반사 구조를 갖는 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법 document_id 1020117029372

[청구항 1] 발광 다이오드로서, 제1 및 제2 대향면들을 가지며, 상기 대향면들 내에 n-타입층 및 p-타입층을 포함하는 다이오드 영역 상기 p-타입층과 오옴 접촉하며 상기 제1 면 상에서 연장되는, 애노드 콘택 상기 애노드 콘택 바깥의 상기 제1 면 상에서 연장되는 투명 절연층; 및 상기 n-타입층과 전기적으로 접촉하며, 상기 투명 절연층을 통해, 그리고, 상기 애노드 콘택의 바깥에 있는 상기 투명 절연층 상에서 연장되어, 상기 애노드 콘택 바깥에 있는 상기 제1 면의 실질적 전부를 반사 캐소드 콘택으로 피복하는 반사 캐소드 콘택 을 포함하는 발광 다이오드 [청구항 2] 제1항에 있어서,투명 절연층은 또한, 상기 애노드 콘택 상에서 연장되고, 상기 반사 캐소드 콘택은 또한 상기 애노드 콘택 상에 있는 상기 투명 절연층 상에서 연장되어, 상기 애노드 콘택 바깥에 있는 상기 제1 면의 실질적 전부를 상기 반사 캐소드 콘택으로 피복하고, 또한 상기 애노드 콘택의 적어도 일부를 상기 반사 캐소드 콘택피복하는,발광 다이오드. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제1 면 내로 연장되어 상기 n-타입층을 노출시키는 비아(via)를 더 포함하고, 상기 투명 절연층은 상기 비아 내로 연장되며, 상기 반사 캐소드 콘택은 또한, 상기 투명 절연층 상에서 상기 비아 내로 연장되어, 상기 비아에서 노출되어 있는 상기 n-타입층과 전기적접촉하는,발광 다이오드. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 애노드 콘택은, 상기 p-타입층과 오옴 접촉하고 상기 제1 면 상에서 연장되는 반사 애노드 콘택포함하는,발광 다이오드. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 반사 애노드 콘택은 측벽(sidewall)을 포함하고, 상기 발광 다이오드는, 상기 측벽을 포함한 상기 반사 애노드 콘택 상에 배리어층더 포함하는,발광 다이오드. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 애노드 콘택은, 상기 p-타입층과 오옴 접촉하고 상기 제1 면 상에서 연장되는 투명 애노드 콘택포함하는,발광 다이오드. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 투명 애노드 콘택의 일부 상에 전류 확산층더 포함하는,발광 다이오드. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 투명 절연층은 상기 투명 애노드 콘택 상에서 연장되고, 상기 반사 캐소드 콘택은 또한, 상기 투명 애노드 콘택 상에 있는 상기 투명 절연층 상에서 연장되어, 상기 투명 애노드 콘택의 적어도 일부를 상기 반사 캐소드 콘택피복하는,발광 다이오드. [청구항 9] 제7항에 있어서,상기 투명 절연층은 상기 일부의 바깥의 투명 애노드 콘택 상에서 연장되고, 상기 반사 캐소드 콘택은 또한, 상기 일부의 바깥의 상기 투명 애노드 콘택 상에 있는 상기 투명 절연층 상에서 연장되어, 상기 일부의 바깥의 투명 애노드 콘택을 상기 반사 캐소드 콘택피복하는,발광 다이오드. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 애노드 콘택에 전기적으로 접속된 애노드 패드;상기 반사 캐소드 콘택에 전기적으로 접속된 캐소드 패드를 더 포함하고,상기 애노드 및 캐소드 패드들은, 그들 사이에 갭을 정의하도록 서로 조밀 이격되어 상기 제1 면 상연장되는,발광 다이오드. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 애노드 패드 및 캐소드 패드 양자 모두는, 상기 반사 애노드 콘택 상에서 연장되며, 상기 반사 애노드 콘택은 상기 갭에 대응하는 파쇄부(break)를 그 내부에 포함하고,상기 발광 다이오드는, 상기 애노드 패드 및/또는 캐소드 패드로부터 절연되어 있고 상기 파쇄부를 가로질러 연장되는 반사층더 포함하는,발광 다이오드. [청구항 12] 제10항에 있어서,장착 기판을 더 포함하고, 상기 발광 다이오드는, 상기 애노드 및 캐소드 패드가 상기 장착 기판에 인접하도록 하고 상기 다이오드 영역은 상기 장착 기판으로부터 멀리 있도록 하여, 상기 장착 기판 상에서 플립-칩장착되는,발광 다이오드. