반도체 발광 소자 document_id 1020120138769

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제2 반도체층의, 상기 발광층과는 반대측의 면에 설치되고, 상기 제2 반도체층에 압축 응력을 인가하는 제2 응력 인가층더 포함하는,반도체 발광 소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제1 응력인가층포함하는,반도체 발광 소자. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 제2 응력인가층포함하는,반도체 발광 소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 불순물을 포함하지 않는 질화물 반도체층포함하는,반도체 발광 소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 발광층은 복수의 장벽층과, 상기 복수의 장벽층들 사이에 설치된 웰층을 포함하고,상기 평균 격자 상수는 상기 장벽층의 격자 상수와, 상기 웰층의 격자 상수를 두께 배분(thickness distribution)으로 가중(weight)하고 그결과평균하여격자 상수인,반도체 발광 소자. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 웰층은 복수로 설치되며,각각의 웰층은 상기 장벽층들 사이의 각 공간배치되는,반도체 발광 소자. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중적어도 어느 하나의 결정층이 성장되는 결정 기판이 되는 실리콘의 등가적인(equivalent) 격자 간격은, 상기 제1 반도체층의 격자 상수보다 큰, 반도체 발광 소자. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중적어도 어느 하나의 결정층이 성장되는 결정 기판되는실리콘의 결정의 열팽창 계수는, 상기 제1 반도체층의 열팽창 계수보다 작은, 반도체 발광 소자. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중적어도 어느 하나의 결정층이 성장되는 결정 기판이 되는 실리콘의 등가적인격자 간격은, 상기 제2 반도체층의 격자 상수보다 큰, 반도체 발광 소자. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중적어도 어느 하나의 결정층이 성장되는 결정 기판되는실리콘의 결정의 열팽창 계수는, 상기 제2 반도체층의 열팽창 계수보다 작은, 반도체 발광 소자. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 발광층은 in을 포함하는 층구비하고,상기 발광층의 평균 in 조성은 4.0% 이상이며,상기 발광층의 두께는 56나노미터 이상인, 반도체 발광 소자. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 발광층은 in을 포함하는 층구비하고,상기 발광층의 평균 in 조성은 4.5% 이상이며,상기 발광층의 두께는 48나노미터 이상인, 반도체 발광 소자. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 제2 반도체층의, 상기 발광층과는 반대측에 설치되고, 상기 제1 응력 인가층, 상기 제1 반도체층, 상기 발광층 및 상기 제2 반도체층을 지지하는 지지 기판더 포함하는,반도체 발광 소자. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 제1 응력 인가층을 관통하여, 상기 제1 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1 전극더 포함하는,반도체 발광 소자. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 제2 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 전극더 포함하는,반도체 발광 소자. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 제2 반도체층 위에 설치된 반사 금속을 더 포함하고,상기 제2 전극은 상기 반사 금속을 통해 상기 제2 반도체층에 전기적접속되는,반도체 발광 소자. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 제1 응력인가층의, 상기 제1 반도체층과는 반대측에 설치된 광 추출층을 더 포함하고,상기 광 추출층의, 상기 제1 응력 인가층과는 반대측의 표면에 요철설치되어 있는,반도체 발광 소자. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 제1 응력인가층은 복수의 층을 포함하고,상기 제1 응력 인가층에 포함되는 층들 중 적어도 하나는 상기 요철에 의해 분리되지 않고 연속층존재하는,반도체 발광 소자. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 발광층으로부터 방출되는 광은 상기 제1 반도체층 및 상기 제1 응력 인가 층을 통하여 외부출사되는,반도체 발광 소자.