문맥 (context)
[청구항 1]
절연 기판 상에 형성된 버퍼층과
상기 버퍼층 상에 형성된 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드와 스토리지 캐패시터와
상기 박막 트랜지스터를 구성하는, 상기 버퍼층 상에 형성되는 소스전극과, 화소전극과, 상기 화소전극 상에 형성되는 드레인전극과, 상기 소스전극 상에 형성되는 소스영역, 채널영역 및 상기 드레인 전극 상에 형성되는 드레인영역을 포함하는 반도체층과, 게이트절연막과, 게이트전극과
상기 캐패시터를 구성하는, 캐패시터 제 1, 제 2 전극과 제 1, 제 2 전극 사이에 형성되는 게이트절연막과
상기 유기발광다이오드를 구성하는 상기 화소전극 상에 형성되는 하부전극과 유기발광층과 상부전극
을 포함하며,
상기 화소전극은 상기 드레인 전극 및 하부전극 하부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 캐패시터 제 1 전극 및 소스전극은 제 1 금속층 및 제 2 금속층으로 형성되며, 상기 화소전극은 제 1 금속층, 상기 드레인전극은제2금속층형성되는것을특징으로 하는유기발광다이오드 표시장치.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층nan은다결정실리콘막형성되는것을특징으로 하는유기발광다이오드 표시장치.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 캐패시터 제 2 전극 및 게이트 전극nan은물질로이루어진것을특징으로 하는유기발광다이오드 표시장치.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 캐패시터 제 2 전극 및 게이트 전극 상에 보호층과 유기층과 스페이서더포함하는것을특징으로 하는유기발광다이오드 표시장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기발광다이오드 표시장치에서 화소전극은 박막 트랜지스터 및 유기발광다이오드와 어떠한 방식으로 전기적으로 연결되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation유기발광다이오드 표시장치에서 화소전극이 박막 트랜지스터 및 유기발광다이오드와 연결되는 구체적인 방식을 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 화소전극의 위치와 역할에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 화소전극은 상기 드레인 전극 및 하부전극 하부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 전기적으로 연결하는 것
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3근거 선택
evidence_selection화소전극이 드레인 전극 및 하부전극 하부에 형성되어 두 구성 요소를 연결한다는 핵심 구절을 선택한다.
- 상기 화소전극은 상기 드레인 전극 및 하부전극 하부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 전기적으로 연결
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4논리 통합
logical_integration화소전극이 드레인 전극(박막 트랜지스터 구성 요소)과 하부전극(유기발광다이오드 구성 요소)의 하부에 위치함으로써 전기적 연결 통로 역할을 수행함을 파악한다.
- 상기 화소전극은 상기 드레인 전극 및 하부전극 하부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 전기적으로 연결
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5결론 도출
conclusion_formulation화소전극이 드레인 전극 및 하부전극 하부에 형성되어 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 전기적으로 연결한다는 결론을 도출한다.
- 상기 화소전극은 상기 드레인 전극 및 하부전극 하부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 전기적으로 연결
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 문구로 답변을 생성한다.
- 상기 화소전극은 상기 드레인 전극 및 하부전극 하부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 전기적으로 연결
최종 답변 (final_answer)
상기 화소전극은 상기 드레인 전극 및 하부전극 하부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 전기적으로 연결한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 화소전극을 드레인 전극과 하부전극의 하부에 배치함으로써 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드 사이의 전기적 연결을 구현하는 구조를 특징으로 한다.