가공 특허 1020127008338

출원번호: 1020127008338
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 복수의 액츄에이터가 상기 쇼울더 링 주위로 120 도 간격으로 이격된 3개의 액츄에이터를 구성하고, 그에 따라 상기 액츄에이터들은 임의의 방위 각도(θ)로 배향된 틸팅 축선을 중심으로상기플로팅지지플레이트틸팅할수있는플라즈마 반응기. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 복수의 액츄에이터 중의 각각의 하나의 상기 모터를 제어하고 그리고 상기 틸팅 축선의 상기 방위 각도(θ) 및 상기 틸팅 축선을 중심으로 하는 틸팅 각도(α)의 희망 값들로부터 상기 복수의 액츄에이터의 축선 방향 운동을 계산하도록 프로그래밍된 제어부 장치더 포함하는플라즈마 반응기. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 복수의 액츄에이터의 각각이 상기 쇼울더 링에 장착되고 그리고 상기 모터를 포함하는 모터 모듈 및 상기 이동가능한 아암을 상기 모터 모듈과 나란히(side-by-side) 지지하고 상기 모터 모듈에 커플링된 레일 모듈포함하는플라즈마 반응기. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 플로팅 지지 플레이트와 상기 쇼울더 링 사이에 커플링된 가요성 전도성 rf 가스켓 링더 포함하는플라즈마 반응기. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,테스트 공작물 상에서 에칭 속도 분포를 측정하기 위한 계측 장치를 더 포함하고, 상기 제어부 장치는 상기 에칭 속도 분포로부터 주요 경사 축선을 추정하도록 그리고 상기 틸팅 축선을 상기 주요 경사 축선으로서 규정하도록 추가프로그램되는플라즈마 반응기. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 제어부 장치는 상기 복수의 rf 파워 공급원의 파워 출력 레벨을 제어하고, 상기 제어부 장치는 상기 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포의 불균일성을 개선하기 위해서상기파워출력레벨조정하도록프로그램되는플라즈마 반응기. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 복수의 rf 공급원 파워 인가장치는 복수의 동심적인 나선형 전도체 권선포함하는플라즈마 반응기. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 플로팅 지지 플레이트는 상기 지지 플레이트의 회전의 제한된 범위를 제공하는 갭에 의해서 상기 쇼울더 링의 위쪽이격되는플라즈마 반응기. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 지지 플레이트는 상기 rf 외장 측벽으로부터 방사상 내측으로 연장하고 그리고 상기 플로팅 지지 플레이트의 둘레 부분의 아래에 놓이고 그리고 상기 갭에 의해서 그로부터 분리되는 표면포함하는플라즈마 반응기. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 플로팅 지지 플레이트와 상기rf 외장 커버 사이에서 rf 임피던스 매치 장치를 더 포함하고, 상기 복수의 rf 파워 공급원은 상기 rf 임피던스 매치 장치의 각각의 성분들을 통해서 상기 복수의 rf 공급원 파워 인가장치연결되는플라즈마 반응기. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 액츄에이터 모터는 방위 각도(θ)로 배향된 틸팅 축선을 중심으로 상기 플로팅 지지 플레이트를 틸팅할 수 있고, 상기 플라즈마 반응기는, 상기 액츄에이터 모터를 제어하고 그리고 상기 틸팅 축선의 상기 방위 각도(θ) 및 상기 틸팅 축선을 중심으로 하는 틸팅 각도(α)의 희망 값들로부터 상기 요잉 및 롤링 회전 스테이지의 운동을 계산하도록 프로그래밍된, 제어부 장치더 포함하는플라즈마 반응기. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 플로팅 지지 플레이트와 상기 쇼울더 링 사이에 커플링된 가요성 전도성 rf 가스켓 링더 포함하는플라즈마 반응기. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 플로팅 지지 플레이트는 상기 지지 플레이트의 회전의 제한된 범위를 제공하는 갭에 의해서 상기 쇼울더 링의 위쪽이격되는플라즈마 반응기.

지시문 (instruction)

주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.

질문 (question)

플라즈마 반응기 내에서 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포 불균일성을 개선하기 위해 제어부 장치가 수행하는 동작은 무엇인가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포 불균일성을 개선하기 위해 제어부 장치가 수행하는 구체적인 동작을 찾는 것이다.
2정보 추출information_extraction

청구항 7에서 제어부 장치의 기능과 불균일성 개선 목적이 명시된 부분을 추출한다.
- 상기 제어부 장치는 상기 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포의 불균일성을 개선하기 위해서상기파워출력레벨조정하도록프로그램되는
3근거 선택evidence_selection

질문에서 요구하는 '불균일성 개선'과 직접적으로 연결된 '파워 출력 레벨 조정' 구절을 선택한다.
- 상기파워출력레벨조정하도록프로그램되는
4논리 통합logical_integration

제어부 장치가 복수의 rf 파워 공급원의 파워 출력 레벨을 제어하며, 불균일성 개선을 위해 해당 레벨을 조정한다는 인과관계를 확인한다.
- 상기 제어부 장치는 상기 복수의 rf 파워 공급원의 파워 출력 레벨을 제어하고, 상기 제어부 장치는 상기 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포의 불균일성을 개선하기 위해서상기파워출력레벨조정하도록프로그램되는
5결론 도출conclusion_formulation

제어부 장치는 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포 불균일성을 개선하기 위해 파워 출력 레벨을 조정한다.
- 상기파워출력레벨조정하도록프로그램되는
6답변 생성answer_generation

추출된 핵심 동작인 '상기 파워 출력 레벨 조정'을 답변으로 생성한다.
- 상기파워출력레벨조정하도록프로그램되는

최종 답변 (final_answer)

상기 파워 출력 레벨 조정

핵심 해석 (core_interpretation)

본 발명은 제어부 장치가 RF 파워 공급원의 출력 레벨을 조절함으로써 플라즈마 반응기 내 이온 밀도의 방사상 분포 불균일성을 제어하고 개선하는 기술을 포함한다.