정전 편향기를 포함하는 하전 입자 광학 시스템 document_id 1020117028573

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 상당 부분은 상기 통과 윈도우에서 상기 빔의 피치의 수배만큼 상기 제 1 방향연장되는,하전 입자 광학 시스템. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,향기는 웨이퍼 상의 필드와 같이, 상기 타겟의 상기 표면 내의 세부 영역 위에서 빔렛을 상기 제 1 방향에 대해 횡방향편향시키는,하전 입자 광학 시스템. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,향기는 상기 시스템의 최종 라이팅 투사실시하기 위한스캐닝 편향기인, 하전 입자 광학 시스템. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 통과 윈도우는 상기 스트립에 수직한 방향의 폭을 가지고, 상기 전극들 사이에 전위차를 세팅할 때 상기 수직한 방향으로 전기장이 발생되고, 상기 스트립들은 세 개의 서로 수직한 방향으로 높이, 폭 및 측 방향을 가지며, 상기 스트립의높이는상기 통과 윈도우의 폭보다 큰, 하전 입자 광학 시스템. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 제 1 및 제 3 스트립을 포함하고, 상기 제 2 전극은 제 2 및 제 4 스트립포함하며,통과 윈도우는 상기 제 1 및 제 2 스트립 사이에 그리고 상기 제 3 및 제 4 스트립 사이에 있으며, 상기 제 2 및 제 3 스트립 사이의 도메인에는 통과 윈도우가 없는, 하전 입자 광학 시스템. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 도메인은 자유 공간포함되는,하전 입자 광학 시스템. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,각각의 전극은 평행하게 연장되는 복수의 스트립들을 포함하며, 상기 제 1 및 상기 제 2 전극의 스트립들은 전극의 서로 맞물린 쌍구성하는,하전 입자 광학 시스템. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,복수의 통과 윈도우는 상기 서로 맞물린 전극 사이에 있고, 각각의 통과 윈도우에서의 전기장의 배향동일한,하전 입자 광학 시스템. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 전극들 사이의 전기장은미만인,하전 입자 광학 시스템. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 전극들 사이의 전기장은미만인,하전 입자 광학 시스템. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 정전 편향기는 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 엣지 존을 포함하고, 상기 엣지 존은 상기 전기장과 동일한 배향의 전기장을 형성하기 위한 상기 전극들의 스트립을 포함하지만, 빔렛들가지는통과 윈도우가 없는,하전 입자 광학 시스템. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 정전 편향기로부터 상류 또는 하류에 포함된 제 2 정전 편향기를 더 포함하며, 상기 제 2 정전 편향기는 상기 제 1 편향기와는 다른 방향 또는 배향으로 상기 빔렛편향시키는,하전 입자 시스템. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 자립 전극은 코팅으로 덮혀서 전기적으로 실질적으로 균일한 표면제공하도록 하는,하전 입자 광학 시스템. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 코팅이 금속코팅인,하전 입자 광학 시스템. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,종단 저항이존재하는,하전 입자 광학 시스템. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,기계 포스트는 구멍 내에 또는 위에 놓여 있어서 하나 이상의 전극 또는 전극의 스트립을 기계적지지하는,하전 입자 광학 시스템. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,및 제 2 전극으로 반대 극성의 전압을 제공하는 단계포함하는,용도. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 반대 극성의 전압nan은크기동일하고미만인,용도. [청구항 21] 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,상기 전압은 0 내지 10 mhz 범위의 주파수제공되는,용도. [청구항 22] 제 18 항에 있어서,상기 빔렛은 위치설정 기간에서 출발 위치에 위치하고, 라이팅 기간에서 출발 위치편향되는,용도. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,스캐닝 주파수는 무선 주파수(rf) 범위에 있고,- 상기 빔렛은 각각의 스캐닝 기간에서 동일한 배향으로 편향되며;- 각각의 빔렛은 상기 전기장의 작용 하에서 편향되고, 상기 전기장은 각 빔렛에 대해동일하게배향되어있으며,- 상기 위치설정 기간은 상기 라이팅 기간보다 짧은,용도.