무극성 또는 반극성 (Ｇａ,Ａｌ,Ｉｎ,Ｂ)Ｎ 기판들 상에 성장된 (Ｇａ,Ａｌ,Ｉｎ,Ｂ)Ｎ 레이저 다이오드들의 거울 패시트 클리빙 수율을 개선하기 위한 구조 document_id 1020127003443

[청구항 1] (ⅰ) p-형 도핑된 알루미늄-함유 도파로 피복층들 없이, 소자의 동작을 위한 충분한 광 구속(optical confinement)을 제공하는 도파로 코어(waveguide core); 및 (ⅱ) 상기 도파로 코어 상의 또는 상기 도파로 코어 아래의, 하나 이상의 n-형 도핑된 알루미늄-함유층들 을 포함하는 무극성 또는 반극성 (ga,al,in,b)n 레이저 다이오드를 포함하는 반도체 광전자 소자 [청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 하나 이상의 n-형 도핑된 알루미늄-함유층들은 상기 레이저 다이오드의 특정 결정면을 따르는 패시트 클리빙보조하는것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 3] 제1 항에 있어서,상기p-형 도핑된 알루미늄-함유 도파로 피복층은, 종래의 레이저 다이오드에서 ingan 양자 우물들로부터 방출되는 빛의 충분한 광 구속을 제공하기 위해 사용되는 알루미늄-함유층으로서 정의되며, 종래의 레이저 다이오드에서 상기 ingan 양자 우물들은 4 nm 또는 그보다 작은두께가지는것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 4] 제1 항에 있어서,상기 무극성 또는 반극성(ga,al,in,b)n 레이저 다이오드는 상기 도파로 코어로 기능하는양자 우물활성영역포함하는것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 5] 제4 항에 있어서,상기 양자 우물 활성 영역은, 상기 p-형 도핑된 알루미늄-함유 도파로 피복층들이 없이 소자의 광 모드(optical mode)를 효과적으로 구속하기 위하여 고굴절률을 가지는 충분한물질제공하는것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 6] 제5 항에 있어서,상기n-형 도핑된 알루미늄-함유층들 중 가장 가까운 것은상기활성영역떨어진것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 7] 제5 항에 있어서,상기n-형 도핑된 알루미늄-함유층들 중 가장 가까운 것은상기활성영역멀리떨어진것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 8] 제1 항에 있어서,상기 무극성 또는 반극성(ga,al,in,b)n 레이저 다이오드는, 양자 우물 활성 영역, 및 상기 양자 우물 활성 영역에 광학적으로 커플링(coupling)되며 gan보다 큰 굴절률을 가지는 하나 이상의 도파로층들을 포함하고, 상기 도파로층들 및 상기 양자 우물 활성 영역은 함께 상기 도파로코어기능하는것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 9] 제8 항에 있어서,상기 양자 우물 활성 영역 및 상기 도파로층들은, 상기 p-형 도핑된 알루미늄-함유 도파로 피복층들 없이, 소자의 광 모드를 효과적으로 구속하기 위하여 고굴절률을 가지는 충분한물질제공하는것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 10] 제9 항에 있어서,상기n-형 도핑된 알루미늄-함유층들 중 가장 가까운 것은상기활성영역떨어진것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 11] 제9 항에 있어서,상기n-형 도핑된 알루미늄-함유층들 중 가장 가까운 것은상기활성영역멀리떨어진것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 12] 제1 항에 있어서,상기 소자는 algan 피복층들이 없는 것특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 13] 제1 항에 있어서,상기 소자는 상기 도파로 코어에 대한 피복으로 기능하도록 배치되는 alingan피복층들포함하는것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 14] 제1 항에 있어서,제1 패시트 및 제2 패시트에 의해 둘러싸인 레이저 캐비티(cavity)를 더 포함하며, 상기 제1 패시트 및 상기 제2 패시트는 상기 레이저 캐비티의 마주보는 양단들에서, 상기 레이저 캐비티의 거울(mirror)들로 기능하며, 상기 제1 패시트 및 상기 제2 패시트는 상기 n-형 도핑된 알루미늄-함유층들 없는 소자 구조물에서의 "클리빙된 상태의(as cleaved)" 패시트들에 비하여 더 평면적이고 일직선인 "클리빙된 상태의"패시트들인것을특징으로 하는반도체 광전자 소자. [청구항 15] 제1 항에 있어서,상기n-형 도핑된 알루미늄-함유층들의 두께 및 위치는 상기 광 구속에영향않는것을특징으로 하는반도체 광전자 소자.