상이한 스위칭 임계값을 갖는 진성 다이오드에 의한 스위칭 가능한 접합 document_id 1020117030803

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전도성 재료 및 상기 제 2 전도성 재료는 금(gold), 은(silver), 알루미늄(aluminum), 구리(copper), 백금(platinum), 팔라듐(palladium), 루테늄(ruthenium), 로듐(rhodium), 오스뮴(osmium), 텅스텐(tungsten), 몰리브덴(molybdenum), 탄탈룸(tantalum), 니오븀(niobium), 코발트(cobalt), 니켈(nickel), 철(iron), 크롬(chromium), 바나듐(vanadium), 티타늄(titanium), 이리듐(iridium), 이리듐 산화물(iridium oxide), 루테늄 산화물(ruthenium oxide), 티타늄 질화물(titanium nitride), 및 티타늄 탄화물(titanium carbide)을 포함하는 그룹으로부터 선택된 재료형성된스위칭 가능 접합체. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 멤리스티브 매트릭스는 티타늄 이산화물(titanium dioxide), 지르코늄 이산화물(zirconium dioxide), 하프늄 이산화물(hafnium dioxide), 탄탈룸 산화물(tantalum oxide), 바나듐 산화물(vanadium oxide), 몰리브덴 산화물(molybdenum oxide), 스트론튬 티타늄 3산화물(strontium titanium trioxide), 갈륨 질화물(gallium nitride) 또는 구리 염화물(copper chloride)을 포함하는 재료형성되는스위칭 가능 접합체. [청구항 4] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 멤리스티브 매트릭스의 재료는 산소 공공(oxygen vacancies), 질소 공공(nitrogen vacancies), 염소 공공(chlorine vacancies) 또는 황화 이온(sulfide ions)을 포함하는 이동 도펀트포함하는스위칭 가능 접합체. [청구항 5] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 2 정류 다이오드 인터페이스를 스위칭하지 않고 상기 제 1 정류 다이오드 인터페이스를 스위칭하도록 전압이상기제1전극및상기제2전극사이인가되는것을가능하게하도록 상기 제 1 스위칭 임계값이 상기 제 2 스위칭 임계값보다 작은스위칭 가능 접합체. [청구항 7] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,크로스바 배열체(cross bar array)를 형성하도록 정렬된 복수의 스위칭 가능 접합체더 포함하는스위칭 가능 접합체. [청구항 8] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 스위칭 가능 접합체는 크로스바 배열 내의 두 나노와이어들 사이에 스위칭 가능한전기연결형성하도록구성된스위칭 가능 접합체. [청구항 9] 제 4 항에 있어서,상기 이동 도펀트는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 걸친 프로그래밍 전압의 인가에 의해 상기 멤리스티브 매트릭스를 통하여 이동되도록 구성되며, 상기 이동 도펀트는 전기적 인터페이스의 프로그래밍 가능한 전도도를 정의하는 이동 도펀트 분포갖는스위칭 가능 접합체. [청구항 10] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나는 접지에 연결되고, 스위칭 전압 및 판독 전압 중 하나는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 다른 하나인가되는스위칭 가능 접합체. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 고정 전압은접지인스위칭 가능 접합체. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,상기 선택된 전압은 상기 제 1 스위칭 임계값보다 크고 상기 제 2 스위칭 임계값보다 작은 레벨갖는스위칭 가능 접합체. [청구항 14] 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 스위칭 가능 접합체는 크로스바 배열 내의 두 나노와이어들 사이에 스위칭 가능한전기적연결형성하도록구성된스위칭 가능 접합체. [청구항 15] 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이동 도펀트는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 걸친 프로그래밍 전압의 인가에 의해 멤리스티브 매트릭스를 통하여 이동되도록 구성되며, 상기 이동 도펀트는 전기적 인터페이스의 프로그래밍 가능한 전도도를 정의하는 이동 도펀트 분포갖는스위칭 가능 접합체. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 멤리스티브 매트릭스는, 티타늄 이산화물(titanium dioxide), 지르코늄 이산화물(zirconium dioxide), 하프늄 이산화물(hafnium dioxide), 탄탈룸 산화물(tantalum oxide), 바나듐 산화물(vanadium oxide), 몰리브덴 산화물(molybdenum oxide), 스트론튬 티타늄 3산화물(strontium titanium trioxide), 갈륨 질화물(gallium nitride) 또는 구리 염화물(copper chloride)을 포함하는 재료형성되는나노와이어 크로스바 배열체. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 이동 도펀트는 산소 공공(oxygen vacancies), 질소 공공(nitrogen vacancies), 염소 공공(chlorine vacancies) 또는 황화 이온포함하는나노와이어 크로스바 배열체. [청구항 19] 제 16 항에 있어서,상기 이동 도펀트는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 걸친 프로그래밍 전압의 인가에 의해 상기 멤리스티브 매트릭스를 통하여 이동되도록 구성되며, 상기 이동 도펀트는 전기적 인터페이스의 프로그래밍 가능한 전도도를 정의하는 이동 도펀트 분포갖는나노와이어 크로스바 배열체. [청구항 20] 제 16 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나는 접지에 연결되고, 스위칭 전압 및 판독 전압 중 하나는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 다른 하나인가되는나노와이어 크로스바 배열체.