고압 화학기상증착 장치, 방법 및 그로부터 제조된 조성물 document_id 1020127006466

[청구항 2] 제1항에 있어서,번째iii족-질화물 합금은 알루미늄 질화물, 갈륨 질화물 또는 인듐 질화물인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 3] 제1항에 있어서,번째iii족-질화물 합금은 알루미늄 질화물, 갈륨 질화물 또는 인듐 질화물인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 4] 제1항에 있어서,번째iii족-질화물 합금은 in1-xgaxn, in1-xalxn, 또는 in1-x-yalxgayn인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 5] 제4항에 있어서,65 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 6] 제4항에 있어서,50 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 7] 제4항에 있어서,35 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 8] 제4항에 있어서,25 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 9] 제4항에 있어서,15 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 10] 제4항에 있어서,10 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 11] 제1항에 있어서,번째iii족-질화물 합금은 in1-xgaxn, in1-xalxn, 또는 in1-x-yalxgayn인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 12] 제11항에 있어서,65 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 13] 제11항에 있어서,50 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 14] 제11항에 있어서,35 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 15] 제11항에 있어서,25 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 16] 제11항에 있어서,15 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 17] 제11항에 있어서,10 미만인 것인 열역학적안정한반도체 헤테로구조. [청구항 18] 압력을 약 100 bar 이하로 구속할 수 있는 인클로져 플로우 채널 성장 반응기 내의 반응 대역에서 기판을 지지하도록 조정된 기판 캐리어 에피택셜층의 성장을 위한 기판 상의 성장 표면 제1 반응성 유액 세트의 플로우를 성장 표면 상의 제1 플로우 방향으로 배향시키도록 조정된 플로우 채널; 및 제2 반응성 유액 세트가 제1 반응성 유액 세트와 반응하거나 또는 분해되어 성장 표면 상에 반응 생성물막을 증착시키도록, 제2 반응성 유액 세트를 반응 대역 내로 인젝션하도록 조정된 반응 대역에 인접한 인젝터 를 포함하여 이루어지는 반응기 장치 [청구항 19] 제18항에 있어서,기판 캐리어는 기판을 제1 플로우 방향과 실질적으로 평행한제1 평면지지하도록설정된 것인반응기 장치. [청구항 20] 제18항에 있어서,인젝터는 제2 반응성 유액을 성장 표면에 균일하게분포시키도록설정된 것인반응기 장치. [청구항 21] 제18항에 있어서,인젝터는 다공성 재료포함하는 것인반응기 장치. [청구항 22] 제18항에 있어서,인젝터는 내부를 관통하는 복수개의 도관을 갖는 분포 블럭포함하는 것인반응기 장치. [청구항 23] 제18항에 있어서,인젝터는반응성유액을반응대역또는성장표면배향시키도록설정된 것인반응기 장치. [청구항 24] 제18항에 있어서,인젝터는 제1 플로우 방향과 실질적으로 수직인 방향으로반응성유액을반응기내배향시키도록설정된 것인반응기 장치. [청구항 25] 제18항에 있어서,인젝터 또는 플로우 채널 중한가지는 v족 반응성 유액 소스에 유체적연결된 것인반응기 장치. [청구항 26] 제25항에 있어서,족 반응성 유액 소스에는 인젝터 또는 플로우 채널의 대체물이 유체적연결된 것인반응기 장치. [청구항 27] 제18항에 있어서,상기 장치는 반응 대역으로의 수송을 위한 캐리어 가스의 연속적 피드 내로 반응성 유액을 펄스로서 임베딩하도록 설정된 컨트롤러를 추가로 포함하며, 여기서 상기 펄스는 상기한 연속적인 피드 내에서 반응성 유액의 시공간적으로 농축된 분포갖는 것인반응기 장치. [청구항 28] 제18항에 있어서,기판 캐리어를 회전시키도록 설정된 디바이스를 추가포함하는반응기 장치. [청구항 29] 제18항에 있어서,인젝터는 제2 반응성 유액 세트를 제1 플로우 방향과 실질적으로 수직인 방향으로반응기내인젝션하도록설정된 것인반응기 장치. [청구항 37] 수퍼-대기압 반응기에 캐리어 가스를 공급하도록 설정된 캐리어 가스 소스 제1 반응성 유액 세트를 수퍼-대기압 반응기에 공급하도록 조정된 제1 반응성 유액 소스 및 제2 반응성 유액 세트를 수퍼-대기압 반응기에 공급하도록 조정된 제2 반응성 유액 소스를 포함하는, 수퍼-대기압 반응기에 복수종의 반응성 유액을 공급하도록 조정된 복수개의 반응성 유액 소스 제1 반응성 유액 세트의 수퍼-대기압 반응기로의 흐름을 개시, 중단 또는 조절하는 제1 액츄에이터 및 제2 반응성 유액 세트의 수퍼-대기압 반응기로의 흐름을 개시, 중단 또는 조절하는 제2 액츄에이터 를 포함하는 복수개의 액츄에이터 수퍼-대기압 반응기 내에서 성장 표면을 포함하는 반응 대역; 및 제1 반응성 유액 세트와 제2 반응성 유액 세트를 캐리어 가스 내로 임베딩시키는 한편, 반응 대역의 압력 및 반응 대역을 통한 총부피 유속을 실제로 일정하게 유지시기 위하여 복수개의 액츄에이터 를 조절하도록 설정된 컨트롤러 를 포함하여 이루어지는 컨트롤 시스템 [청구항 38] 제37항에 있어서,컨트롤 시스템은 캐리어 가스를 비반응상(non-reacting phase)에서 반응 대역을 통해 제1의 일정한 부피 유속으로 공급하도록 설정된 것이고, 여기서 상기 제1의 일정한 부피 유속은 실질적으로 상기 총 부피 유속동일한 것인컨트롤 시스템. [청구항 39] 제37항에 있어서,제1 반응성 유액과 제2 반응성 유액은 iii족 반응성 유액과 v족 반응성 유액을 교대포함하여 이루어지는 것인컨트롤 시스템. [청구항 40] 제37항에 있어서,컨트롤 시스템은 반응 대역에서압력유지시키도록설정된 것인컨트롤 시스템.