문맥 (context)
[청구항 1]
제 1 정션이 형성된 제 1 활성필라
제 2 정션이 형성된 제 2 활성필라
상기 제 1 활성필라와 상기 제 2 활성필라 사이에 매립된 선택라인; 및
상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션 및 상기 선택라인에 인가되는 전압에 따라 소수 캐리어(minority carrier)를 트랩하여 상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션을 전기적으로 연결하는 트랩층을 포함하는 반도체 소자의 안티 퓨즈
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 제 1 정션에 연결되며 제 1 전압이 인가되는 제 1 신호라인; 및상기 제 2 정션에 연결되며 제 2 전압이 인가되는제2신호라인더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 제 1 신호라인과 상기 제 1 정션을 연결하는 제 1 콘택 플러그; 및상기 제 2 신호라인과 상기 제 2 정션을 연결하는제2콘택플러그더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 4]
제 2항에 있어서,상기 제 1 신호라인 및 상기 제 2 신호라인은각각상기제1정션및상기제2정션직접연결되는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 5]
제 2항에 있어서,상기 제 1 신호라인 및 상기 제 2 신호라인은상기 선택라인과 수직하게교차하는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 제 1 정션 및 상기 제 2 정션은p+타입의불순물주입되는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 제 1 정션 및 제 2 정션nan은하부가상기선택라인중첩되는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상기 트랩층nan은질화막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 9]
제 1항에 있어서,상기 소수 캐리어는전자인것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 10]
상부에 정션이 형성된 제 1 활성필라 내지 제 4 활성필라
상기 제 1 활성필라와 상기 제 2 활성필라 사이에 매립된 제 1 선택라인
상기 제 2 활성필라와 상기 제 3 활성필라 사이 및 상기 제 2 활성필라와 상기 제 4 활성필라 사이에 매립된 제 2 선택라인
상기 제 1 활성필라 및 상기 제 4 활성필라의 정션에 공통 연결되는 제 1 신호라인
상기 제 2 활성필라의 정션에 연결되는 제 2 신호라인
상기 제 3 활성필라의 정션에 연결되는 제 3 신호라인
상기 제 1 내지 제 3 신호라인 및 상기 제 1 선택라인과 상기 제 2 선택라인에 인가되는 전압에 따라 소수 캐리어(minority carrier)를 트랩하여 상기 제 1 활성필라 내지 상기 제 4 활성필라 사이를 전기적으로 연결하는 트랩층을 포함하는 반도체 소자의 안티 퓨즈
[청구항 11]
제 10항에 있어서,상기 제 1 신호라인 내지 상기 제 3 신호라인은상기 제 1 선택라인 및 상기 제 2 선택라인과 수직하게교차하는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 12]
제 10항에 있어서,상기 정션은p+타입의불순물주입되는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 13]
제 10항에 있어서,상기 정션은하부가상기제1선택라인및상기제2선택라인중첩되는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 14]
제 10항에 있어서,상기 트랩층nan은질화막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 15]
제 10항에 있어서,상기 소수 캐리어는전자인것을특징으로 하는반도체 소자의 안티 퓨즈.
[청구항 16]
상부에 제 1 정션이 형성된 제 1 활성필라
상부에 제 2 정션이 형성된 제 2 활성필라
상기 제 1 활성필라와 상기 제 2 활성필라 사이에 위치하는 선택라인; 및
상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션을 연결하며, 상기 선택라인과 상기 제 1 및 제 2 활성필라 사이에 위치하는 절연막
상기 제 1 활성필라와 상기 제 2 활성필라 사이에 매립된 선택라인
상기 제 1 정션과 연결되는 제 1 신호라인; 및
상기 제 2 정션과 연결되는 제 2 신호라인을 포함하는 반도체 소자의 안티 퓨즈
[청구항 22]
기판에 탑재된 복수개의 반도체 소자들을 갖는 반도체 모듈에 있어서,
상기 반도체 소자는
상측에 제 1 정션이 형성된 제 1 활성필라
상측에 제 2 정션이 형성된 제 2 활성필라
상기 제 1 활성필라와 상기 제 2 활성필라 사이에 매립된 선택라인; 및
상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션 및 상기 선택라인에 인가되는 전압에 따라 소수 캐리어(minority carrier)를 트랩하여 상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션을 전기적으로 연결하는 트랩층을 갖는 안티 퓨즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈
[청구항 23]
기판에 탑재된 복수개의 반도체 소자들을 갖는 반도체 모듈 및 상기 반도체 모듈의 동작을 제어하는 제어기를 포함하는 반도체 시스템에 있어서,
상기 반도체 소자는
상측에 제 1 정션이 형성된 제 1 활성필라
상측에 제 2 정션이 형성된 제 2 활성필라
상기 제 1 활성필라와 상기 제 2 활성필라 사이에 매립된 선택라인; 및
상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션 및 상기 선택라인에 인가되는 전압에 따라 소수 캐리어(minority carrier)를 트랩하여 상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션을 전기적으로 연결하는 트랩층을 갖는 안티 퓨즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 시스템
[청구항 24]
적어도 하나의 반도체 모듈을 갖는 반도체 시스템 및 상기 반도체 시스템에 저장된 데이터를 처리하는 프로세서를 포함하는 컴퓨터 시스템에 있어서,
상기 반도체 모듈은 기판에 탑재된 반도체 소자들을 포함하며,
상기 반도체 소자는
상측에 제 1 정션이 형성된 제 1 활성필라
상측에 제 2 정션이 형성된 제 2 활성필라
상기 제 1 활성필라와 상기 제 2 활성필라 사이에 매립된 선택라인; 및
상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션 및 상기 선택라인에 인가되는 전압에 따라 소수 캐리어(minority carrier)를 트랩하여 상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션을 전기적으로 연결하는 트랩층을 갖는 안티 퓨즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시스템
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1항 및 청구항 10항에 기재된 안티 퓨즈의 구성 요소 중, 인가되는 전압에 따라 소수 캐리어를 트랩하여 활성필라 간을 전기적으로 연결하는 역할을 수행하는 구성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1항과 10항에서 인가 전압에 따라 소수 캐리어를 트랩하여 활성필라 간을 전기적으로 연결하는 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1항에서 '소수 캐리어(minority carrier)를 트랩하여 상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션을 전기적으로 연결하는 트랩층'을 확인한다.
- 소수 캐리어(minority carrier)를 트랩하여 상기 제 1 정션과 상기 제 2 정션을 전기적으로 연결하는 트랩층
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3근거 선택
evidence_selection청구항 10항에서도 동일한 기능을 수행하는 '트랩층'이 명시되어 있음을 확인한다.
- 소수 캐리어(minority carrier)를 트랩하여 상기 제 1 활성필라 내지 상기 제 4 활성필라 사이를 전기적으로 연결하는 트랩층
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4논리 통합
logical_integration두 청구항 모두에서 전압에 따른 소수 캐리어 트랩 및 활성필라(정션) 간 전기적 연결 기능을 수행하는 구성은 '트랩층'으로 동일하다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 구성 요소는 '트랩층'이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 용어인 '트랩층'을 최종 답변으로 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
트랩층
핵심 해석 (core_interpretation)
안티 퓨즈 내에서 인가되는 전압을 통해 소수 캐리어를 트랩함으로써 활성필라 간의 전기적 연결을 제어하는 핵심 구성 요소인 트랩층의 기능을 정의한다.