문맥 (context)
[청구항 1]
셀 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판
상기 셀 영역의 셀 활성부를 가로지르는 그루브 내에 매몰된 셀 게이트 전극
상기 셀 게이트 전극 상부를 가로지르고, 상기 셀 게이트 전극 일측의 상기 셀 활성부내에 형성된 제1 소오스/드레인 영역에 접속된 셀 라인 패턴
상기 주변 영역의 주변 활성부 상부를 가로지르는 주변 게이트 패턴
상기 주변 게이트 패턴 주변의 기판 상에 배치된 평탄화된 층간 절연막; 및
상기 평탄화된 층간 절연막 및 상기 주변 게이트 패턴의 상부면 상에 배치되고, 상기 평탄화된 층간 절연막에 대하여 식각 선택성을 갖는 절연 물질을 포함하는 캡핑 절연막을 포함하는 반도체 소자
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,라인 패턴의 상부면 상에 배치된 캡핑 라인 패턴을 더 포함하되,상기 캡핑 라인 패턴의 하부면의 폭은 상기 셀 라인 패턴의 상기 상부면의 폭과 실질적으로 동일하고,상기 캡핑 라인 패턴은 상기 주변 영역의 상기 캡핑 절연막과 동일한 물질형성되는반도체 소자.
[청구항 3]
청구항 2에 있어서,상기 캡핑 라인 패턴의 하부면은, 상기 주변 영역의 상기 캡핑 절연막의 하부면과 실질적으로 동일하거나 높은 레벨위치한반도체 소자.
[청구항 4]
청구항 1에 있어서,상기 주변 게이트 패턴의 측벽과 상기 층간 절연막 사이에 개재된 주변 게이트 스페이서;상기 셀 라인 패턴 일 측의 기판 상에 배치되고, 서로 대향된 내측벽 및 외측벽을 포함하는 최외곽 셀 라인 패턴; 및상기 최외곽 셀 라인 패턴의 상기 외측벽 상에 배치되고, 상기 주변 게이트 스페이서와 동일한 물질로 형성된 스페이서더 포함하는반도체 소자.
[청구항 5]
청구항 4에 있어서,상기 평탄화된 층간 절연막은 옆으로 연장되어 상기 스페이서에 인접하고,상기 캡핑 절연막은 옆으로 연장되어 상기 최외곽 셀 라인 패턴의 상부면을 덮고,상기 캡핑 절연막의 상기 연장부는 상기 최외곽 셀 라인 패턴의 상기 내측벽에 정렬된 측벽갖는반도체 소자.
[청구항 6]
청구항 1에 있어서,라인 패턴은 차례로 적층된 셀 도전 라인 및 셀 하드마스크 라인을 포함하고,상기 주변 게이트 패턴은 차례로 적층된 주변 게이트 전극 및 주변 하드마스크 패턴을 포함하고,상기 셀 도전 라인은 상기 주변 게이트 전극과 동일한 도전 물질을 포함하고,상기 셀 하드마스크 라인은 상기 주변 하드마스크 패턴과 동일한 절연 물질을 포함하고,상기 셀 도전 라인의 상부면은 상기 주변 게이트 전극의 상부면과 실질적으로 동일한 레벨위치하는반도체 소자.
[청구항 7]
청구항 6에 있어서,도전 라인은, 상기 셀 라인 패턴의 길이 방향을 따라 배열된 하부 도전 패턴들; 상기 하부 도전 패턴들 사이에 배치되고 상기 제1 소오스/드레인 영역과 접속된 콘택부; 및 상기 하부 도전 패턴들 및 상기 콘택부 상에 배치되고 상기 셀 라인 패턴의 길이 방향으로 연장된 상부 도전 패턴을 포함하고,상기 주변 게이트 전극은 차례로 적층된 하부 게이트; 및 상부 게이트를 포함하되,상기 하부 도전 패턴들은 상기 하부 게이트와 동일한 물질로 형성되고,상기 상부 도전 패턴은 상기 상부 게이트와 동일한 물질형성된반도체 소자.
[청구항 8]
청구항 1에 있어서,라인 패턴의 길이 방향으로 연장된 상기 셀 라인 패턴의 양 측벽들 상에 배치된 셀 절연 라이너를 더 포함하되,상기 셀 절연 라이너는 상기 셀 라인 패턴의 길이 방향과 다른 방향으로 연장된 상기 셀 라인 패턴의 끝측벽(end-sidewall) 상형성되지 않는반도체 소자.
[청구항 9]
청구항 8에 있어서,라인 패턴을 나란히 가로지르는 절연 펜스들;절연 펜스들 사이 및 상기 셀 라인 패턴 일측에 배치되고, 상기 셀 활성부 내에 형성된 제2 소오스/드레인 영역과 접속된 셀 콘택 필라;상기 셀 콘택 필라에 전기적으로 접속된 정보 저장부;상기 절연 펜스들 일 측에 배치되고, 상기 절연 펜스들과 평행하게 연장된 최외곽 절연 펜스;상기 최외곽 절연 펜스와 상기 최외곽 절연 펜스에 인접한 절연 펜스 사이에 위치한 상기 셀 라인 패턴의 끝부분에 전기적으로 접속된 배선 플러그; 및상기 배선 플러그에 접속된 배선을 더 포함하되,상기 셀 절연 라이너는 상기 셀 콘택 필라와 셀 라인 패턴 사이배치되는반도체 소자.
