가공 특허 1020120146583

출원번호: 1020120146583
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 1] 기준전압을 이용하여 조절 전압을 생성하는 조절 전압 생성부 상기 조절 전압에 따라 바이어스 전압을 생성하는 바이어스 전압 생성부; 및 전력 모드 전압에 따라 고전력 모드 및 저전력 모드중 하나의 모드로 동작하고, 상기 저전력 모드에서 상기 조절 전압을 강하시키는 전력모드 제어부 를 포함하고, 상기 조절 전압 생성부는, 상기 기준전압의 입력단에 제1 저항을 통해 연결된 컬렉터와, 접지에 연결된 에미터 및 베이스를 갖는 제1 온도 보상용 트랜지스터; 및 동작전압의 입력단에 연결된 컬렉터와, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에 연결된 베이스와, 제2 저항을 통해 접지에 연결된 에미터를 갖는 제2 온도 보상용 트랜지스터 를 포함하고, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬텍터단에서 상기 조절 전압을 제공하는 바이어스 회로 [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전력모드 제어부는,상기 저전력 모드에서, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에서 상기 바이어스 전압 생성부의 출력단까지 전류 경로를 형성하여, 상기 조절 전압을 강하시키도록 상기 제1 저항에 흐르는 전류상승시키는바이어스 회로. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 바이어스 전압 생성부는,상기 동작전압의 입력단에 연결된 컬렉터와, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에 연결된 베이스와, 상기 바이어스 전압 생성부의 출력노드에 연결된 에미터를 갖는 바이어스 공급용 트랜지스터; 및상기 바이어스 공급용 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 연결된 커패시터; 를포함하는바이어스 회로. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 전력모드 제어부는,상기 동작전압의 입력단에 연결된 컬렉터와, 상기 전력 모드 전압을 제공받는 베이스 및 에미터를 갖는 스위칭 트랜지스터; 및상기 스위칭 트랜지스터의 에미터에 연결된 컬렉터와, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에 연결된 베이스와, 상기 바이어스 전압 생성부의 출력노드에 연결된 에미터를 갖는 전류 경로용 트랜지스터; 를포함하는바이어스 회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 전류 경로용 트랜지스터는,상기 전력 모드 전압에 따라, 상기 스위칭 트랜지스터가 턴온 상태에서 턴온되어 트랜지스터 동작을 수행하고, 상기 전력 모드 전압에 따라, 상기 스위칭 트랜지스터가 턴오프 상태에서 베이스-에미터의 pn 접합 다이오드가 턴온되어, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에서 상기 바이어스 전압 생성부의 출력단까지 전류 경로형성하는바이어스 회로. [청구항 8] 기준전압을 이용하여 조절 전압을 생성하는 조절 전압 생성부 상기 조절 전압에 따라 바이어스 전압을 생성하는 바이어스 전압 생성부 전력 모드 전압에 따라 고전력 모드 및 저전력 모드중 하나의 모드로 동작하고, 상기 저전력 모드에서 상기 조절 전압을 강하시키는 전력모드 제어부; 및 상기 바이어스 회로부로부터의 상기 바이어스 전압을 베이스 전압으로 강하시키는 전압 강하부; 및 상기 전압 강하부로부터 베이스 전압을 공급받아, 송신 신호의 전력을 증폭하는 증폭부 를 포함하고, 상기 조절 전압 생성부는, 상기 기준전압의 입력단에 제1 저항을 통해 연결된 컬렉터와, 접지에 연결된 에미터 및 베이스를 갖는 제1 온도 보상용 트랜지스터; 및 동작전압의 입력단에 연결된 컬렉터와, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에 연결된 베이스와, 제2 저항을 통해 접지에 연결된 에미터를 갖는 제2 온도 보상용 트랜지스터 를 포함하고, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬텍터단에서 상기 조절 전압을 제공하는 전력 증폭기 [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 전력모드 제어부는,상기 저전력 모드에서, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에서 상기 바이어스 전압 생성부의 출력단까지 전류 경로를 형성하여, 상기 조절 전압을 강하시키도록 상기 제1 저항에 흐르는 전류상승시키는전력 증폭기. [청구항 12] 제8항에 있어서,상기 바이어스 전압 생성부는,상기 동작전압의 입력단에 연결된 컬렉터와, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에 연결된 베이스와, 상기 바이어스 전압 생성부의 출력노드에 연결된 에미터를 갖는 바이어스 공급용 트랜지스터; 및상기 바이어스 공급용 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 연결된 커패시터; 를포함하는전력 증폭기. [청구항 13] 제8항에 있어서,상기 전력모드 제어부는,상기 동작전압의 입력단에 연결된 컬렉터와, 상기 전력 모드 전압을 제공받는 베이스 및 에미터를 갖는 스위칭 트랜지스터; 및상기 스위칭 트랜지스터의 에미터에 연결된 컬렉터와, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에 연결된 베이스와, 상기 바이어스 전압 생성부의 출력노드에 연결된 에미터를 갖는 전류 경로용 트랜지스터; 를포함하는전력 증폭기. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 전류 경로용 트랜지스터는,상기 전력 모드 전압에 따라, 상기 스위칭 트랜지스터가 턴온 상태에서 턴온되어 트랜지스터 동작을 수행하고, 상기 전력 모드 전압에 따라, 상기 스위칭 트랜지스터가 턴오프 상태에서 베이스-에미터의 pn 접합 다이오드가 턴온되어, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에서 상기 바이어스 전압 생성부의 출력단까지 전류 경로형성하는전력 증폭기.

