스트 재료의 여기 3중항 에너지 갭이 2.0ev 이상이하인유기 전기발광 소자. [청구항 34] 제 1 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 음극과 상기 유기 박막층의 계면 영역에 환원성 도펀트첨가되어 있는유기 전기발광 소자. [청구항 35] 제 1 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광층과 상기 음극 사이에 전자주입층을 갖고, 상기 전자주입층이 함질소환 유도체를 주성분함유하는유기 전기발광 소자.