산화물 박막트랜지스터 및 그 제조방법 document_id 1020120054425

[청구항 8] 기판 상에 형성된 게이트 전극과 상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판 위에 형성된 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극에 대응하여 형성된 액티브층과 상기 액티브층의 위로 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인 전극과 상기 게이트 절연막과 상기 소스 및 드레인 전극 간, 상기 액티브층과 상기 소스 및 드레인 전극 간 그리고 상기 소스 및 드레인 전극의 표면에 형성된 확산방지막을 포함하는 산화물 박막트랜지스터를 포함한 표시장치 [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 구리(cu), 알루미늄(al), 은(ag) 및 티타늄(ti)으로 구성된 금속그룹으로부터 선택된 금속에 칼슘(ca), mg(마그네슘), 아연(zn), 티타늄(ti), 몰리브덴(mo), 니켈(ni), 지르코늄(zr), 카드뮴(cd), 금(au), 은(ag), 코발트(co), 인(in), 탄탈(ta), 하프늄(hf), 텅스텐(w) 및 크롬(cr) 중 하나 이상이 포함된 합금금속으로 이루어지는 산화물 박막트랜지스터포함한표시장치. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 액티브층의 위로 상기 액티브층과 중첩되어 형성되는 에치스토퍼층을 더 포함하고, 상기 확산방지막은 상기 에치스토퍼층과 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 더 형성되는 산화물 박막트랜지스터포함한표시장치. [청구항 11] 제 9항에 있어서,상기 액티브층은 a-igzo(amorphous-indium gallium zinc oxide) 또는 비정질 산화물 반도체(amorphous oxide semiconductor:aos)로 형성된 산화물 박막트랜지스터포함한표시장치. [청구항 12] 기판 상에 형성된 게이트 전극과 상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판 위에 형성된 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극에 대응하여 형성된 액티브층과 상기 액티브층이 형성된 기판 위에 형성된 확산방지막과 상기 확산방지막을 통해 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역과 전기적으로 접속하는 소스 및 드레인 전극과 상기 확산방지막은 적어도 상기 게이트 절연막의 일부 표면 및 액티브층의 일부 표면에 형성되며, 상기 액티브층과 동일 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시장치 [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 액티브층의 위로 상기 액티브층과 중첩되어 형성되는 에치스토퍼층을 포함하고, 상기 확산방지막은상기에치스토퍼층과상기소스및드레인 전극사이더형성되는것을특징으로 하는표시장치. [청구항 14] 제 12항에 있어서,상기제 1 및 제2금속물질은 구리(cu), 알루미늄(al), 은(ag) 및 티타늄(ti)으로 구성된 금속그룹으로부터 선택된 금속에 칼슘(ca), mg(마그네슘), 아연(zn), 티타늄(ti), 몰리브덴(mo), 니켈(ni), 지르코늄(zr), 카드뮴(cd), 금(au), 은(ag), 코발트(co), 인(in), 탄탈(ta), 하프늄(hf), 텅스텐(w) 및 크롬(cr) 중 하나 이상이 포함된 합금금속인표시장치. [청구항 15] 제 12항에 있어서,상기 액티브층은 a-igzo(amorphous-indium gallium zinc oxide) 또는 비정질 산화물 반도체형성된표시장치.