지시문 (instruction)

주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.

질문 (question)

전력 증폭기에서 전력모드 제어부가 저전력 모드로 동작할 때, 조절 전압을 강하시키기 위해 제1 저항에 흐르는 전류를 변화시키는 구체적인 메커니즘은 무엇인가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

전력모드 제어부가 저전력 모드일 때, 조절 전압을 낮추기 위해 제1 저항에 흐르는 전류를 변화시키는 구체적인 메커니즘을 파악해야 한다.
2정보 추출information_extraction

청구항 3 및 10에서 저전력 모드 시의 동작과 제1 저항의 전류 변화에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 저전력 모드에서, 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에서 상기 바이어스 전압 생성부의 출력단까지 전류 경로를 형성하여, 상기 조절 전압을 강하시키도록 상기 제1 저항에 흐르는 전류상승시키는
3근거 선택evidence_selection

전류 경로 형성 및 제1 저항의 전류 상승을 명시한 구절을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터에서 상기 바이어스 전압 생성부의 출력단까지 전류 경로를 형성하여, 상기 조절 전압을 강하시키도록 상기 제1 저항에 흐르는 전류상승시키는
4논리 통합logical_integration

저전력 모드에서 전력모드 제어부가 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터와 바이어스 전압 생성부의 출력단 사이에 전류 경로를 형성하면, 제1 저항에 흐르는 전류가 상승하게 되고 결과적으로 조절 전압이 강하된다는 논리를 구성한다.
5결론 도출conclusion_formulation

질문에 대한 답변으로, 전류 경로 형성을 통한 제1 저항의 전류 상승 메커니즘을 정리한다.
6답변 생성answer_generation

추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)

전력모드 제어부가 저전력 모드에서 동작할 때, 제1 온도 보상용 트랜지스터의 컬렉터로부터 바이어스 전압 생성부의 출력단까지 전류 경로를 형성함으로써 제1 저항에 흐르는 전류를 상승시키고, 이를 통해 조절 전압을 강하시킨다.

핵심 해석 (core_interpretation)

저전력 모드 시 특정 전류 경로를 형성하여 제1 저항의 전류를 증가시킴으로써 조절 전압을 제어하는 메커니즘을 통해 전력 증폭기의 동작 모드를 전환하는 기술이다.