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박막 트랜지스터 어레이 기판 document_id 1020120131002

출원번호
1020120131002
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 기판 상에 형성되고, 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되며, 상기 드레인 전극을 적어도 부분적으로 노출하는 제1 콘택홀 이 형성된 유기 절연막 상기 유기 절연막 상에 형성되고, 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 연결 전극 상기 유기 절연막 상에 형성되고, 상기 연결 전극과 이격된 공통 전극 상기 공통 전극 및 상기 연결 전극 상에 형성되며, 상기 연결 전극을 적어도 부분적으로 노출하는 제2 콘택홀 이 형성된 패시베이션막; 및 상기 패시베이션막 상에 형성되며, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 연결 전극과 접촉하는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 [청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 제1 콘택홀 내의 상기 연결 전극 상에 홈이 정의되고,상기 패시베이션막은 상기 홈의 상부폐쇄하는박막 트랜지스터 어레이 기판. [청구항 3] 제1 항에 있어서,상기 제1 콘택홀 내의 상기 연결 전극 상에 홈이 정의되고,상기 패시베이션막은 상기 홈을 적어도 부분적매립하는박막 트랜지스터 어레이 기판. [청구항 4] 제1 항에 있어서,상기 제1 콘택홀과 상기 제2 콘택홀은오버랩되지 않는박막 트랜지스터 어레이 기판. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 연결전극은 상기 제1 콘택홀을 적어도 일부분매립하는박막 트랜지스터 어레이 기판. [청구항 6] 제1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터는 게이트 전극과 반도체층을 더 포함하되,상기 게이트 전극은 상기 반도체층 상부배치되는박막 트랜지스터 어레이 기판. [청구항 7] 제1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터는 게이트 전극과 반도체층을 더 포함하되,상기 게이트 전극은 상기 반도체층 하부배치되는박막 트랜지스터 어레이 기판. [청구항 8] 제1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 제1 패시베이션막을 더 포함하되, 상기 유기 절연막은 제1 패시베이션막 상에 형성되고, 상기 제1 콘택홀은 상기 제1 패시베이션막과 상기 유기 절연막을 관통하여 상기 드레인 전극을 적어도 부분적노출시키는박막 트랜지스터 어레이 기판.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
박막 트랜지스터 어레이 기판에서 화소 전극이 연결 전극과 접촉하기 위해 거쳐야 하는 구조적 경로와 그 과정에서 관통되는 막의 구성을 설명하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    화소 전극이 연결 전극과 접촉하기 위해 거치는 구조적 경로와 관통되는 막의 구성을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 화소 전극은 패시베이션막 상에 형성되며, 제2 콘택홀을 통해 연결 전극과 접촉함을 확인한다.

    • 상기 패시베이션막 상에 형성되며, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 연결 전극과 접촉하는 화소 전극
  3. 3근거 선택evidence_selection

    화소 전극이 연결 전극에 도달하기 위해 통과해야 하는 구조인 '제2 콘택홀'과 그 기반이 되는 '패시베이션막'에 관한 구절을 선택한다.

    • 상기 공통 전극 및 상기 연결 전극 상에 형성되며, 상기 연결 전극을 적어도 부분적으로 노출하는 제2 콘택홀 이 형성된 패시베이션막; 및 상기 패시베이션막 상에 형성되며, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 연결 전극과 접촉하는 화소 전극
  4. 4논리 통합logical_integration

    화소 전극은 패시베이션막 위에 위치하며, 패시베이션막에 형성된 제2 콘택홀을 관통하여 아래에 있는 연결 전극과 접촉하는 경로를 가진다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    화소 전극은 패시베이션막 상에서 제2 콘택홀을 통해 연결 전극과 접촉하는 구조적 경로를 가진다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 따라 화소 전극의 경로와 관통되는 막의 구성을 정리하여 답변을 생성한다.

최종 답변 (final_answer)
화소 전극은 패시베이션막 상에 형성되어 있으며, 패시베이션막에 형성된 제2 콘택홀을 관통하여 연결 전극과 접촉하는 구조적 경로를 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 패시베이션막에 형성된 제2 콘택홀을 통해 화소 전극이 하부의 연결 전극과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 적층 구조를 정의한다.