문맥 (context)
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 분산공정은,상기코팅공정전또는상기코팅공정이후수행되는것을특징으로 하는분리막 제조공정.
[청구항 3]
청구항 2에 있어서,상기 분산공정은,상기 고분자코팅액 내의 무기물입자의 직경을 분산공정 진행 전의 무기물입자의 직경의 0.2~0.3배분쇄하는공정인분리막 제조공정.
[청구항 4]
청구항 3에 있어서,상기 분산공정을 수행한 이후의 무기물입자의 직경인분리막 제조공정.
[청구항 5]
청구항 3에 있어서,상기 분산공정을 수행한 이후의 무기물입자인분리막 제조공정.
[청구항 6]
청구항 1에 있어서,상기 무기물입자는,알루미나(al2o3), 바륨타이타네이트(batio3), 탄산칼슘, 실리카 중 선택되는 어느하나의무기물입자인것을적용하는분리막 제조공정.
[청구항 7]
청구항 1에 있어서,상기 무기물입자는,(a) 유전율 상수가 5 이상인 무기물 입자, (b) 압전성(piezoelectricity)을 갖는 무기물 입자 및 (c) 리튬 이온 전달 능력을 갖는 무기물 입자로 구성된 군으로부터 선택된1종이상인것을이용하는분리막 제조공정.
[청구항 8]
청구항 1에 있어서,상기 무기물 입자의 함량은 무기물 입자와 바인더 고분자를 포함하는 혼합물 100 중량% 당 50 내지 99 중량인분리막 제조공정.
[청구항 9]
청구항 1에 있어서,상기 혼합공정의 상기 바인더는,폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로프로필렌(polyvinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene), 폴리비닐리덴플루오라이드-트리클로로에틸렌(polyvinylidene fluoride-co-trichloroethylene), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone), 폴리비닐아세테이트(polyvinylacetate), 에틸렌비닐아세테이트 공중합체(polyethylene-co-vinylacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌옥사이드(polyethylene oxide), 셀룰로오스아세테이트 (cellulose acetate), 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트(cellulose acetate butyrate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate), 시아노에틸풀루란(cyanoethylpullulan), 시아노에틸폴리비닐알콜(cyanoethylpolyvinylalcohol), 시아노에틸셀룰로오스(cyanoethylcellulose), 시아노에틸수크로오스(cyanoethylsucrose), 풀루란(pullulan), 카르복실메틸셀룰로오스(carboxyl methyl cellulose) 및 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol) 중에서 선택되는1종이상인것을특징으로 하는분리막 제조공정.
[청구항 10]
청구항 1에 있어서,상기 용매는,에틸알코올(ethyl alcohol), 아세톤(acetone), 메틸에틸케톤(methyl ethyl ketone), 에틸아세테이트(ethyl acetate), 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 벤젠(benzene), 클로로포름(chloroform), 헥산(hexane), 메틸알코올(methyl alcohol) 및 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran) 중에서 선택되는1종이상인것을특징으로 하는분리막 제조공정.
[청구항 11]
청구항 1에 있어서,상기 용매는,테트라클로로에틸렌(tetra chloro ethylene), 브로모포름(bromoform), 클로로벤젠(chloro benzene), 에틸벤젠(ethyl benzene), 톨루엔(toluene) 및 2-클로로페놀(2-chloro phenol) 중에서 선택되는1종이상인것을특징으로 하는분리막 제조공정.
[청구항 12]
청구항 1 내지 11중 어느 한 항의 분리막 제조공정을 수행하는 제조장치에 있어서,용매 상에 무기물입자 및 바인더가 혼합된 고분자코팅액을 형성하는 혼합모듈;상기 혼합모듈에서 공급되는 상기 고분자코팅액을 수용하는 이송탱크;상기 이송탱크 수용된 상기 고분자 코팅액을 공급받아 다공성 기재상에 고분자코팅층을 형성하는 코팅모듈;을 포함하되,상기 이송탱크 및 상기 코팅모듈의 이송배관라인 중 어느 하나에 배치되는 초음파인가모듈더 포함하는분리막 제조장치.
[청구항 13]
청구항 12에 있어서,상기 초음파인가모듈은,일단과 타단에 이송배관라인이 연결되며, 내부로 고분자코팅액을 수용하고 통과시키는 모듈 몸체;상기 모듈 몸체 내에 배치되는초음파진동 혼포함하여구성되는분리막 제조장치.
[청구항 15]
청구항 14에 있어서,상기 양극의 집전체 상에 코팅되는 양극 슬러리가양극활물질포함하는것특징으로 하는전기화학소자.(m은 전이금속원소임.)
[청구항 16]
청구항 15에 있어서,상기 전기화학소자는,이차전지, 다수의 이차전지를 포함하는 전지모듈 및 다수의 전지의 모듈을 포함하는 전지팩으로 이루어진군선택되는하나인전기화학소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
분리막 제조공정에서 분산공정을 수행할 때, 고분자코팅액 내 무기물입자의 직경은 분산공정 진행 전과 비교하여 어느 정도 수준으로 변화하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation분산공정 수행 시 고분자코팅액 내 무기물입자의 직경이 공정 전과 비교하여 어떻게 변화하는지 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 분산공정의 정의와 무기물입자의 직경 변화에 관한 내용을 추출한다.
- 상기 분산공정은,상기 고분자코팅액 내의 무기물입자의 직경을 분산공정 진행 전의 무기물입자의 직경의 0.2~0.3배분쇄하는공정
-
3근거 선택
evidence_selection무기물입자의 직경이 분산공정 전의 0.2~0.3배로 분쇄된다는 구절을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 고분자코팅액 내의 무기물입자의 직경을 분산공정 진행 전의 무기물입자의 직경의 0.2~0.3배분쇄하는공정
-
4논리 통합
logical_integration분산공정을 거치면 무기물입자의 직경이 기존 직경의 0.2~0.3배 수준으로 줄어든다는 것을 알 수 있다.
- 상기 고분자코팅액 내의 무기물입자의 직경을 분산공정 진행 전의 무기물입자의 직경의 0.2~0.3배분쇄하는공정
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 무기물입자의 직경은 분산공정 전 직경의 0.2~0.3배 수준으로 변화한다고 결론짓는다.
- 상기 고분자코팅액 내의 무기물입자의 직경을 분산공정 진행 전의 무기물입자의 직경의 0.2~0.3배분쇄하는공정
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 고분자코팅액 내의 무기물입자의 직경을 분산공정 진행 전의 무기물입자의 직경의 0.2~0.3배분쇄하는공정
최종 답변 (final_answer)
분산공정 진행 전 무기물입자 직경의 0.2~0.3배로 분쇄된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
분리막 제조공정 중 분산공정을 통해 고분자코팅액 내 무기물입자의 직경을 기존 대비 0.2~0.3배 수준으로 미세하게 분쇄하여 제어하는 기술에 관한 것이다.