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 제2면 상에 투명 기판더 포함하는,발광 다이오드. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 투명 기판은, 상기 다이오드 영역으로부터 멀리 있는 외측면(outer face)을 포함하고, 상기 외측면은 상기 발광 다이오드에 대한 배향 표시자(orientation indicator)를 제공하도록 그 제2 부분이 아닌 그제1부분텍스쳐링되는,발광 다이오드. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 다이오드 영역은 iii족 질화물을 포함하고,상기 투명 절연층은 실리콘 이산화물을 포함하며,상기 반사 캐소드 콘택은 알루미늄포함하는,발광 다이오드 [청구항 16] 제4항에 있어서,상기 다이오드 영역은 iii족 질화물을 포함하고,상기 투명 절연층은 실리콘 이산화물을 포함하며,상기 반사 캐소드 콘택은 알루미늄을 포함하고,상기 반사 애노드 콘택은 니켈 및 은포함하는,발광 다이오드. [청구항 17] 제6항에 있어서,상기 다이오드 영역은 iii족 질화물을 포함하고,상기 투명 절연층은 실리콘 이산화물을 포함하며,상기 반사 캐소드 콘택은 알루미늄을 포함하고,상기 투명 애노드 콘택은 인듐 주석 산화물포함하는,발광 다이오드. [청구항 18] 제12항에 있어서,상기 다이오드 영역은 iii족 질화물을 포함하고,상기 투명 절연층은 실리콘 이산화물을 포함하며,상기 반사 캐소드 콘택은 알루미늄을 포함하고,상기 투명 기판은 실리콘 탄화물포함하는,발광 다이오드. [청구항 19] 제10항에 있어서,상기 반사 캐소드 콘택은 또한, 상기 애노드 및 캐소드 패드들에 대한 도금 씨드층을 제공하고, 상기 애노드 및 캐소드 패드들은 상기 씨드층 상의 도금된 애노드 및 캐소드 패드들인,발광 다이오드. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 반사 캐소드 콘택은 상기 n-타입층과 직접 오옴접촉하는,발광 다이오드. [청구항 21] 제1항에 있어서,상기n-타입층과 직접 오옴 접촉하는 오옴 콘택을 더 포함하고, 상기 반사 캐소드 콘택은 오옴 콘택상에 있는,발광 다이오드. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 다이오드 영역은 iii족 질화물을 포함하고,상기 투명 절연층은 실리콘 이산화물을 포함하며,상기 오옴 콘택은 티타늄을 포함하고,상기 반사 애노드 콘택은 니켈 및 은포함하는,발광 다이오드. [청구항 23] 제16항에 있어서,상기 제2 면 상에 실리콘 탄화물을 포함하는 투명 기판더 포함하는,발광 다이오드. [청구항 24] 제1항에 있어서,상기 투명 절연층은 복수의 투명 부층포함하는,발광 다이오드. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 반사 구조는 상기 제1 면의 면적의 적어도 90%로부터 나온 광을 다시 상기 제1 면반사하는,발광 다이오드. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 반사 구조는 입사하는 광의 적어도 90%를 다시상기제1면반사하도록구성된,발광 다이오드. [청구항 28] 제25항에 있어서,상기 반사 구조는, 상기 p-타입층과 오옴 접촉하는 애노드 콘택의 반사 표면, 상기 캐소드 콘택의 반사 표면, 및 상기 p-타입층과 오옴 접촉하는 애노드 콘택의 반사 표면과 상기 캐소드 콘택의 반사 표면 사이에서 연장되는 상기 캐소드 콘택의 연장부의 반사 표면포함하는,발광 다이오드. [청구항 29] 제28항에 있어서,측벽을 포함한 애노드 콘택 상에 배리어 층을 더 포함하며, 상기 반사 구조는, 상기 애노드 콘택의 측벽 상의 상기 배리어 층에 의해 흡수되는 광을 제외하고는, 상기 제1 면으로부터 나오는 실질적으로 모든 광을 다시 상기 제1 면반사하는,발광 다이오드. [청구항 30] 제25항에 있어서,상기 애노드 콘택은 투명하고, 상기 반사 구조는, 상기 n-타입층과 오옴 접촉하는 상기 캐소드 콘택의 반사 표면과, 상기 투명 애노드 콘택 상에서 연장되는 상기 캐소드 콘택의 연장부의 반사 표면포함하는,발광 다이오드. