문맥 (context)
[청구항 1]
기판 상의 하부 게이트 전극;
상기 기판 상에서 상기 하부 게이트 전극을 덮는 하부 게이트 절연막
상기 하부 게이트 절연막 상에 제공되고, 소스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체층
상기 하부 게이트 전극과 대응되는 위치에 배치된 상부 게이트 전극
상기 반도체층 및 상기 상부 게이트 전극 사이에 개재된 상부 게이트 절연막
상기 상부 게이트 절연막 상에 배치되어, 상기 상부 게이트 전극과 공면을 가지는 상부 전극; 그리고
상기 상부 게이트 전극 및 상기 상부 전극을 덮는 상부 보호막을 포함하되,
상기 상부 전극은 상기 소스 영역과 연결된 제1 상부 전극 및 상기 드레인 영역과 연결된 제2 상부 전극을 포함하는 트렌지스터
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 상부 보호막 상에 배치되며, 상기 상부 보호막을 관통하여 상기 제2 상부 전극과 연결된 화소전극을 더 포함하되, 상기 화소전극은 상기 드레인 영역과 전기적연결되는트렌지스터.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 반도체층 상에 배치되어, 상기 반도체층의 상면을 덮는 하부 보호막더 포함하는트렌지스터.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 상부 게이트 전극은 상기 상부 게이트 절연막 및 상기 하부 게이트 절연막을 관통하여 상기 하부 게이트 전극연결되는트렌지스터.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 반도체층은 1017/cm3 내지 1019/cm3의 전자밀도를 가지고, 아연(zn), 인듐(in), 주석(sn), 티타늄(ti), 및 갈륨(ga) 중에서 적어도 하나포함하는트렌지스터.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 채널 영역은 상기 상부 게이트 전극 및 상기 하부 게이트 전극과 대응되는 위치배치된트렌지스터.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 서로 이격되며, 상기 채널 영역은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이개재된트렌지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 2에 기재된 트렌지스터에서, 화소전극은 어떤 구성요소들을 관통하여 드레인 영역과 전기적으로 연결되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1 및 2를 바탕으로 화소전극이 드레인 영역과 연결되기 위해 관통하는 구성요소를 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 화소전극의 배치 및 연결 관계에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 상부 보호막 상에 배치되며, 상기 상부 보호막을 관통하여 상기 제2 상부 전극과 연결된 화소전극
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3근거 선택
evidence_selection화소전극이 관통하는 대상이 명시된 구절을 선택한다.
- 상기 상부 보호막을 관통하여
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4논리 통합
logical_integration화소전극은 상부 보호막 상에 위치하며, 상부 보호막을 관통하여 제2 상부 전극과 연결되고, 최종적으로 드레인 영역과 전기적으로 연결됨을 파악한다.
- 상기 상부 보호막을 관통하여 상기 제2 상부 전극과 연결된 화소전극을 더 포함하되, 상기 화소전극은 상기 드레인 영역과 전기적연결되는
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5결론 도출
conclusion_formulation화소전극이 관통하는 구성요소는 상부 보호막임을 도출한다.
- 상기 상부 보호막을 관통하여
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변을 생성한다.
- 상기 상부 보호막을 관통하여
최종 답변 (final_answer)
상부 보호막
핵심 해석 (core_interpretation)
화소전극이 상부 보호막을 관통하여 제2 상부 전극과 연결됨으로써 드레인 영역과 전기적으로 연결되는 트렌지스터의 구조를 나타낸다.