유기전자소자 document_id 1020120035104

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,정공 수송성 물질은 하기 화학식 1의 화합물인 유기전자소자:[화학식 1]상기 화학식 1에서, l1 및 l2는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기를 나타내고, m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, n과 m의 합은 1 내지 4의 정수이고, r1은 수소 원자; 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기를 나타내며,r2 및 r3는 각각 독립적으로, 수소 원자; 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로고리기를 나타내고,화학식 1에 대한 설명 중에서, 아릴렌기, 아릴기, 및 헤테로고리기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상치환되거나비치환된다. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기p형 도펀트는 p형 유기물 도펀트 및 p형 무기물 도펀트로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나이상인유기전자소자. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,유기물 도펀트는 하기 화학식 3 내지 6의 화합물, 헥사데카플루오로프탈로시아닌, 11,11,12,12-테트라시아노나프토-2,6-퀴노디메탄, 3,6-디플루오로-2,5,7,7,8,8-헥사시아노-퀴노디메탄 및 테트라시아노퀴노디메탄으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나이상인유기전자소자: [화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6]상기 화학식 3에서,r은 시아노기, 설폰기, 설폭사이드기, 설폰아미드기, 설포네이트기, 니트로기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,무기물 도펀트는 금속산화물 및 금속 할라이드로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나이상인유기전자소자. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,무기물 도펀트는 moo3, v2o5, wo3, sno2, zno, mno2, coo2, reo3, tio2, fecl3, sbcl5 및 mgf2로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나이상인유기전자소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,제1 정공 수송성층의 두께는 800å 내지인유기전자소자. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,제1 정공 수송성층에도핑된p형 도펀트의 함량은, 정공 수송성 물질 100 중량부에 대하여, 0.5 내지 20 중량부인 유기전자소자. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,제1 정공 수송성층과 발광층 사이에 형성되는 제2 정공 수송성층더 포함하는유기전자소자. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,제2 정공 수송성층은 제2항에 따른 화학식 1의 화합물포함하는유기전자소자. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,제2 정공 수송성층은 p형 도펀트더 포함하는유기전자소자. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,제1 정공 수송성층에 도핑된 p형 도펀트의 함량 p1과, 제2 정공 수송성층에 도핑된 p형 도펀트의 함량 p2는 하기 수학식 2의 관계를 만족하는 유기전자소자:[수학식 2]p1/p2 ≥ 1상기 수학식 2에서,p1은 제1 정공 수송성층에서 정공 수송성 물질 100 중량부 대비 도핑된 p형 도펀트의 함량이고,p2는 제2 정공 수송성층에서 정공 수송성 물질 100 중량부 대비도핑된p형 도펀트의 함량이다. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,제2 정공 수송성층에 도핑된 p형 도펀트는 p형 유기물 도펀트 및 p형 무기물 도펀트로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나이상인유기전자소자. [청구항 14] 제 9 항에 있어서,제2 정공 수송성층의 두께는 250 내지인유기전자소자. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,제1 전극과 제1 정공 수송성층 사이에 형성되며, p형 도펀트로 이루어진 도펀트층더 포함하는유기전자소자. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,펀트층의 두께는 5 내지인유기전자소자. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,제1 전극과 발광층 사이에 발광층과 접하도록 형성된 제1 차단층; 및 제2 전극과 발광층 사이에 발광층과 접하도록 형성된 제2 차단층 중 하나 이상더 포함하는유기전자소자. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,제1 차단층과 제2 차단층의 두께는 각각 독립적으로 10 내지인유기전자소자. [청구항 19] 제 17 항에 있어서,제1 차단층은 정공 수송성 물질을 포함하며, 상기 정공 수송성 물질은 제2항에 따른 화학식 1의 구조포함하는유기전자소자. [청구항 20] 제 17 항에 있어서,제1 차단층은 p형 도펀트더 포함하는유기전자소자. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,제1 전극을 기준으로 발광층이 형성된 방향으로, 제1 전극과 접하도록 형성된 평탄화층더 포함하는유기전자소자. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,평탄화층은 정공 수송성 물질을 포함하며, 상기 정공 수송성 물질은 제2항에 따른 화학식 1의 구조포함하는유기전자소자. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,평탄화층은 p형 유기반도체 물질더 포함하는유기전자소자. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,평탄화층에포함된p형 유기반도체 물질의 함량은, 정공 수송성 물질 100 중량부에 대하여, 0.3 내지 10 중량부인 유기전자소자. [청구항 25] 제 21 항에 있어서,평탄화층의 두께는 50 내지인유기전자소자. [청구항 26] 제 1 항에 있어서,제1 전극이 기판의 반대편에 형성될 때, 제1 전극을 기준으로 발광층이 형성된 방향으로, 제1 전극과 접하도록 형성되며, 유기반도체 물질을 포함하는 보호층더 포함하는유기전자소자. [청구항 27] 제 1 항에 있어서,제1 전극은 ito, ag 및 ito가순차적층된구조로 이루어진유기전자소자. [청구항 28] 제 1 항에 있어서,제2 전극은 mg와 ag를 함유하는 합금포함하는유기전자소자. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 장치는 디스플레이 장치 또는 조명장치인전자장치.