반도체 소자의 배선 구조체 및 제조 방법 document_id 1020120014459

[청구항 26] 반도체 기판 상의 제1절연층 상에 형성된 제2금속 배선들 상기 제2금속 배선들 측벽을 덮는 제1금속 실리사이드(silicide)층을 포함하는 측벽 보호층 상기 제2금속 배선들의 상측 표면을 덮는 상측 보호층; 및 상기 제2금속 배선들 사이에 에어 갭(air gap)을 가지고 상기 상측 보호층을 덮는 제2절연층을 포함하는 반도체 소자의 배선 구조체 [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 제1절연층을 관통하여 상기 반도체 기판 및 상기 제2금속 배선을 연결하는 연결 콘택더 포함하는반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 28] 제26항에 있어서,상기 제1절연층과 상기 제2금속 배선의 계면에 코발트(co)를 포함하는 층으로 도입된 바닥 장벽층더 포함하는반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 코발트(co)를 포함하는 층은 코발트포함하는반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 30] 제26항에 있어서,상기 제2금속 배선들은 구리포함하는반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 31] 제26항에 있어서,상기 제1금속 실리사이드층은 상기 구리(cu)층의 구리 원자의 이동을 억제하는 코발트 실리사이드포함하는반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 32] 제26항에 있어서,상기 제1금속 실리사이드층은 상기 구리(cu)층의 구리 원자의 이동을 억제하는 탄탈륨 실리사이드포함하는반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 33] 제26항에 있어서,상기 상측 보호층은코발트층 또는 코발트(co)를 포함하는 합금층포함하는반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 34] 제26항에 있어서,상기 제2절연층은 상기 제2금속 배선들 사이에 상기 에어 갭이 공극으로 유발하게 화학기상증착(cvd)된 실리콘 산화물층 또는 실리콘 질화물층포함하는반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 제2금속 배선은상기 제2절연층에 상기 에어 갭을 유도하기 위해 상측 단부의 폭이 하측 단부의 폭보다 넓게 경사진 측벽형성된반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 36] 반도체 기판 상의 제1절연층 상에 형성된 구리(cu) 배선들 상기 구리 배선들 측벽을 덮는 코발트 실리사이드(cobalt silicide)층을 포함하는 측벽 보호층 상기 구리 배선들의 상측 표면을 덮는 상측 보호층; 및 상기 구리 배선들 사이에 에어 갭(air gap)을 가지고 상기 상측 보호층을 덮는 제2절연층을 포함하는 반도체 소자의 배선 구조체 [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 제1절연층과 상기 구리 배선의 계면에 코발트(co)층을 포함하여 도입된 바닥 장벽층더 포함하는반도체 소자의 배선 구조체. [청구항 38] 제36항에 있어서,상기 구리 배선은 비트 라인인반도체 소자의 배선 구조체.