플라즈마 처리 장치 document_id 1020127003140

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 가스관nan은상기유전체창의일부관통하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 가스관nan은상기유전체창의중심관통하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,복수개의 상기 가스관이 상기 유전체창의 복수개의 대응 부분을 관통하고, 상기 복수개의 부분은 상기 유전체창의 중심에 대해대칭위치하고있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 가스관의 가스 분사부는 상기 유전체창으로부터상기처리실내돌출하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 가스관의 상기 가스 분사부는 상기 유전체창으로부터 10 mm 이상 떨어져있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 처리실 내에서 기판을 탑재하는 서셉터를 더 포함하고, 상기 유전체창이 상기 서셉터와 대향하는천정면기능하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,셉터에 자기 바이어스 전압을 발생시키기 위해 rf파를 인가하는 rf파발생기더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치는 평면 안테나를 더 포함하며, 상기 유전체창은상기평면안테나의구성요소중하나인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 평면 안테나는 래디얼라인슬롯안테나포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 마이크로파 전송 라인은 그 일단부가 상기 평면 안테나에 연결된동축관포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 가스관nan은동축관의내부도전체내형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 동축관의 내부 도전체는 가스 통과에 이용가능한 중공부를 포함하고 있고, 상기 중공부는 상기 동축관의 내부 도전체의 중심축을 따라연장하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 가스관은 상기 중공부와 연통하고, 상기 유전체창에 형성된 관통 구멍을 통해상기처리실내연장하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,상기 마이크로파 전송 라인은, 일단이 상기 마이크로파 발생기에 연결된 도파관과,상기 도파관에서의 전자파의 전송 모드를 상기 동축관에서의 다른 전송 모드로 바꾸기 위해 상기 도파관의 타단을 상기 동축관의 일단에 연결하는 도파관-동축관변환기포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,처리 가스를 상기 처리실로 도입하기 위한제2처리가스 공급부더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 제 2 처리 가스 공급부는 처리 가스를 상기 처리실 내의 중심부로 분사하는측벽분사구멍포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 제 1 처리 가스 공급부를 통해 상기 처리실 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 제어하는 제 1 유량 제어부와상기 제 2 처리 가스 공급부를 통해 상기 처리실 내로 도입되는 처리 가스의 유량을 제어하는제2유량 제어부더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 가스 공급 라인의 가스 분사부가 상기 유전체창으로부터상기처리실내돌출하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치.