발전 장치와 발전 방법 및 발전 장치 제조 방법 document_id 1020127007925

[청구항 25] 열에너지를 전기로 변환하기 위한 전기 발전 장치로서, 제 23 항 및 제 24 항 중 어느 항에 따른 입자 구조체와, 상기 공극의 적어도 일부분에 있는 기체 분자를 갖는 기체 매질을 포함하는 전기 발전 장치 [청구항 26] 제 23 항 내지 제 25 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자들의 일부분의 각각의 입자의 전하 이동성은 상기 입자의 모든 표면에 대하여 일반적동일한입자 구조체 또는 장치. [청구항 27] 제 23 항 내지 제 26 항 중 어느 항에 있어서,상기 제1 대향 표면 및 제2 대향 표면은 실질적으로 동일한 화학적 조성갖는입자 구조체 또는 장치. [청구항 28] 제 23 항 내지 제 27 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자 구조체가 그 사이에 있도록 배치되는 제1 전극 및 제 2 전극을 추가로 포함하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 동일한 물질의 작동 표면갖는입자 구조체 또는 장치. [청구항 29] 제 23 항 내지 제 27 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자 구조체가 그 사이에 있도록 배치되는 제1 전극 및 제 2 전극을 추가로 포함하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 서로 다른 일 함수에 특징이 있는 물질들의 작동 표면갖는입자 구조체 또는 장치. [청구항 30] 제 23 항 내지 제 29 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자 표면들 중 적어도 일부분의 경우 분자, 원자 또는 이온이 유형의 농도는 제1 대향 표면이 제2 대향 표면상이한입자 구조체 또는 장치. [청구항 31] 제 23 항 내지 제 30 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자들은 자체 지지 구조체형성하고 있는입자 구조체 또는 장치. [청구항 32] 제 23 항 내지 제 30 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자는 분말 형태이고 지지 구조체함유되어 있는입자 구조체 또는 장치. [청구항 33] 제 23 항 내지 제 32 항 중 어느 항에 있어서,외부적으로 인가된 전압의 부재하에서 상기 입자 구조체의 한 편으로부터 이의대향한면으로의 순 전하 이동이 있는 입자 구조체 또는 장치. [청구항 35] 제 1 항 내지 34 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자가비다공성인방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 36] 제 1 항 내지 34 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자가다공성인방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 37] 제 1 항 내지 36 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자가 팽창성인방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 38] 제 1 항 내지 36 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자가 비팽창성인방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 39] 제 1 항 내지 38 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자가코팅되는방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 40] 제 1 항 내지 38 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자가코팅되지 않는방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 41] 제 1 항 내지 40 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자의 평균 두께가 1 μm미만인방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 42] 제 1 항 내지 41 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자의 가장 긴 치수미만인방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 43] 제 1 항 내지 42 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자들 사이의 공극은 스페이서에의해유지되는방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 44] 제 1 항 내지 42 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자들 사이의 공극은 외측으로 돌출된 울퉁불퉁한부분에의해유지되는방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 45] 제 1 항 내지 44 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자는 일반적으로 플레이트렛형상인방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 46] 제 1 항 내지 45 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자들이 일반적으로 균일한 방향분포되는방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 47] 제 1 항 내지 46 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자는 금속, 준금속, 합금, 진성 또는 도핑된 무기 또는 유기 반도체, 유전체, 진성 또는 도핑된 중합체, 전도성 중합체, 층상 물질, 세라믹, 산화물, 금속 산화물, 염, 크라운 에테르, 유기 분자, 사차 암모늄염, 서미트, 유리 및 실리케이트 화합물, 및 이들의 조합을 포함하는군선택된물질로 이루어지는방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 48] 제 1 항 내지 47 항 중 어느 항에 있어서,상기 입자는 유리, 질석, 박리된 질석, 팽창된 질석, 진주석, 금운모, 그래핀, 흑연, 흑연 산화물, 환원된 흑연 산화물, 알루미늄 및 실리카 코팅 알루미늄을 포함하는군선택된물질로 이루어지는방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 49] 제 1 항 내지 48 항 중 어느 항에 있어서,상기 구조체는 적합한 기체 매질을 함유하도록 구성된 캡슐지는방법, 입자 구조체 또는 장치. [청구항 50] 제 1 항 내지 48 항 중 어느 항에 있어서,상기 기체 매질은 공기, 아르곤, 염소, 디메틸아민, 헬륨, 염화수소, 크립톤, 메탄, 네온, 질소, 이산화질소, 삼불화질소, 옥타플루오로프로판, 이산화황, 육불화황, 설포닐 플루오라이드, 테트라플루오로메탄, 수증기, 제논, 및 이들의 조합을 포함하는 군선택되는방법, 입자 구조체 또는 장치.