문맥 (context)
[청구항 6]
베이스 기판
상기 베이스 기판 상에 제1 방향으로 연장된 게이트 라인
상기 게이트 라인으로부터 이격되어 형성된 게이트 전극
상기 게이트 라인 및 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층
상기 게이트 전극과 중첩되는 영역의 상기 게이트 절연층 상에 상기 게이트 전극의 형상과 대응하여 형성되며, 폴리 실리콘을 포함하는 액티브 패턴 및
상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극의 사이 영역과 대응되는 영역에 형성된 상기 베이스 기판, 상기 게이트 라인 및 게이트 전극의 일부를 각각 노출시키는 제1 콘택홀을 통해 상기 게이트 라인과 상기 게이트 전극을 전기적으로 연결하는 게이트 연결층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 게이트 전극은 장변 및 단변을 가지는 직사각형의 구조를 가지며, 상기 액티브 패턴은상기장변방향을채널방향으로하는것을특징으로 하는표시 기판.
[청구항 8]
제6항에 있어서,상기 게이트 전극은 양단에 제1 폭을 가지는 제1 게이트 전극부 및 상기 제1 게이트 전극부 사이에 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 가지는 제2 게이트 전극부를 포함하는 'h' 형태 또는 'i'형태의구조가지는것을특징으로 하는표시 기판.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 액티브 패턴은 상기 제1 방향을 채널 방향으로 가지며, 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 화소 전극과 전기적으로 연결되는 드레인 전극이 상기 제1 게이트 전극부에 대응하여 형성된액티브패턴의단부각각중첩하는것을특징으로 하는표시 기판.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 제1 콘택층은 상기 게이트 전극 양단의 제1 게이트 전극부의 일부를 노출하며, 상기 게이트 연결층은상기제1게이트 전극부및게이트 라인을전기적연결하는것을특징으로 하는표시 기판.
[청구항 11]
제8항에 있어서,상기 액티브 패턴은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향을 채널 방향으로 가지며, 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 화소 전극과 전기적으로 연결되는 드레인 전극이 상기 제1 게이트 전극부에 대응하여 형성된액티브패턴의단부각각중첩하는것을특징으로 하는표시 기판.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
게이트 전극이 제1 폭을 갖는 제1 게이트 전극부와 그 사이에 제2 폭을 갖는 제2 게이트 전극부를 포함하는 구조일 때, 액티브 패턴의 채널 방향이 제1 방향과 수직인 제2 방향인 경우 소스 전극 및 드레인 전극은 어느 부분에 중첩되어 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation게이트 전극이 제1 폭의 제1 게이트 전극부와 제2 폭의 제2 게이트 전극부로 구성된 구조에서, 채널 방향이 제2 방향(제1 방향과 수직)일 때 소스 및 드레인 전극의 중첩 위치를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 8은 게이트 전극이 제1 폭의 제1 게이트 전극부와 제2 폭의 제2 게이트 전극부를 포함함을 명시하고, 청구항 11은 액티브 패턴의 채널 방향이 제1 방향과 수직인 제2 방향인 경우를 정의한다.
- 상기 액티브 패턴은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향을 채널 방향으로 가지며
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3근거 선택
evidence_selection채널 방향이 제2 방향일 때 소스 및 드레인 전극의 위치를 설명하는 청구항 11의 구절을 선택한다.
- 소스 전극 및 화소 전극과 전기적으로 연결되는 드레인 전극이 상기 제1 게이트 전극부에 대응하여 형성된액티브패턴의단부각각중첩하는것을특징으로 하는표시 기판.
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4논리 통합
logical_integration청구항 11에 따르면, 채널 방향이 제2 방향인 경우에도 소스 전극과 드레인 전극은 제1 게이트 전극부에 대응하여 형성된 액티브 패턴의 단부 각각에 중첩된다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 중첩 위치는 '제1 게이트 전극부에 대응하여 형성된 액티브 패턴의 단부 각각'이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1 게이트 전극부에 대응하여 형성된 액티브 패턴의 단부 각각에 중첩되어 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
게이트 전극의 폭이 변하는 구조에서 액티브 패턴의 채널 방향(제1 방향 또는 제2 방향)에 관계없이 소스 및 드레인 전극은 제1 게이트 전극부에 대응하는 액티브 패턴의 양 끝단에 위치함을 나타낸다.