하전 입자 다중-빔렛 리소그라피 시스템, 변조 디바이스, 및 그 제조 방법 document_id 1020127013930

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전성 엘리먼트와 상기 제 2 도전성 엘리먼트는 상기 제 1 금속화 레벨과 상기 제 2 금속화 레벨 사이의 비아 레벨에서의 적어도 하나의 비아에 의해 서로 전기적으로 연결되고, 상기 적어도 하나의 비아는 상기 전극의 일부를 형성하도록 상기 구멍노출되는,변조 디바이스. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 복수의 변조기들 중 제 1 변조기는 상기 상호연결 구조의 상기 제 1 금속화 레벨에 있는 상기 제 1 도전성 엘리먼트를 통해 패턴 데이터 수신 엘리먼트에 연결되도록 배열되고, 상기 복수의 변조기들 중 제 2 변조기는 상기 상호연결 구조의 제 2 금속화 레벨에 있는 상기 제 2 도전성 엘리먼트를 통해상기패턴데이터 수신엘리먼트연결되도록배열되는,변조 디바이스. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 복수의 변조기들의 상호연결들은 어드레스 가능한 어레이(addressable array)로 배열되고, 상기 어드레스 가능한 어레이에는 적어도 하나의 워드라인 및 적어도 하나의 비트라인제공되는,변조 디바이스. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 상호연결 구조는기판에의해지지되는,변조 디바이스. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 기판은 복수의 반도체 회로 엘리먼트들이 정의되어 있는 반도체기판인,변조 디바이스. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 상호연결 구조의 상부 층은 도전성층인,변조 디바이스. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 상부 층은 접지 전위에 있도록 배열되고, 상기 제 1 전극은 패턴 데이터 수신 엘리먼트와의 연결을 위해 배열되고, 상기 제 2 전극은 상기 상부 층연결되는,변조 디바이스. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 상호연결 구조는 cmos-구조인,변조 디바이스. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 데이터 수신 엘리먼트들은 상기 변조 디바이스의 일부이고, 상기 데이터 수신 엘리먼트들은 광 신호들을 대응하는전기적신호들변환하기위한광 감지 엘리먼트들인,변조 디바이스. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 광 감지 엘리먼트들은 상기 상호연결 구조의 상부에 제공된 ge-다이오드들인,변조 디바이스. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 빔렛 정지 어레이는 복수의 구멍들을 포함하고, 상기 복수의 구멍들의 수는 상기 복수의 빔렛들의 수보다 적어서, 상기 빔렛 정지 어레이 내의 하나의 구멍을 통해 빔렛들의 그룹이 통과하도록 배열되고,상기 변조 디바이스는 복수의 편향기들을 포함하고, 하나 이상의 편향기들은 상기 빔렛 정지 어레이의 구멍에 대응하고, 상기 편향기들은 차단 위치들이 상기 하나의 구멍 주위에서 실질적으로 균등하게(homogeneously) 확산하도록 상기 빔렛 정지 어레이 상의 상기 차단 위치들을 향해상기빔렛들편향시키도록배열되는,하전 입자 다중-빔렛 리소그라피 시스템. [청구항 22] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 적어도 하나는 상기 상호연결 구조의 다수의 금속화 레벨들 중 상이한 금속화 레벨들에 있는 도전성 엘리먼트들에 의해 형성되고, 상기 도전성 엘리먼트들은 비아 레벨들 사이에 있는 하나 이상의 비아들에 의해 서로 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 상기 적어도 하나의 도전성 엘리먼트들은 대응하는 구멍의 내부 체적노출되는,변조 디바이스. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중상기 적어도 하나의 하나 이상의 비아들은 상기 대응하는 구멍의 내부 체적노출되는,변조 디바이스. [청구항 24] 제 22 항에 있어서,상기 노출된 도전성 엘리먼트들에는 실질적으로 비활성인 도전성 코팅제공되는,변조 디바이스. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 코팅은, 크롬-몰리브덴 crmo, 금 및 백금으로 이루어진 물질들의 그룹선택되는,변조 디바이스. [청구항 26] 제 1 항에 있어서,상기 상호연결 구조는 4 내지 10개의 금속화 레벨들포함하는,변조 디바이스. [청구항 27] 제 1 항에 있어서,상기 금속화 레벨들 내의 전기 연결들은 구리로 형성된 상호연결들을 이용하여 형성되고, 상기 비아 레벨들에서의 비아들은 구리형성되는,변조 디바이스. [청구항 28] 제 1 항에 있어서,상기 금속화 레벨들 내의 전기 연결들은 알루미늄으로 형성된 상호연결들을 이용하여 형성되고, 상기 비아 레벨들 내의 비아들은 텅스텐형성되는,변조 디바이스. [청구항 29] 제 1 항에 있어서,상기 변조기들의 구멍들은 상기 상호연결 구조의 바디를 통해, 상기 금속화 레벨들과 비아 레벨들의 평면들에 실질적으로 수직하는 방향연장하는,변조 디바이스.