문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판에 매립되는 매립게이트
상기 매립게이트 끝단의 양측에 상기 매립게이트와 일부 중첩되도록 형성되는 제 1 패드 및 제 2 패드; 및
상기 매립게이트 끝단 상부에 형성되되 상기 제 1 패드 및 상기 제 2 패드에 의해 저부의 양측이 감싸지는 메탈콘택
을 포함하는 반도체 소자
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 제 1 패드 및 상기 제 2 패드는 셀 영역 내의 스토리지 노드 콘택 형성 시에동시형성되는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
청구항 1에 있어서,상기 제 1 패드 및 상기 제 2 패드는 상기 셀영역내의스토리지노드콘택과동일물질형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
청구항 1에 있어서,상기 제 1 패드 및 상기 제 2 패드는 상기 셀영역내의스토리지노드콘택의너비형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
청구항 1에 있어서,상기 제 1 패드 및 상기 제 2 패드는원형또는타원형의형태형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
청구항 1에 있어서,상기 제 1 패드 및 상기 제 2 패드는 장축이 상기 셀 영역 내의 스토리지 노드 콘택의 선폭보다 1.2배 내지 1.6배 크게 형성하고 단축이 상기 셀 영역 내의 스토리지 노드 콘택의 선폭보다 0.3배 내지 0.5배형성하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 7]
청구항 1에 있어서,복수개의 매립게이트가 미리 정한 간격 이격되어 배치되어 있는 경우, 상기 메탈콘택이 상기 복수개의 매립게이트 끝단에교번적형성되는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 소자에서 제 1 패드 및 제 2 패드의 형상과 관련하여, 스토리지 노드 콘택의 선폭 대비 장축 및 단축의 크기 관계는 어떻게 정의되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1의 반도체 소자에서 제 1 패드 및 제 2 패드의 형상 중, 스토리지 노드 콘택의 선폭과 패드의 장축 및 단축 크기 간의 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 제 1 패드 및 제 2 패드의 장축과 단축이 스토리지 노드 콘택의 선폭과 가지는 수치적 관계를 추출한다.
- 장축이 상기 셀 영역 내의 스토리지 노드 콘택의 선폭보다 1.2배 내지 1.6배 크게 형성하고 단축이 상기 셀 영역 내의 스토리지 노드 콘택의 선폭보다 0.3배 내지 0.5배형성
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 장축 및 단축의 크기 관계를 명시하고 있는 청구항 6의 구절을 선택한다.
- 장축이 상기 셀 영역 내의 스토리지 노드 콘택의 선폭보다 1.2배 내지 1.6배 크게 형성하고 단축이 상기 셀 영역 내의 스토리지 노드 콘택의 선폭보다 0.3배 내지 0.5배형성
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 장축은 선폭의 1.2~1.6배, 단축은 선폭의 0.3~0.5배라는 관계를 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation스토리지 노드 콘택의 선폭을 기준으로 장축과 단축의 배율 관계를 정리하여 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation정의된 수치 관계를 질문에 맞게 답변 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제 1 패드 및 제 2 패드의 장축은 스토리지 노드 콘택의 선폭보다 1.2배 내지 1.6배 크게 형성되고, 단축은 스토리지 노드 콘택의 선폭보다 0.3배 내지 0.5배 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 스토리지 노드 콘택의 선폭에 대응하여 제 1 및 제 2 패드의 장축과 단축 크기를 특정 비율로 정의함으로써 패드의 형상을 제어하는 기술에 관한 것이다.