문맥 (context)
[청구항 1]
액티브 영역이 식각된 게이트 리세스
상기 게이트 리세스에 매립된 게이트
상기 액티브 영역의 채널 영역과 상기 게이트 사이에 위치하는 제 1 게이트 절연막; 및
상기 제 1 게이트 절연막과 다른 유전율을 가지며, 상기 액티브 영역의 접합 영역과 상기 게이트 사이에 위치하는 제 2 게이트 절연막을 포함하는 반도체 소자
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 게이트 리세스는상기 액티브 영역의 바닥면이 소자분리막의 바닥면보다 돌출된 핀(fin)구조갖는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 제 1 게이트 절연막은제 1 유전율을 가지며 상기 액티브 영역 상부에 위치하는 계면막; 및상기 제 1 유전율보다 높은 유전율을 가지며 상기 계면막 상부에 위치하는고유전막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 3항에 있어서,상기 계면막은실리콘 산화막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 3항에 있어서,상기 고유전막nan은금속산화막또는금속산화실리사이드막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
제 3항에 있어서,상기 제 2 게이트 절연막은상기 계면막과 동일한물질포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 제 2 게이트 절연막nan은실리콘 산화막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상기 제 1 게이트 절연막은상기 접합 영역과 중첩되지위치하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 18]
적어도 하나의 반도체 모듈을 갖는 반도체 시스템 및 상기 반도체 시스템에 저장된 데이터를 처리하는 프로세서를 포함하는 컴퓨터 시스템에 있어서,
상기 반도체 모듈은 기판에 탑재된 반도체 소자들을 포함하며,
상기 반도체 소자는
액티브 영역에 매립된 게이트
상기 액티브 영역의 채널 영역과 상기 게이트 사이에 위치하는 제 1 게이트 절연막; 및
상기 제 1 게이트 절연막과 다른 유전율을 가지며, 상기 액티브 영역의 접합 영역과 상기 게이트 사이에 위치하는 제 2 게이트 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시스템
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1항의 반도체 소자에서 제1 게이트 절연막이 채널 영역과 게이트 사이에 위치할 때, 해당 제1 게이트 절연막을 구성하는 세부 층의 구조와 각 층의 유전율 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1 게이트 절연막의 세부 층 구조와 각 층의 유전율 관계를 파악하는 것이 과제이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3을 통해 제1 게이트 절연막이 계면막과 고유전막으로 구성됨을 확인한다.
- 상기 제 1 게이트 절연막은제 1 유전율을 가지며 상기 액티브 영역 상부에 위치하는 계면막; 및상기 제 1 유전율보다 높은 유전율을 가지며 상기 계면막 상부에 위치하는고유전막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자
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3근거 선택
evidence_selection계면막의 위치와 유전율, 고유전막의 위치와 유전율 관계를 명시한 구절을 선택한다.
- 제 1 유전율을 가지며 상기 액티브 영역 상부에 위치하는 계면막; 및상기 제 1 유전율보다 높은 유전율을 가지며 상기 계면막 상부에 위치하는고유전막
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4논리 통합
logical_integration계면막은 액티브 영역 상부에 위치하며 제1 유전율을 갖고, 고유전막은 계면막 상부에 위치하며 계면막보다 높은 유전율을 가짐을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제1 게이트 절연막은 계면막과 고유전막의 적층 구조이며, 고유전막의 유전율이 계면막의 유전율보다 높다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 구조와 유전율 관계를 정리하여 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1 게이트 절연막은 액티브 영역 상부에 위치하는 계면막과, 상기 계면막 상부에 위치하는 고유전막으로 구성된 적층 구조를 가진다. 이때, 고유전막의 유전율은 계면막이 가지는 제1 유전율보다 높다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제1 게이트 절연막을 유전율이 낮은 계면막과 유전율이 높은 고유전막의 이중층 구조로 구성하여 반도체 소자의 특성을 제어하는 기술이다.