반도체 소자, 이를 포함하는 전자 시스템 및 제조 방법 document_id 1020120063201

[청구항 1] 워드 라인(word line)들; 상기 워드 라인들에 각각 접속되고 반도체 기판에 수직하게 삽입된 공통 게이트(gate)들 각각의 상기 공통 게이트를 공유하고 상기 워드 라인의 양측으로 배치된 두 개의 수직형 트랜지스터들; 및 상기 워드 라인들에 사선 방향으로 교차하고 상기 두 개의 상기 수직형 트랜지스터들 각각에 접속하는 매몰 비트 라인(buried bit line)들을 포함하는 반도체 소자 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 공통 게이트는 상호 간에 인접하는 네 개의 상기 공통 게이트들이 이루는 마름모 형상의 네 꼭지점들 중 어느 하나에 위치하여 상기 워드 라인연결된반도체 소자. [청구항 3] 워드 라인(word line)들; 상기 워드 라인들에 사선 방향으로 교차되는 가상선들과 상기 워드 라인들과의 교차점에서 상기 워드 라인들과 각각 접속되고 반도체 기판에 수직하게 삽입된 공통 게이트(gate)들 각각의 상기 공통 게이트를 공유하고 상기 워드 라인의 양측으로 배치된 두 개의 수직형 트랜지스터들을 포함하는 트랜지스터 블록(block)들; 및 상기 워드 라인들에 사선 방향으로 교차하고 상기 트랜지스터 블록에 속하는 두 개의 상기 수직형 트랜지스터들 각각에 접속하는 매몰 비트 라인(buried bit line)들을 포함하는 반도체 소자 [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 트랜지스터 블록들은상기 공통 게이트들 중 인접하는 네 개의 공통 게이트들이 마름모꼴 형상의 꼭지점들에 각각 위치하게 배열되어하나의 상기 트랜지스터 블록에 대해 다른 하나의 상기 트랜지스터 블록이사선방향위치하게배열된반도체 소자. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 매몰 비트 라인은 하나의 상기 트랜지스터 블록에 속하는 하나의 상기 수직형 트랜지스터에 접속하고 상기 하나의 트랜지스터 블록에 대해 사선 방향에 위치하는 다른 하나의 트랜지스터 블록에 속하는 다른 하나의 수직형 트랜지스터에 접속하도록 사선 방향연장되는반도체 소자. [청구항 6] 반도체 기판에 형성된 매몰 비트 라인(buried bit line)들 이웃하는 두 개의 상기 매몰 비트 라인들 각각에 하단부들이 각각 접촉하고 상호 마주보며 세워진 두 개의 수직한 액티브 필라(active pillar)들 상기 액티브 필라들 사이에 수직하게 삽입된 공통 게이트(gate); 및 상기 공통 게이트에 연결되고 상기 매몰 비트 라인들이 사선 방향으로 교차되는 워드 라인(word line)을 포함하는 반도체 소자 [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 액티브 필라(active pillar)는 상기 매몰 비트 라인과 연결되는 드레인 정션(drain junction)층; 상기 드레인 정션층 상측에 위치한 채널(channel)층; 및 상기 채널층 상측에 위치한 소스 정션포함하는반도체 소자. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 공통 게이트는 상기 채널층을 측면으로 중첩하는 깊이삽입된반도체 소자. [청구항 9] 제7항에 있어서,상기 공통 게이트는 상기 채널층의 측면을 지나 상기 드레인 정션층의 측면을 중첩하는 깊이삽입된반도체 소자. [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 액티브 필라들 각각의 상단부에 접속된 데이터(data) 저장부들더 포함하는반도체 소자. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 데이터 저장부는 커패시터포함하는반도체 소자. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 커패시터는 상기 액티브 필라의 하단부와 접촉하는 상기 매몰 비트 라인 부분 상에 중첩되는 위치배치된반도체 소자. [청구항 13] 반도체 기판에 형성된 매몰 비트 라인(buried bit line)들 이웃하는 두 개의 상기 매몰 비트 라인들 각각에 하단부들이 각각 접촉하고 상호 마주보며 세워진 두 개의 수직한 액티브 필라(active pillar)들, 및 상기 액티브 필라들 사이에 수직하게 삽입된 공통 게이트(gate)를 포함하는 트랜지스터 블록(block)들; 및 상기 매몰 비트 라인들이 사선 방향으로 교차되는 방향으로 이웃하여 위치하는 상기 트랜지스터 블록들 중 하나 건너 하나에 위치하는 두 개의 상기 트랜지스터 블록들의 공통 게이트들을 상호 연결하는 워드 라인(word line)들을 포함하는 반도체 소자 [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 액티브 필라(active pillar)는 상기 매몰 비트 라인과 연결되는 드레인 정션(drain junction)층; 상기 드레인 정션층 상측에 위치한 채널(channel)층; 및 상기 채널층 상측에 위치한 소스 정션포함하는반도체 소자. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 공통 게이트는 상기 채널층을 측면으로 중첩하는 깊이삽입된반도체 소자. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 공통 게이트는 상기 채널층의 측면을 지나 상기 드레인 정션층의 측면을 중첩하는 깊이삽입된반도체 소자. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기 액티브 필라의 소스 정션층은 상측에 배치된 커패시터연결된반도체 소자. [청구항 18] 제13항에 있어서,상기 공통 게이트는 상호 간에 인접하는 네 개의 상기 공통 게이트들이 이루는 마름모 형상의 네 꼭지점들 중 어느 하나에 위치하여 상기 워드 라인연결된반도체 소자. [청구항 19] 제13항에 있어서,상기 트랜지스터 블록(block)은이웃하는 다른 트랜지스터 블록과 상기 매몰 비트 라인이 연장되는 방향과 동일한 사선 방향위치하는반도체 소자. [청구항 20] 제13항에 있어서,상기 트랜지스터 블록(block)에 속한 상기 두 개의 액티브 필라들은상기 트랜지스터 블록(block)에 속한 상기 공통 게이트에 연결된 상기 워드 라인의 양측에 거울상 형상배치된반도체 소자. [청구항 34] 주기판(main board); 및 상기 주기판 상에 실장되는 반도체 소자를 포함하고, 상기 반도체 소자는 워드 라인(word line)들, 상기 워드 라인들에 각각 접속되고 반도체 기판에 수직하게 삽입된 공통 게이트(gate)들, 각각의 상기 공통 게이트를 공유하고 상기 워드 라인의 양측으로 배치된 두 개의 수직형 트랜지스터들, 및 상기 워드 라인들에 사선 방향으로 교차하고 상기 두 개의 상기 수직형 트랜지스터들 각각에 접속하는 매몰 비트 라인(buried bit line)들을 포함하는 전자 시스템(system)