두꺼운 트렌치 바텀 산화물을 구비하는 모스펫 장치 document_id 1020120025107

[청구항 1] 에피택셜층(epitaxial layer)의 제1 트렌치 내에 배열된 제1 트렌치 산화물로서, 상기 제1 트렌치 산화물의 게이트 부분 아래에 배열된 트렌치 바텀 산화물(trench bottom oxide)을 구비하는 상기 제1 트렌치 산화물; 및 상기 제1 트렌치 산화물의 상기 트렌치 바텀 산화물 부분이 상기 에피택셜층 내에서의 상기 제1 트렌치로부터 제2 트렌치까지 거리보다 큰 두께를 가지는, 상기 제1 트렌치의 측부에 배열된 상기 제2 트렌치 를 포함하는 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제2 트렌치는 트렌치 바텀 산화물을 포함하고, 상기 제1 트렌치 산화물의 상기 트렌치 바텀 산화물 및 상기 제2 트렌치 산화물의 트렌치 바텀 산화물이 집합적으로(collectively) 상기 에피택셜층을 전체 거리에 걸쳐 공핍(deplete)시키도록 구성된전하 밀도구비하는것을특징으로 하는장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제1 트렌치는 적어도 제1 모스펫(mosfet) 장치의 일부분을 정의하고, 상기 에피택셜층은, 상기 모스펫 장치가 오프 상태일 때 상기 제1 트렌치로부터 상기 제2 트렌치까지의 전체 거리를 따라공핍되는것을특징으로 하는장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제1 트렌치 산화물의 상기 트렌치 바텀 산화물의 두께는 상기 제1 트렌치로부터 상기 제2 트렌치까지의 거리의 2 배보다 큰 것특징으로 하는장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 트렌치 바텀 산화물 상부의 상기 제1 트렌치 내 및 상기 제1 트렌치 산화물의 상기 게이트 부분에 대하여 실질적으로 측부에 배열된 게이트 전극(gate electrode); 및상기 제1 트렌치 및 상기 제2 트렌치 하부에 배열된 드레인 콘택더 포함하는장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 에피택셜층 하부에 배열되며, 내부에 상기 제1 트렌치 산화물의 상기 트렌치 바텀 산화물의 적어도 일부가 배열된 기판더 포함하는장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 에피택셜층은 제1 도전형(conductive type)을 가지며,상기 장치는,상기 트렌치 바텀 산화물 상부의 상기 제1 트렌치 내에 배열되며, 상기 제1 트렌치 산화물의 상기 게이트 부분에 대하여 실질적으로 측부에 배열된 게이트 전극; 및상기 에피택셜층 상부에 배열되고, 상기 제1 트렌치 산화물의 상기 게이트 부분 및 상기 제2 트렌치 내에 배열된 제2 트렌치 산화물의 게이트 부분 사이에 배열되며, 상기 제1 도전형과 상이한 제2 도전형을 가지는 바디 영역(body region)을 더 포함하고, 상기 바디 영역은 상기 게이트 전극에 인가된 전압에 대응하여 상기 바디 영역 내에 채널(channel)이 형성될 때, 상기 바디 영역으로부터 상기 에피택셜층으로 전류를 전달하도록구성된것을특징으로 하는장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 트렌치 바텀 산화물이 쉴드 전극(shield electrode)을 포함하는 경우, 상기 트렌치 바텀 산화물은 게이트 커패시턴스보다 작은아웃풋커패시턴스가지는것을특징으로 하는장치. [청구항 9] 제1 게이트 전극의 중앙부 하부에 배열된 일부분을 구비하는 제1 트렌치 산화물 제2 게이트 전극 하부에 배열된 일부분을 구비하는 제2 트렌치 산화물; 및 상기 제1 트렌치 산화물로부터 상기 제2 트렌치 산화물까지 연장하는 일부분을 구비하는 에피택셜층을 포함하고, 상기 제1 트렌치 산화물의 상기 일부분은 상기 제1 트렌치 산화물로부터 상기 제2 트렌치 산화물까지 연장하는 상기 에피택셜층의 상기 일부분의 폭보다 큰 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 장치 [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 제1 트렌치 산화물 및 상기 제2 트렌치 산화물 사이에 배열된 바디 영역; 및 상기 에피택셜층 및 상기 바디 영역의 계면에 의해 정의되며, 이에 실질적으로 수직한 축을 따라 상기 제2 트렌치 산화물이 배열되는 정션더 포함하는장치. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 제1 트렌치 산화물의 상기 일부분의 두께는 상기 게이트 전극의 저면(bottom surface) 및 상기 제1 트렌치 산화물의 상기 일부분의 저면 사이이며, 상기 제1 트렌치 산화물의 상기 일부분은쉴드전극을제외하는것을특징으로 하는장치. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 제1 트렌치 산화물의 상기 일부분의 두께는 상기 에피택셜층의 상기 일부분의 폭의 2 배보다 큰 것특징으로 하는장치. [청구항 13] 제9항에 있어서,상기 제1 트렌치 산화물의 두께는 상기 에피택셜층의 상기 일부분의 폭의 3배보다 작은 것특징으로 하는장치. [청구항 14] 제9항에 있어서,상기 제1 트렌치 산화물의 상기 일부분은 상기 에피택셜층의 상기 일부분 내의 전하를 보상(offset)하도록구성된것을특징으로 하는장치. [청구항 15] 제9항에 있어서,상기 에피택셜층은 제1 도전형을 가지며,상기 장치는, 상기 에피택셜층 상부에 배열되고, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극 사이에 배열되며, 제2 도전형을 갖는 바디 영역을 더 포함하며, 상기 바디 영역은 활성화(activated)된 상기 제1 게이트 전극에 대응하여 상기 바디 영역 내에 채널이 형성될 때 상기 바디 영역으로부터 상기 에피택셜층으로 전류를 전달하도록구성된것을특징으로 하는장치.