광섬유형 유기태양전지 및 이의 제조방법 document_id 1020120132574

[청구항 1] 광투과 섬유; 정공주입층; 정공수송층; 전자추출층; 광활성층; 및 전자주입층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유형 유기태양전지 [청구항 2] 제1항에 있어서,빛 투과 방향으로부터 광투과 섬유-정공주입층-정공수송층-전자추출층-광활성층-전자주입층 순으로적층된것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 광섬유형 유기태양전지는 코어-시스(core-sheath)형으로서, 개방형 코어-시스또는고립형코어시스인것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 광투과 섬유는 폴리에틸렌테레프탈레이트(pet), 폴리카보네이트(pc), 폴리에테르설폰(pes), 폴리에테르이미드(pei), 폴리에틸렌나프탈렌(pen), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌(abs), 폴리프로필렌(pp), 폴리사이클로헥실렌 설파이드(pps), 폴리아크릴레이트(par), 폴리아릴레이트, 폴리이미드(pi), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cap) 및 트리아세틸셀룰로오스(tac, tri-acetyl cellulose) 중에서 선택된1종이상포함하는것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 정공주입층은탄소나노튜브, 그래핀, 은 나노와이어, 은 분말, 구리 나노와이어, 구리 분말, 산화인듐주석(ito), 산화인듐아연(izo), 산화주석(sno2), 산화아연(zno), 불소 도핑 산화주석(fto, fluorine-doped tin oxide), 안티몬 도핑 산화주석(ato, antimony-doped tin oxide) 및 알루미늄 도핑 산화아연(azo, aluminum-doped zinc oxide) 중에서 선택된 1종 이상을 함유한전도성물질포함하는것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 전도성 물질; 에틸셀룰로오스, 카보닐 메틸 셀롤로오스, 하이드록시프로필 셀룰로오스, 소디움 도데실 설페이트 및 폴리에틸렌 글리콜 중에서 선택된1종이상의고분자 수지포함하는것을특징으로 하는광섬유형 유기 태양전지. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 정공수송층은pedot:pss(폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)), 폴리아닐린, 폴리디페닐, 아세틸렌, 폴리 (t-부틸)디페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)디페닐아세틸렌, cu-pc(커퍼-프탈로시아닌) 폴리(비스트리플루오로메틸)아세틸렌, 폴리비스(t-부틸디페닐)아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴) 디페닐아세틸렌, 폴리(카르바졸)디페닐아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리페닐아세틸렌, 폴리피리딘아세틸렌, 폴리메톡시페닐아세틸렌, 폴리메틸페닐아세틸렌, 폴리(t-부틸)페닐아세틸렌, 폴리니트로페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)페닐아세틸렌 및 폴리(트리메틸실릴)페닐아세틸렌 중에서 선택된 1종 이상을 함유한정공수송물질포함하는것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 전자추출층은p3ht(폴리(3-헥실티오펜), 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), meh-ppv(poly-[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene]), mdmo-ppv(poly[2-methoxy-5-3(3',7'-dimethyloctyloxy)-1-4-phenylene vinylene]), pfdtbt(poly((2,7-(9,9-dioctyl)-fluorene)-alt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)), pcpdtbt(poly[2,6-(4,4-bis-(2,ethylhexyl)-4h-cyclopenta[2,1-b;3,4-b']dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benxothiadiazole)]), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌 및 폴리피리딘 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 전자공여체; 및풀러렌(c60, c70, c74, c76, c78, c82, c95), pcbm([6,6]-phenyl-c61butyric acid methyl ester)), c71-pcbm, c84-pcbm, 카드뮴셀레나이드(cdse) 나노입자, 카드뮬 설파이드(cds)나노 입자, 징크 셀레나이드(znse) 나노입자, 징크 설파이드(zns) 나노입자, 탄소나노튜브, 탄소나노로드, pbi(polybenzimidazole) 및 ptcbi(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole) 중에서 선택된 1종 이상을 함유한전자수용체포함하는것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 전자추출층은카드뮴 텔루라이드(cdte), 카드뮴 셀레나이드(cdse), 카드뮴 설파이드(cds), 리드 설파이드 (pbs), 리드 셀레나이드(pbse), 리드 텔루라이드 (pbte), 커퍼 인듐 설파이드 (cuins2), 커퍼 인듐 셀레나이드 (cuinse2), 인듐 포스파이드 (inp), 커퍼 설파이드 (cus2), 커퍼 인듐 갈륨 설파이드 (cu(inga)s2) 및 커퍼 갈륨 셀레나이드 (cugase2) 중에서 선택된 1종 이상의 양자점(quantum dot)물질더포함하는것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 10] 제1항에 있어서,층은 산화아연(zno) 및 산화티타늄(tiox) 중에서 선택된1종이상의나노입자포함하는것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 11] 제10항에 있어서,층은카드뮴 텔루라이드(cdte), 카드뮴 셀레나이드(cdse), 카드뮴 설파이드(cds), 리드 설파이드 (pbs), 리드 셀레나이드(pbse), 리드 텔루라이드 (pbte), 커퍼 인듐 설파이드 (cuins2), 커퍼 인듐 셀레나이드 (cuinse2), 인듐 포스파이드 (inp), 커퍼 설파이드 (cus2), 커퍼 인듐 갈륨 설파이드 (cu(inga)s2) 및 커퍼 갈륨 셀레나이드 (cugase2) 중에서 선택된1종이상의양자점물질더포함하는것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 전자주입층은 은(ag), 구리(cu), 금(ag), 알루미늄(al), 칼슘(ca), 마그네슘(mg), 리튬(li) 및 세슘(cs) 중에서 선택된1종이상의전자주입물질포함하는것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 정공주입층의 평균두께는상기광투과섬유의평균두께인것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 정공수송층의 평균두께는상기광투과섬유의평균두께인것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 정공추출층의 평균두께는상기광투과섬유의평균두께인것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 16] 제1항에 있어서,층의 평균두께는상기광투과섬유의평균두께인것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 전자주입층의 평균두께는상기광투과섬유의평균두께인것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 광투과 섬유는광투과도인것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지. [청구항 21] 제1항 내지 제18항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 광섬유형 유기태양전지는필라멘트사형태인것을특징으로 하는광섬유형 유기태양전지.