[청구항 10]
셀 영역, 주변 영역, 및 이들 사이에 배치된 경계 영역을 포함하는 기판
상기 셀 영역의 기판 상에 배치된 셀 라인 패턴
상기 셀 라인 패턴의 양 측벽들을 덮고, 상기 경계 영역의 기판 상으로 연장된 셀 절연 라이너
상기 주변 영역의 주변 활성부 상부를 가로지르는 주변 게이트 패턴
상기 주변 게이트 패턴의 측벽을 덮고, 상기 경계 영역의 기판 상의 상기 셀 절연 라이너의 연장부 상으로 연장된 주변 절연 라이너; 및
상기 경계 영역 내에서 상기 셀 절연 라이너의 연장부 및 상기 주변 절연 라이너의 연장부 사이에 개재된 잔여 절연막을 포함하되,
상기 셀 절연 라이너 및 상기 주변 절연 라이너의 각각은 상기 잔여 절연막에 대하여 식각 선택성을 갖는 절연물질로 형성된 반도체 소자
[청구항 11]
청구항 10에 있어서,라인 패턴은 차례로 적층된 셀 도전 라인 및 셀 하드마스크 라인을 포함하고,상기 주변 게이트 패턴은 차례로 적층된 주변 게이트 전극 및 주변 하드마스크 패턴을 포함하고,상기 셀 도전 라인은 상기 주변 게이트 전극과 동일한 도전 물질을 포함하고,상기 셀 하드마스크 라인은 상기 주변 하드마스크 패턴과 동일한 절연 물질을 포함하고,상기 셀 도전 라인의 상부면은 상기 주변 게이트 전극의 상부면과 실질적으로 동일한 레벨위치하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 2를 참조할 때, 캡핑 라인 패턴의 하부면 위치와 캡핑 절연막의 하부면 위치 사이의 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1과 2를 바탕으로 캡핑 라인 패턴의 하부면 위치와 캡핑 절연막의 하부면 위치 사이의 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 캡핑 라인 패턴은 라인 패턴의 상부면에 배치된다고 명시되어 있다.
- 라인 패턴의 상부면 상에 배치된 캡핑 라인 패턴
- 상기 평탄화된 층간 절연막 및 상기 주변 게이트 패턴의 상부면 상에 배치되고
- 상기 캡핑 라인 패턴의 하부면은, 상기 주변 영역의 상기 캡핑 절연막의 하부면과 실질적으로 동일하거나 높은 레벨위치한
-
3근거 선택
evidence_selection청구항 1에서 캡핑 절연막은 평탄화된 층간 절연막 및 주변 게이트 패턴의 상부면 상에 배치된다고 명시되어 있다.
- 상기 평탄화된 층간 절연막 및 상기 주변 게이트 패턴의 상부면 상에 배치되고
- 상기 캡핑 라인 패턴의 하부면은, 상기 주변 영역의 상기 캡핑 절연막의 하부면과 실질적으로 동일하거나 높은 레벨위치한
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4논리 통합
logical_integration청구항 2에 의해 캡핑 라인 패턴의 하부면은 셀 라인 패턴의 상부면과 일치하며, 청구항 1에 의해 캡핑 절연막은 층간 절연막 상부에 위치한다. 청구항 3을 통해 이들의 상대적 높이 관계를 구체화할 수 있다.
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5결론 도출
conclusion_formulation청구항 3의 내용을 포함하여 종합하면, 캡핑 라인 패턴의 하부면은 캡핑 절연막의 하부면과 실질적으로 동일하거나 더 높은 레벨에 위치한다.
- 상기 캡핑 라인 패턴의 하부면은, 상기 주변 영역의 상기 캡핑 절연막의 하부면과 실질적으로 동일하거나 높은 레벨위치한
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 캡핑 라인 패턴의 하부면이 캡핑 절연막의 하부면과 실질적으로 동일하거나 높은 레벨에 위치함을 답변한다.
- 상기 캡핑 라인 패턴의 하부면은, 상기 주변 영역의 상기 캡핑 절연막의 하부면과 실질적으로 동일하거나 높은 레벨위치한
최종 답변 (final_answer)
캡핑 라인 패턴의 하부면은 캡핑 절연막의 하부면과 실질적으로 동일하거나 높은 레벨에 위치한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 소자에서 캡핑 라인 패턴과 캡핑 절연막의 수직적 배치 관계를 정의하여, 패턴의 상부면과 절연막의 높이 레벨을 제어하는 기술적 구성을 나타낸다.