그래핀을 포함한 적층체 및 그의 제조방법 document_id 1020120084315

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 자기조립단분자층은 전자주는 기를 함유하는 제1분자를 포함하고, 상기 박막층은 전자받는 기를 함유하는제2분자포함하는것을특징으로 하는적층체. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 자기조립단분자층은 전자받는 기를 함유하는 제1분자를 포함하고, 상기 박막층은 전자주는 기를 함유하는제2분자포함하는것을특징으로 하는적층체. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 전자주는 기(electron-donating group)는 아미노기, c1 내지 c30 아민기, c1 내지 c30 알킬기, c1 내지 c30 알콕시기, c1 내지 c30 알킬하이드록시기, 할로겐기 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것을특징으로 하는적층체. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 전자받는 기(electron-withdrawing group)는 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 시안기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리브로모메틸기, 트리요오드메틸기 및 트리시아노메틸기로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것을특징으로 하는적층체. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 자기조립단분자층이 포함하는 상기 제1분자가 상기 기재와 결합하는 분자단위는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 적층체.[화학식 1]상기 화학식 1에서, 는 분자단위가 기재와 결합하는 부분을 표시하고, r1 및 r2는 서로 같거나 다를 수 있고, 각각 독립적으로 수소원자, 또는 c1 내지 c30의 알킬기이고,n은 0 내지 20의 정수이고,d는 전자주는 기전자받는기이다. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 전자주는 기(electron-donating group)를 갖는 제1분자는 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리메톡실릴프로필디에틸렌트리아민, 아미노트리에틸실란, 옥타데실트리클로로실란, 브로모트리에톡시실란, 클로로트리에톡시실란, 하이드록시트리에톡시실란, 트리데카플루오로-n-옥틸트리에톡시실란, n-[2-아미노에틸]-3-아미노프로필트리메톡시실란, n-(트리메톡실릴프로필)에틸렌디아민 트리아세트산, 에폭시헥실트리에톡시실란, 에틸렌디아민 및 올리고머 실세스퀴옥산으로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것을특징으로 하는적층체. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 전자받는 기(electron-withdrawing group)를 갖는 제1분자는 하기 화학식 2로 표시되는화합물인것을특징으로 하는적층체. [화학식 2]상기 화학식 2에서, r3 내지 r5는 서로 같거나 다를 수 있고, 각각 독립적으로 수소원자 또는 c1 내지 c9 알킬기이고,q은 0 내지 10의 정수이고,r은 0 내지 10의 정수이다. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 그래핀은 단일겹 그래핀(monolayer graphene) 및 이중겹 그래핀(bilayer graphene)으로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것을특징으로 하는적층체. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 그래핀nan은이중겹그래핀인것을특징으로 하는적층체. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 전자받는 기(electron-withdrawing group)를 갖는 제2분자는 하기화학식표시되는것을특징으로 하는적층체.[화학식 3]상기 화학식 3에서,r6 내지 r9은 서로 같거나 다를 수 있고, 각각 독립적으로 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 시안기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리브로모메틸기, 트리요오드메틸기 또는 트리시아노메틸기이고,r10 내지 r13은 서로 같거나 다를 수 있고, 각각 독립적으로 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자, 시안기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리브로모메틸기, 트리요오드메틸기 또는 트리시아노메틸기이다. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 전자받는 기(electron-withdrawing group)를 갖는 제2분자는 f4-tcnq(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane), 멜라민(melamine), 클로로포름(chloroform), 물(h2o), 오존(ozone), 9,10-디브로모안트라센(9,10-dibromoanthracene), 테트라소디움(tetrasodium), 1,3,6,8-파이렌테트라설포닉산 (1,3,6,8-pyrenetetrasulfonic acid), 과불소계 고분자(perfluorinated polymer, cytop) 및 폴리메틸메타크릴레이트(poly(methyl methacrylate, pmma) 로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것을특징으로 하는적층체. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 전자주는 기(electron-donating group)를 갖는 제2분자는 질산(hno3) 이산화질소(no2), 암모니아(nh3), 삼염화금(aucl3), 트리아진(triazine), ag 입자, al 입자, 1,5-나프탈렌디아민(1,5-naphthalenediamine), 9,10-디메틸안트라센(9,10-dimethylanthracene), 니트로메탄(nitromethane), haucl4, 황산(h2so4) 및 염산(hcl)으로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것을특징으로 하는적층체. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 기재는 금속 산화물, 반도체, 유리 및 플라스틱으로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것을특징으로 하는적층체. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 기재는 상기 자기조립단분자층에 대향하는상기기재의표면부가산화물포함하는것을특징으로 하는적층체. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 그래핀 층은 상기 전자주는 기에 의해 n 도핑 되고, 상기 전자받는 기에 의해도핑되는것을특징으로 하는적층체. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 각각 독립적으로 au, al, ag, be, bi, co, cu, cr, hf, in, mn, mo, mg, ni, nb, pb, pd, pt, rh, re, ru, sb, ta, te, ti, v, w, zr, 및 zn으로 이루어진 군으로부터 선택된1종이상포함하는것을특징으로 하는트랜지스터 소자.