마그네틱 스택 설계 document_id 1020127003810

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 기준층은 상기 자유층보다 큰 영역가지는,자기 스택. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 기준층은 합성 반강자성(saf) 삼중층인,자기 스택. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 기준층은 단일 강자성고정층인,자기 스택. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 환형 반강자성 고정층은 적어도 상기 자유층둘러싸는,자기 스택. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 환형 반강자성 고정층 및 상기 자유층 사이에 전기 절연 분리층더 포함하는,자기 스택. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 환형 반강자성 고정층은 상기 자유층 맞은 편의 상기 강자성 기준층의 사이드상위치되는,자기 스택. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 배리어층은 상기 자유층보다 큰 영역가지는,자기 스택. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 자기 스택은 자기 터널 정션메모리 셀인,자기 스택. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 배리어층은 상기 자유층보다 더 큰 외부 직경가지는,자기 스택. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기 기준층은 합성 반강자성(saf) 삼중층인,자기 스택. [청구항 13] 제 10 항에 있어서,상기 고정층은 환형이고, 내부 직경가지는,자기 스택. [청구항 15] 제 10 항에 있어서,상기 반강자성 고정층 및 상기 자유층 사이의 전기 절연 분리층을더 포함하는,자기 스택. [청구항 16] 제 10 항에 있어서,상기 반강자성 고정층은 상기 자유층 반대편의 상기 강자성 기준층의 사이드상위치되는,자기 스택. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 자기 자유층과 상기saf 사이의 터널 자기저항 효과는 상승된 온도 및 평면내(in-plane) 자기장들의 존재하에어닐링통해증가되는,자기 스택. [청구항 23] 제 21 항에 있어서,상기 피닝 영역은 어닐링 동안 휘발성 afm 원자들의 확산조절하는(throttle) ,자기 스택. [청구항 24] 제 21 항에 있어서,상기 자유층은 제 1 폭을 가지며, 상기 터널 정션은 제 2 폭을 가지며, 상기 saf는 제 3 폭을 가지며, 상기 피닝 영역은상기제3폭과상기제2폭간차에의해한정되는,자기 스택. [청구항 25] 제 21 항에 있어서,상기 피닝 영역은 상기 자유층의 마주하는 측방 면들상위치되는,자기 스택. [청구항 26] 제 21 항에 있어서,상기saf는 단일 강자성층인,자기 스택. [청구항 27] 제 21 항에 있어서,상기afm은 상기 스페이서층에 의해 상기 자유층 및 최상부 전극으로부터 물리적으로 그리고 자기적분리되는,자기 스택. [청구항 28] 제 21 항에 있어서,상기afm은망간 화합물인,자기 스택. [청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기 망간 화합물은인,자기 스택. [청구항 30] 제 21 항에 있어서,상기 자기 스택은 비-휘발성이며 논리 상태는 스핀 분극된 전류를 이용하여 상기 자유층프로그램되는,자기 스택. [청구항 32] 제 31 항에 있어서,상기afm 원자들의 확산을 억제하는 것은 상기 saf의 자기 안정성을 증가시키며 상기 어닐링은 상기 메모리 셀에 대한 터널저항증가시키는,메모리 셀.