소자분리막을 구비한 반도체 장치, 이를 구비한 전자장치 및 그 제조방법 document_id 1020120030529

[청구항 1] 트렌치에 매립된 소자분리막을 포함하는 반도체 장치로서, 상기 트렌치 저면 모서리에 형성된 완충막 상기 트렌치 표면에 형성되어 막내 상기 완충막을 포함하는 계면막 상기 계면막 상에 형성된 라이너막; 및 상기 라이너막 상에서 상기 트렌치를 갭필하는 갭필막 을 포함하는 반도체 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 계면막은 제1절연막과 제2절연막이 적층된 적층막을 포함하고, 상기 완충막은 상기 제1절연막과 상기 제2절연막 사이삽입된반도체 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제1절연막은 열산화법으로 형성된 산화막을 포함하고, 상기 제2절연막은 화학기상증착법으로 형성된 산화막을 포함하며, 상기 완충막은 질화막포함하는반도체 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 트렌치는 저면 모서리에 형성된 마이크로트렌치를 더 포함하고, 상기 완충막은 상기 마이크로트렌치매립하는반도체 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 계면막은 산화막을 포함하고, 상기 라이너막 및 상기 완충막은 질화막을 포함하며, 상기 갭필막은 스핀온절연막포함하는반도체 장치. [청구항 6] 제1트렌치 및 제2트렌치에 매립된 소자분리막을 포함하는 반도체 장치로서, 상기 제1트렌치 표면에 형성된 제1계면막, 상기 제1계면막 상에 형성되어 상기 제1트렌치를 갭필하는 제1갭필막을 포함하는 제1소자분리막; 및 상기 제2트렌치 저면 모서리에 형성된 완충막, 상기 제2트렌치 표면에 형성되어 막내 상기 완충막을 포함하는 제2계면막, 상기 제2계면막 상에 형성된 라이너막, 상기 라이너막 상에서 상기 제2트렌치를 갭필하는 제2갭필막을 포함하는 제2소자분리막 을 포함하는 반도체 장치 [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 기판은 셀영역과 주변회로영역을 갖고, 상기 셀영역에 상기 제1트렌치에 매립된 제1소자분리막이 위치하고, 상기 주변회로영역에 상기 제2트렌치에 매립된 제2소자분리막위치하며,상기 제1트렌치의 선폭보다 상기 제2트렌치의 선폭이 더 큰 반도체 장치. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 제2계면막은 제1절연막과 제2절연막이 적층된 적층막을 포함하고, 상기 완충막은 상기 제1절연막과 상기 제2절연막 사이삽입된반도체 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1계면막은 열산화법으로 형성된 산화막을 포함하고, 상기 제2계면막은 화학기상증착법으로 형성된 산화막을 포함하며, 상기 완충막은 질화막포함하는반도체 장치. [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 제2트렌치는 저면 모서리에 형성된 마이크로트렌치를 더 포함하고, 상기 완충막은 상기 마이크로트렌치매립하는반도체 장치. [청구항 11] 제6항에 있어서,상기 제1계면막은 산화막을 포함하고, 상기 제1갭필막은 질화막포함하는반도체 장치. [청구항 12] 제6항에 있어서,상기 제2계면막을 산화막을 포함하고, 상기 라이너막 및 상기 완충막은 질화막을 포함하며, 상기 제2갭필막은 스핀온절연막포함하는반도체 장치. [청구항 13] 트렌치에 매립된 소자분리막을 포함하는 반도체 장치로서, 상기 트렌치 표면에 형성되어 제1절연막과 제2절연막이 적층된 계면막 상기 제1절연막과 상기 제2절연막 사이에 삽입되어 상기 트렌치 저면 모서리에 형성된 완충막 상기 계면막 상에서 상기 트렌치의 하부영역을 매립하고, 상기 트렌치의 상부영역 측벽에 형성된 라이너막; 및 상기 라이너막 상에서 나머지 상기 트렌치를 갭필하는 갭필막 을 포함하는 반도체 장치 [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 트렌치는 저면 모서리에 형성된 마이크로트렌치를 더 포함하고, 상기 완충막은 상기 마이크로트렌치매립하는반도체 장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기제1 및 제2절연막은 산화막을 포함하고, 상기 라이너막 및 완충막은 질화막을 포함하며, 상기 갭필막은 스핀온절연막포함하는반도체 장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 제1절연막은 열산화법으로 형성된 산화막을 포함하고, 상기 제2절연막은 화학기상증착법으로 형성된 산화막포함하는반도체 장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 완충막을 형성하는 단계는, 상기 제2절연막을 전면식각하는반도체 장치 제조방법. . [청구항 26] 제1트렌치 및 상기 제1트렌치보다 큰 선폭을 갖는 제2트렌치에 매립된 소자분리막에 의하여 단위구성요소가 분리된 전자장치로서, 상기 제1트렌치 표면에 형성된 제1계면막, 상기 제1계면막 상에 형성되어 상기 제1트렌치를 갭필하는 제1갭필막을 포함하는 제1소자분리막; 및 상기 제2트렌치 저면 모서리에 형성된 완충막, 상기 제2트렌치 표면에 형성되어 막내 상기 완충막을 포함하는 제2계면막, 상기 제2계면막 상에 형성된 라이너막, 상기 라이너막 상에서 상기 제2트렌치를 갭필하는 제2갭필막을 포함하는 제2소자분리막 을 포함하는 전자장치