문맥 (context)
[청구항 1]
기판에 수직하게 형성되어 리세스된 측벽을 갖는 바디라인
상기 리세스된 측벽에 매립되고 금속실리사이드를 포함한 매립비트라인; 및
상기 매립비트라인과 상기 바디라인 사이에 삽입되고 저마늄이 함유된 배리어막
을 포함하는 반도체 장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,실리콘저마늄을포함하는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 금속실리사이드는 코발트실리사이드포함하는반도체 장치.
[청구항 5]
기판에 형성된 복수의 제1트렌치에 의해 분리되는 복수의 활성영역
상기 제1트렌치에 매립된 지지체
상기 활성영역을 양분하고 서로 대향하는 리세스된 측벽을 갖는 제2트렌치
상기 제2트렌치 내에 금속실리사이드를 포함하는 한 쌍의 분리된 매립비트라인; 및
상기 매립비트라인과 상기 제2트렌치 사이에 삽입되고 저마늄이 함유된 배리어막
을 포함하는 반도체 장치
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 활성영역은, 상기 기판상에 형성된 바디;상기 바디상에서 상기 제2트렌치에 의해 분리되어 상기 리세스된 측벽을 갖는 한 쌍의 바디라인; 및각각의 상기 바디라인 상에 형성된 복수의 필라포함하는반도체 장치.
[청구항 7]
제5항에 있어서,상기 필라는 수직채널트랜지스터의 채널영역을 포함하고, 상기 필라에 연결된 스토리지더 포함하는반도체 장치.
[청구항 8]
제5항에 있어서,상기 지지체는 절연물질포함하는반도체 장치.
[청구항 9]
제5항에 있어서,실리콘저마늄을포함하는반도체 장치.
[청구항 11]
제5항에 있어서,상기 금속실리사이드는 코발트실리사이드포함하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 5에 기재된 반도체 장치에서 매립비트라인과 바디라인(또는 제2트렌치) 사이에 삽입되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1과 청구항 5를 참조하여 매립비트라인과 바디라인(또는 제2트렌치) 사이에 삽입되는 구성 요소를 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 매립비트라인과 바디라인 사이에 삽입되는 구성 요소를 추출한다.
- 상기 매립비트라인과 상기 바디라인 사이에 삽입되고 저마늄이 함유된 배리어막
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3근거 선택
evidence_selection청구항 5에서 매립비트라인과 제2트렌치 사이에 삽입되는 구성 요소를 추출한다.
- 상기 매립비트라인과 상기 제2트렌치 사이에 삽입되고 저마늄이 함유된 배리어막
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4논리 통합
logical_integration청구항 1과 청구항 5의 내용을 통합하면 두 경우 모두 삽입되는 요소는 '저마늄이 함유된 배리어막'임을 알 수 있다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 구성 요소는 저마늄이 함유된 배리어막이다.
- 저마늄이 함유된 배리어막
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
저마늄이 함유된 배리어막
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 매립비트라인과 바디라인(또는 제2트렌치) 사이에 저마늄이 함유된 배리어막을 삽입하여 구성된 반도체 장치에 관한 것이다.