문맥 (context)
[청구항 16]
기판 상에 형성된 비트라인구조물
상기 비트라인구조물 사이에 리세스된 제1스토리지노드콘택플러그
상기 비트라인구조물의 측벽과 상기 제1스토리지노드콘택플러그 사이에 형성된 에어갭
상기 제1스토리지노드콘택플러그와 에어갭을 캡핑하는 도전성 캡핑층
상기 도전성 캡핑층 상에 형성된 안정화층; 및
상기 안정화층 상에 형성된 제2스토리지노드콘택플러그
를 포함하는 반도체장치
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 제1스토리지노드콘택플러그, 도전성 캡핑층 및 안정화층은 실리콘함유물질포함하는반도체장치.
[청구항 18]
제16항에 있어서,상기 도전성 캡핑층은 실리콘저마늄 에피택셜층을 포함하고, 상기 안정화층은 실리콘 에피택셜층포함하는반도체장치.
[청구항 19]
제16항에 있어서,상기 제1스토리지노드콘택플러그는 폴리실리콘층을 포함하고, 상기 제2스토리지노드콘택플러그는 금속함유층포함하는반도체장치.
[청구항 20]
제19항에 있어서,상기 제2스토리지노드콘택플러그는 텅스텐층포함하는반도체장치.
[청구항 21]
기판 상에 형성된 비트라인구조물
상기 비트라인구조물 사이에 리세스된 금속함유층을 포함하는 스토리지노드콘택플러그
상기 비트라인구조물의 측벽과 상기 스토리지노드플러그 사이에 형성된 에어갭
상기 스토리지노드콘택플러그 상에 형성된 시드층; 및
상기 시드층 상에 형성되며 상기 스토리지노드콘택플러그와 에어갭을 캡핑하는 도전성 캡핑층
를 포함하는 반도체장치
[청구항 22]
제21항에 있어서,상기 도전성 캡핑층은 실리콘저마늄 에피택셜층포함하는반도체장치.
[청구항 23]
제21항에 있어서,상기 시드층은 비정질실리콘층포함하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 16항 및 18항에 기재된 반도체장치에서 도전성 캡핑층과 안정화층은 각각 어떠한 물질로 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 16항 및 18항을 참조하여 도전성 캡핑층과 안정화층의 구성 물질을 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 16항에서 도전성 캡핑층과 안정화층이 존재함을 확인하고, 청구항 18항에서 해당 층들의 구체적 물질 정보를 추출한다.
- 상기 도전성 캡핑층은 실리콘저마늄 에피택셜층을 포함하고, 상기 안정화층은 실리콘 에피택셜층포함하는반도체장치
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 청구항 18항의 물질 구성 구절을 선택한다.
- 상기 도전성 캡핑층은 실리콘저마늄 에피택셜층을 포함하고, 상기 안정화층은 실리콘 에피택셜층포함하는반도체장치
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4논리 통합
logical_integration청구항 18항은 16항을 인용하고 있으므로, 16항의 구성 요소인 도전성 캡핑층과 안정화층에 대한 물질 정보가 18항에 명시되어 있음을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation도전성 캡핑층은 실리콘저마늄 에피택셜층으로, 안정화층은 실리콘 에피택셜층으로 구성됨을 도출한다.
- 상기 도전성 캡핑층은 실리콘저마늄 에피택셜층을 포함하고, 상기 안정화층은 실리콘 에피택셜층포함하는반도체장치
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 도전성 캡핑층은 실리콘저마늄 에피택셜층을 포함하고, 상기 안정화층은 실리콘 에피택셜층포함하는반도체장치
최종 답변 (final_answer)
도전성 캡핑층은 실리콘저마늄 에피택셜층을 포함하고, 안정화층은 실리콘 에피택셜층을 포함한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 반도체장치의 도전성 캡핑층과 안정화층을 각각 실리콘저마늄 에피택셜층과 실리콘 에피택셜층으로 구성하여 구조적 특성을 정의한다.