반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 document_id 1020120084086

[청구항 2] 제1항에 있어서,피막은 상기 기판과 동일한 물질을 포함하고, 상기 기판과 상이한 결정축갖는반도체 메모리 소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,피막은 상기 기판과 동일한 도전형도핑된반도체 메모리 소자. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 수직채널은 상기 에피막의 상면접속되는반도체 메모리 소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 정보저장막은 상기 수직채널의 측벽을 둘러싸며 상기 에피막의 상면접속되는반도체 메모리 소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,피막의 상면은 상기 기판의 상면과 공면을 이루는평평한면인반도체 메모리 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,피막의 상면은 상기 기판의 상면으로부터 상기 최하층 게이트의 하면을 향해 볼록한 아크형태인반도체 메모리 소자. [청구항 8] 제1항에 있어서,피막의 상면은 상기 기판의 상면보다 높고 상기 최하층 게이트의 하면보다 낮은 평평한 형태이거나 아크형태인반도체 메모리 소자. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 정보저장막은 복수개의 절연막들을 포함하고,상기 절연막들은 상기 수직채널을 따라수직하게연장된반도체 메모리 소자. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 정보저장막은 복수개의 절연막들을 포함하고,상기 절연막들 중 적어도 어느 하나는 상기 수직채널을 따라 수직하게 연장되고, 그리고 적어도 다른 하나는 상기 게이트들감싸는반도체 메모리 소자. [청구항 12] 제11항에 있어서,피막의 상면은 상기 게이트들 중 최하층의 게이트의 하면에 비해 낮은 레벨에 있는 평평하거나 아크형태인반도체 메모리 소자. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 수직채널은 상기 에피막의 상면과 접속되어 상기 기판과 전기적연결되는반도체 메모리 소자. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 정보저장막은 상기 에피막의 상면을 덮으며 상기 수직채널을 따라 수직하게 연장된 적어도 하나의 절연막포함하는반도체 메모리 소자. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 정보저장막은 상기 게이트들을 감싸는 적어도 하나의 절연막더 포함하는반도체 메모리 소자. [청구항 16] 제11항에 있어서,상기 몰드절연막들 중 최하층의 몰드절연막의 수직 두께는 상기 수직채널과 상기 게이트들 간의 상기 정보저장막의 수평 두께동일하거나 큰반도체 메모리 소자. [청구항 17] 제11항에 있어서,피막은 상기 기판과 동일한 반도체를 포함하고, 상기 에피막의 결정축은 상기 기판의 결정축상이한반도체 메모리 소자. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 선택라인들과 상기 워드라인들은 상기 기판의 상면 상에서 제1 수평방향으로 연장되고, 상기 비트라인들은 상기 게이트 스택들 상에서 상기 제1 수평방향과 교차하는 제2 수평방향으로 연장되며,상기 에피막은 상기 접지 선택라인과 상기 제2 수평방향오버랩되지 않는반도체 메모리 소자. [청구항 20] 제19항에 있어서,피막의 상면은상기 반도체 기판의 상면과 공면을 이루거나, 혹은상기 반도체 기판의 상면에 비해 높고 상기 접지 선택라인의하면에 비해낮은 반도체 메모리 소자. [청구항 21] 제20항에 있어서,피막의 상면은 평평한 면이거나 혹은 상기 상면의 가장자리에서부터 상기 상면의 중심부로 갈수록 높아지는볼록한면인반도체 메모리 소자. [청구항 22] 제18항에 있어서,상기 게이트 절연막 스택은:상기 수직채널의 측벽을 덮는 터널절연막과;상기 선택라인들과 상기 워드라인들의 측벽들을 덮는 블록킹절연막과; 그리고 상기 터널절연막과 상기 블록킹절연막 사이에 제공된 트랩절연막포함하는반도체 메모리 소자. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 블록킹절연막은:상기 선택라인들과 상기 워드라인들의 측벽들과 직접 접촉되며, 상기 수직채널을 따라 상기 수직방향으로 연장된 제1 블록킹절연막과; 그리고상기 제1 블록킹절연막과 상기 트랩절연막 사이에 제공되며, 상기 수직채널을 따라 상기 수직방향으로 연장된 제2 블록킹절연막포함하는반도체 메모리 소자. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 터널절연막, 상기 트랩절연막 그리고 상기 제1 및 제2 블록킹절연막들 중 적어도 어느 하나는 상기 수직채널을 따라 상기 수직방향으로 연장되는 수직분 그리고 상기 에피막의 상면을 따라 수평하게 연장되어 상기 에피막의 상면을 덮는 수평분포함하는반도체 메모리 소자. [청구항 25] 제22항에 있어서,상기 블록킹절연막은:상기 선택라인들과 상기 워드라인들을 감싸는 폴딩된 형태를 갖는 제1 블록킹절연막과; 그리고상기 제1 블록킹절연막과 상기 트랩절연막 사이에서 상기 수직채널을 따라 연장된 수직한 형태를 갖는 제2 블록킹절연막포함하는반도체 메모리 소자. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 터널절연막, 상기 트랩절연막 그리고 상기 제2 블록킹절연막들 중 적어도 어느 하나는 상기 수직채널을 따라 상기 수직방향으로 연장되는 수직분 그리고 상기 에피막의 상면을 따라 수평하게 연장되어 상기 에피막의 상면을 덮는 수평분포함하는반도체 메모리 소자. [청구항 27] 제18항에 있어서,상기 게이트 스택들 사이의 상기 기판에 제공된 복수개의 공통 소오스들;상기 수직채널들 각각의 상단부에 제공된 복수개의 드레인들;상기 드레인들과 상기 비트라인들을 전기적으로 연결하는 복수개의 플러그들더 포함하는반도체 메모리 소자. [청구항 28] 제18항에 있어서,상기 수직채널은;상기 에피막과 접속되는 하단은 닫혀 있고 상단은 열려 있는 실린더 형태의 반도체막과, 그리고 상기 반도체막으로 둘러싸이는 내부절연막을 포함하거나, 혹은상기 에피막과 접속되며 상기 채널홀을 따라 수직하게 연장된 반도체막포함하는반도체 메모리 소자.