문맥 (context)
[청구항 1]
기판 위에서 트랜치에 의해 상호 이격되도록 배치되는 복수개의 액티브 필라들
상기 액티브 필라의 하부에 배치되는 매몰 금속 실리사이드층; 및
상기 액티브 필라의 상부에 배치되며 불순물 접합영역을 갖는 액티브 영역을 포함하는 반도체소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 트랜치의 바닥에서 상기 매몰 금속 실리사이드층의 하부면이 위치하는 제1 높이까지 배치되는 부분 매몰 절연층더 포함하는반도체소자.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 부분 매몰 절연층은 실리콘산화층포함하는반도체소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 액티브 영역 위에 배치되는 캡핑 절연층더 포함하는반도체소자.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 캡핑 절연층은 실리콘질화층포함하는반도체소자.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 캡핑 절연층 및 액티브 영역의 양 측면상에 배치되는 스페이서층더 포함하는반도체소자..
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 스페이서층은 실리콘산화층포함하는반도체소자.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 매몰 금속 실리사이드층은 코발트 실리사이드층포함하는반도체소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 불순물접합영역은 상기 매몰 금속 실리사이드층의 상부면과 접하는 액티브영역의 하부와 상기 캡핑 절연층의 하부면과 접하는 액티브영역의 상부각각 배치되는반도체소자.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 액티브 영역 위에 배치되는 캡핑 절연층더 포함하는반도체소자.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기 매몰 금속 실리사이드층은 코발트 실리사이드층포함하는반도체소자.
[청구항 13]
기판 위에서 트랜치에 의해 상호 이격되도록 배치되는 복수개의 액티브 필라들
상기 트랜치의 바닥에서 일정 높이까지 트랜치를 채우는 부분 매립 절연층
상기 액티브 필라의 하부에 배치되며 양 측면이 상기 트랜치 내에서 노출되는 매몰 금속 실리사이드층
상기 액티브 필라의 상부에 배치되며 불순물 접합영역을 갖는 액티브 영역; 및
상기 트랜치 내에서 서로 인접하는 매몰 금속 실리사이드층의 측면 사이를 관통하는 에어갭이 형성되도록 상기 트랜치 내에 배치되는 절연층을 포함하는 반도체소자
[청구항 14]
기판 위에서 교대로 배치되는 제1 트랜치 및 제2 트랜치에 의해 상호 이격되도록 배치되는 복수개의 액티브 필라들
상기 액티브 필라의 하부에 배치되는 매몰 금속 실리사이드층
상기 액티브 필라의 상부에 배치되며 불순물 접합영역을 갖는 액티브 영역
상기 제1 트랜치를 채우는 전면 매립 절연층
상기 제2 트랜치의 바닥에서 상기 매몰 금속 실리사이드층의 하부면이 위치하는 제1 높이까지 배치되는 부분 매립 절연층; 및
상기 제2 트랜치 내에서 서로 인접하는 매몰 금속 실리사이드층의 측면 사이를 관통하는 에어갭이 형성되도록 상기 트랜치 내에 배치되는 절연층을 포함하는 반도체소자
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 내지 9에 따른 반도체소자에서, 액티브 영역의 불순물 접합영역이 접하는 두 가지 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1 내지 9에 기재된 반도체소자에서 액티브 영역의 불순물 접합영역과 접하는 두 가지 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 9에서 불순물 접합영역이 접하는 대상에 대한 구체적인 설명이 기술되어 있다.
- 상기 불순물접합영역은 상기 매몰 금속 실리사이드층의 상부면과 접하는 액티브영역의 하부와 상기 캡핑 절연층의 하부면과 접하는 액티브영역의 상부각각 배치되는
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3근거 선택
evidence_selection불순물 접합영역이 접하는 두 구성 요소인 '매몰 금속 실리사이드층'과 '캡핑 절연층'을 추출한다.
- 상기 매몰 금속 실리사이드층의 상부면과 접하는 액티브영역의 하부와 상기 캡핑 절연층의 하부면과 접하는 액티브영역의 상부
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4논리 통합
logical_integration불순물 접합영역은 액티브 영역의 하부(매몰 금속 실리사이드층과 접함)와 상부(캡핑 절연층과 접함)에 각각 배치되어 두 층과 접한다는 것을 알 수 있다.
- 상기 불순물접합영역은 상기 매몰 금속 실리사이드층의 상부면과 접하는 액티브영역의 하부와 상기 캡핑 절연층의 하부면과 접하는 액티브영역의 상부각각 배치되는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 두 가지 구성 요소는 매몰 금속 실리사이드층과 캡핑 절연층이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 두 구성 요소를 리스트 형식으로 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
매몰 금속 실리사이드층, 캡핑 절연층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 액티브 영역의 불순물 접합영역이 매몰 금속 실리사이드층 및 캡핑 절연층과 각각 접하도록 배치하여 반도체소자의 구조를 형성하는 기술에 관한 것이다.