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 투명 애노드 콘택 상에 전류 확산층을 더 포함하고, 상기 반사 구조는, 상기 투명 애노드 콘택 상의 상기 전류 확산층에 의해 흡수되는 광을 제외하고는, 상기 제1 면으로부터 나오는 모든 광을 다시 상기 제1 면반사하는,발광 다이오드. [청구항 32] 제25항에 있어서,상기 애노드 콘택에 전기적으로 접속된 애노드 패드; 및상기 반사 캐소드 콘택에 전기적으로 접속된 캐소드 패드를 더 포함하고,상기 애노드 및 캐소드 패드들은, 그들 사이에 갭을 정의하도록 서로 조밀 이격되어 상기 제1 면 상연장되는,발광 다이오드. [청구항 33] 제32항에 있어서,장착 기판을 더 포함하고, 상기 발광 다이오드는, 상기 애노드 및 캐소드 패드가 상기 장착 기판에 인접하도록 하고 상기 다이오드 영역은 상기 장착 기판으로부터 멀리 있도록 하여, 상기 장착 기판 상에서 플립-칩장착되는,발광 다이오드. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 반사 애노드 콘택은, 상기 p-타입층과 오옴 접촉하고 상기 제1 면 상에서 연장되는 반사층과, 측벽을 포함한 상기 반사층 상의 배리어 층포함하는,발광 다이오드. [청구항 36] 제34항에 있어서,상기 반사 캐소드 콘택은,상기 애노드 콘택 바깥의 상기 제1 면 상에서 연장되는 투명 절연층; 및상기 n-타입층과 전기적으로 접촉하고, 상기 투명 절연층을 통해, 그리고, 상기 애노드 콘택 바깥에 있는 상기 투명 절연층 상에서 연장되는 반사층포함하는,발광 다이오드. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 투명 절연층은 또한, 상기 애노드 콘택 상에서 연장되고, 상기 반사층은 또한, 상기 애노드 콘택 상에 있는 상기 투명 절연층 상연장되는,발광 다이오드. [청구항 38] 제36항에 있어서,상기 제1 면 내로 연장되어 상기 n-타입층을 노출시키는 비아를 더 포함하고, 상기 투명 절연층은 상기 비아 내로 연장되며, 상기 반사층은 또한 상기 투명 절연층 상에서 상기 비아 내로 연장되어, 상기 비아에서 노출되어 있는 상기 n-타입층과 전기적접촉하는,발광 다이오드. [청구항 39] 발광 다이오드로서, 제1 및 제2 대향면들을 가지며, 상기 대향면들 내에 n-타입층 및 p-타입층을 포함하고, 다이오드 영역 상기 p-타입층과 오옴 접촉하며 상기 제1 면 상에서 연장되는 투명 애노드 콘택 상기 n-타입층과 오옴 접촉하며 상기 제1 면 상에서 연장되는 투명 캐소드 콘택 상기 투명 애노드 콘택과 상기 투명 캐소드 콘택을 포함하는 상기 제1 면 상에서 연장되는 투명 절연층; 및 상기 투명 절연층 상에 있으며, 상기 제1 면을 실질적으로 피복하는 반사층 을 포함하는, 발광 다이오드 [청구항 40] 제39항에 있어서,상기 투명 애노드 콘택과 상기 반사층 사이에, 그리고 상기 투명 캐소드 콘택과 상기 반사층 사이에, 전류 확산층더 포함하는,발광 다이오드. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기 반사층은 제1 및 제2 부분을 포함하고, 상기 투명 애노드 콘택과 상기 반사층 사이의 상기 전류 확산층은 상기 애노드 콘택을 상기 제1 부분에 전기적으로 접속하고, 상기 투명 캐소드 콘택과 상기 반사층 사이의 상기 전류 확산층은, 상기 투명 캐소드 콘택을 상기 제2 부분에 전기적접속하는,발광 다이오드. [청구항 42] 제39항에 있어서,상기 투명 애노드 콘택 및 상기 투명 캐소드 콘택 양자 모두는, 인듐 주석 산화물을 포함하고, 상기 투명 절연층은, 인듐 주석 산화물보다 낮은 굴절 계수를 갖는 재료포함하는,발광 다이오드. [청구항 43] 제39항에 있어서,상기 다이오드 영역과 대략 동일한 굴절 계수를 갖는 투명 기판을 상기 제2 면 상더 포함하는,발광 다이오드. [청구항 44] 제39항에 있어서,상기 투명 애노드 콘택 및 상기 투명 캐소드 콘택 양자 모두는, 투명 전도성 금속 산화물을 포함하고, 상기 반사층은, 상기 제1 면이 원소 금속(elemental metal)과 직접 접촉하지 않도록 상기 제1 면으로부터 이격된 원소 금속층포함하는,발광 다이오드.