산화물 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 구비한 표시장치용 어레이기판 그리고 그 제조방법 document_id 1020120055683

[청구항 1] 기판상에 형성된 게이트전극 상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 형성된 게이트 절연막 상기 게이트전극 상측의 게이트 절연막 상에 형성된 액티브층 상기 액티브층 상에 형성된 식각정지층패턴 상기 식각정지층패턴 상에 형성되고 서로 이격된 소스부 및 드레인부 상기 소스부와 상기 액티브층에 접촉된 소스전극과, 상기 드레인부와 상기 액티브층에 접촉된 드레인전극 을 포함하여 구성되는 박막트랜지스터 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 소스부 및 드레인부는상기액티브층상형성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 식각정지층패턴과 소스부 및 드레인부는동시형성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 소스부와 상기 식각정지층패턴 간의 오버랩되는 폭은 상기 드레인부와 상기 식각정지층패턴 간의 오버랩되는폭동일한것을특징으로 하는박막트랜지스터. [청구항 9] 기판상에 형성된 게이트전극 상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 형성된 게이트 절연막 상기 게이트전극 상측의 게이트 절연막 상에 형성된 액티브층 상기 액티브층 상에 형성된 식각정지층과 상기 식각정지층 상에 형성되고 서로 이격된 소스부 및 드레인부 상기 소스부 및 드레인부를 포함한 기판 전면에 형성되고, 상기 액티브층을 노출시키는 소스전극 콘택홀과 드레인전극 콘택홀 을 구비한 패시베이션막 상기 패시베이션막 상부에 형성되고, 상기 소스전극 콘택홀을 통해 상기 소스부와 상기 액티브층에 접촉된 소스전극과, 상기 드레인전극 콘택홀을 통해 상기 드레인부와 상기 액티브층에 접촉된 드레인전극; 및 상기 패시베이션막 상에 형성되고, 상기 드레인전극으로부터 연장된 다수의 분기된 화소전극과 이 화소전극과 이격된 다수의 분기된 공통전극 을 포함하여 구성되는 박막트랜지스터를 구비한 표시장치용 어레이기판 [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 소스부 및 드레인부는 상기 액티브층 상에만 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터구비한표시장치용 어레이기판. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 식각정지층패턴과 소스부 및 드레인부는 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터구비한표시장치용 어레이기판. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 소스부와 상기 식각정지층패턴 간의 오버랩되는 폭은 상기 드레인부와 상기 식각정지층패턴 간의 오버랩되는 폭과 동일한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터구비한표시장치용 어레이기판. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 소스부 및 드레인부는 상기 액티브층 상에만 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터구비한표시장치용 어레이기판 제조방법 [청구항 17] 기판상에 형성된 게이트전극 상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 형성된 게이트 절연막 상기 게이트전극 상측의 게이트 절연막 상에 형성된 액티브층 상기 액티브층 상에 형성된 식각정지층과 상기 식각정지층 상에 형성되고 서로 이격된 소스부 및 드레인부 상기 소스부와 상기 액티브층에 접촉된 소스전극과, 상기 드레인부와 상기 액티브층에 접촉된 드레인전극 및 이 드레인전극으로부터 연장된 대면적의 화소전극; 및 상기 소스전극과 드레인전극 및 화소전극을 포함한 기판 전면에 형성된 패시베이션막 상기 패시베이션막 상에 형성되고, 상기 드레인전극으로부터 연장된 화소전극과 대응하는 다수의 분기된 공통전극 을 포함하여 구성되는 박막트랜지스터를 구비한 표시장치용 어레이기판 [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 소스부 및 드레인부는 상기 액티브층 상에만 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터구비한표시장치용 어레이기판. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 식각정지층패턴과 소스부 및 드레인부는 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터구비한표시장치용 어레이기판. [청구항 20] 제17항에 있어서,상기 소스부와 상기 식각정지층패턴 간의 오버랩되는 폭은 상기 드레인부와 상기 식각정지층패턴 간의 오버랩되는 폭과 동일한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터구비한표시장치용 어레이기판.