문맥 (context)
[청구항 1]
기판 상에 형성된 게이트
상기 게이트의 양측에 형성된, 상승된(elevated) 소오스/드레인; 및
상기 상승된 소오스/드레인의 적어도 일부에 형성된 메탈 실리사이드를 포함하고,
상기 상승된 소오스/드레인은 상기 기판의 표면보다 돌출되어 상기 메탈 실리사이드의 양측을 감싸는 돌출부를 포함하는 반도체 장치
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 돌출부는 상기 기판의 표면으로부터 멀어질수록 폭지는반도체 장치.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 돌출부는 상기 메탈 실리사이드의 수직 길이의 1/2 이상감싸는반도체 장치.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 상승된 소오스/드레인의 표면의 적어도 일부에는, 상기 메탈 실리사이드가 미형성된반도체 장치.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 메탈 실리사이드는 뒤집어진 콘 형상포함하는반도체 장치.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 반도체 장치는 pmos 트랜지스터이고,상기 상승된 소오소/드레인 영역은 sige를 포함하고,상기 메탈 실리사이드는 뒤집어진 콘 형상포함하는반도체 장치.
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기 메탈 실리사이드는 뒤집어진 콘 형상의 바닥면(bottom surface)로부터 팁 영역으로 함몰된 함몰 영역더 포함하는반도체 장치.
[청구항 10]
제 7항에 있어서,상기 메탈 실리사이드는 xe 및 c 중 적어도 하나포함하는반도체 장치.
[청구항 11]
제 7항에 있어서,상기 메탈 실리사이드 상에 형성된 베리어층과, 상기 베리어층 상에 형성된 메탈 컨택을 더 포함하고,상기 메탈 실리사이드는 상기 베리어층의 일부의 주위둘러싸는반도체 장치.
[청구항 12]
제 1항에 있어서,상기 반도체 장치는 nmos 트랜지스터이고,상기 상승된 소오소/드레인 영역은 si를 포함하고,상기 메탈 실리사이드는 뒤집어진 콘 형상포함하는반도체 장치.
[청구항 13]
제 12항에 있어서,상기 메탈 실리사이드는 뒤집어진 콘 형상의 바닥면(bottom surface)으로부터 상측으로 돌출된 볼록 영역더 포함하고,상기 볼록 영역의 폭은 상기 바닥면의 폭보다 좁은 반도체 장치.
[청구항 14]
제 12항에 있어서,상기 메탈 실리사이드는 ge, xe 및 c 중 적어도 하나포함하는반도체 장치.
[청구항 15]
제1 영역과 제2 영역이 정의된 기판
상기 제1 영역에 형성된 pmos 트랜지스터로서, 제1 게이트와, 상기 제1 게이트의 양측에 형성된 제1 상승된 소오스/드레인과, 상기 제1 상승된 소오스/드레인 상에 형성되고 뒤집어진 콘 형상의 제1 메탈 실리사이드를 포함하는 pmos 트랜지스터; 및
상기 제2 영역에 형성된 nmos 트랜지스터로서, 제2 게이트와, 상기 제2 게이트의 양측에 형성된 제2 상승된 소오스/드레인과, 상기 제2 상승된 소오스/드레인 상에 형성되고 뒤집어진 콘 형상의 제2 메탈 실리사이드를 포함하는 nmos 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치
[청구항 16]
제 15항에 있어서,상기 제1 메탈 실리사이드와 상기 제2 메탈 실리사이드는 동일한 물질을 포함하고, 상기 동일한 물질은 ge, xe 및 c 중 적어도 하나포함하는반도체 장치.
[청구항 18]
제 15항에 있어서,상기 제1 상승된 소오스/드레인은 상기 기판의 표면보다 돌출되어 상기 제1 메탈 실리사이드의 양측을 감싸는 돌출부포함하는반도체 장치.
[청구항 19]
기판에 형성된 다수의 트랜지스터를 포함하는 sram 메모리 셀을 포함하되,
상기 다수의 트랜지스터 중 적어도 하나의 트랜지스터는
상기 기판 상에 형성된 게이트와, 상기 게이트의 양측에 형성된, 상승된(elevated) 소오스/드레인와, 상기 상승된 소오스/드레인의 적어도 일부에 형성된 메탈 실리사이드를 포함하고,
상기 상승된 소오스/드레인은 상기 기판의 표면보다 돌출되어 상기 메탈 실리사이드의 양측을 감싸는 돌출부를 포함하는 반도체 장치
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 모두 포함하는 반도체 장치에서, 각 트랜지스터의 메탈 실리사이드가 동일한 물질을 포함할 경우 해당 물질의 구성 성분은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationPMOS와 NMOS 트랜지스터가 모두 포함된 반도체 장치에서, 두 트랜지스터의 메탈 실리사이드가 동일한 물질일 경우 그 구성 성분을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 15항은 PMOS와 NMOS 트랜지스터를 모두 포함하는 반도체 장치를 정의하고 있으며, 청구항 16항은 두 메탈 실리사이드가 동일한 물질일 경우의 성분을 명시하고 있다.
- 상기 제1 메탈 실리사이드와 상기 제2 메탈 실리사이드는 동일한 물질을 포함하고, 상기 동일한 물질은 ge, xe 및 c 중 적어도 하나포함하는반도체 장치
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3근거 선택
evidence_selection두 메탈 실리사이드가 동일한 물질일 때의 성분을 직접적으로 언급한 청구항 16항의 구절을 선택한다.
- ge, xe 및 c 중 적어도 하나포함
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4논리 통합
logical_integration청구항 15항의 장치 구성과 청구항 16항의 물질 구성 조건을 결합하여 질문에 대한 답을 도출한다.
- 상기 제1 메탈 실리사이드와 상기 제2 메탈 실리사이드는 동일한 물질을 포함하고, 상기 동일한 물질은 ge, xe 및 c 중 적어도 하나포함
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5결론 도출
conclusion_formulation동일한 물질의 구성 성분은 ge, xe, c 중 적어도 하나임을 확인한다.
- ge, xe 및 c 중 적어도 하나포함
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 구성 성분을 리스트 형식으로 작성한다.
- ge, xe 및 c
최종 답변 (final_answer)
ge, xe, c
핵심 해석 (core_interpretation)
PMOS와 NMOS 트랜지스터가 공존하는 반도체 장치에서, 두 트랜지스터의 메탈 실리사이드가 동일한 물질로 구성될 경우 Ge, Xe, C 중 적어도 하나를 포함하여 공정의 일관성을 확보할 수 있음을 나타낸다.