문맥 (context)
[청구항 18]
기판의 베벨 에지를 프로세싱하는 장치로서,
베벨 프로세싱 챔버;
적어도 패시베이션 가스원을 포함하는, 가스 인입구와 유체 연통되는 가스원; 및
상기 가스원 및 적어도 하나의 전극에 제어가능하게 연결된 제어기를 포함하고,
상기 베벨 프로세싱 챔버는:
베벨 프로세싱 챔버 인클로져를 형성하는 챔버 벽
상기 베벨 프로세싱 챔버 인클로져 내에서 기판을 지지하며, 상기 기판의 직경보다 더 작은 직경을 갖는, 기판 지지체
상기 베벨 프로세싱 챔버 인클로져에 가스를 제공하기 위한 상기 가스 인입구
상기 가스 인입구에 커플링되며, 상기 기판 지지체에 대향하는 가스분배판
플라즈마를 지속시키기 위해 상기 베벨 프로세싱 챔버 인클로져에 전력을 제공하기 위한 상기 적어도 하나의 전극으로서, 상기 기판 지지체를 둘러싸고 상기 기판 지지체로부터 전기적으로 격리되는 하부 에지 전극 및 상기 하부 에지 전극에 대향하며 상기 가스 분배판을 둘러싸고 상기 가스 분배판으로부터 전기적으로 격리되는 상부 에지 전극을 포함하는, 상기 적어도 하나의 전극
상기 베벨 프로세싱 챔버 인클로져 내의 압력을 조절하기 위한 압력 조절기; 및
상기 베벨 프로세싱 챔버 인클로져로부터 가스를 배출하기 위한 가스 배출구를 포함하고,
상기 제어기는:
적어도 하나의 프로세서; 및
컴퓨터 판독가능 매체를 포함하고,
상기 컴퓨터 판독가능 매체는:
패시베이션 가스로부터 패시베이션 플라즈마 를 발생시키기 위한 컴퓨터 판독가능 코드
상기 패시베이션 플라즈마를 상기 베벨 프로세싱 챔버의 주변 영역에 한정시키기 위한 컴퓨터 판독가능 코드
상기 패시베이션 플라즈마를 이용하여 웨이버의 베벨 영역 주위의 상기 기판 상에 패시베이션층을 형성하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 및
상기 패시베이 플라즈마를 정지시키키 기 위한 컴퓨터 판독가능 코드를 포함하는, 기판의 베벨 에지를 프로세싱하는 장치
[청구항 19]
제 18 항에 있어서,상기 가스원은 패터닝 가스원 및 세정 가스원을 더 포함하고, 상기 컴퓨터 판독가능 매체는: 패터닝 가스로부터 패터닝 플라즈마를 발생시키기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 상기 패터닝 플라즈마가 상기 기판의 중심에서 더 먼 상기 베벨 프로세싱 챔버의 외주변 영역에 형성되도록 플라즈마 한정을 증가시킴으로써, 상기 외주변 영역에 상기 패터닝 플라즈마를 형성하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 상기 패터닝 플라즈마를 이용하여, 상기 베벨 영역의 내부 부분 상의 패시베이션층을 유지하면서 상기 베벨 영역의 외부 에지 부분으로부터 패시베이션층을 제거함으로써, 상기 패시베이션층을 패터닝하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 상기 패터닝 플라즈마를 정지시키기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 및상기 패터닝된 패시베이션층을 보호 마스크로 사용하여 상기 기판의 상기 베벨 에지를 세정하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드를 더 포함하는, 기판의 베벨 에지프로세싱하는장치.
[청구항 20]
제 19 항에 있어서,상기 가스원은 스트립핑 가스원을 더 포함하고, 상기 컴퓨터 판독가능 매체는:스트립핑 플라즈마가 상기 기판의 중심측으로 확장되어 남아있는 패시베이션층을 커버하도록 상기 플라즈마 한정을 감소시킴으로써, 스트립핑 가스로부터 상기 스트립핑 플라즈마를 발생시키기 위한 컴퓨터 판독가능 코드;상기 스트립핑 플라즈마를 이용하여 상기 남아있는 패시베이션층을 스트립핑하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 및 상기 스트립핑 플라즈마를 정지시키기 위한 컴퓨터 판독가능 코드를 더 포함하는, 기판의 베벨 에지프로세싱하는장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 작동 또는 처리 절차를 순서대로 파악하여 질문에 답하라. 근거를 종합하여 자연스러운 문장으로 설명하라.
질문 (question)
기판의 베벨 에지를 프로세싱하는 장치에서, 패시베이션층을 패터닝한 후 이를 보호 마스크로 사용하여 세정을 수행하기 위해 필요한 가스원들과 각 단계별 플라즈마 형성 및 제어 과정을 설명하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation패시베이션층을 패터닝한 후 보호 마스크로 사용하여 세정을 수행하는 과정에서 필요한 가스원과 단계별 플라즈마 형성 및 제어 과정을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 19를 통해 패터닝 가스원과 세정 가스원이 존재함을 확인하고, 패터닝 플라즈마 형성 및 제어, 세정 단계의 정보를 추출한다.
- 상기 가스원은 패터닝 가스원 및 세정 가스원을 더 포함하고
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3근거 선택
evidence_selection패터닝 단계(플라즈마 한정 증가, 외주변 영역 형성, 패시베이션층 제거)와 세정 단계(패터닝된 패시베이션층을 보호 마스크로 사용)에 관한 구절을 선택한다.
- 패터닝 가스로부터 패터닝 플라즈마를 발생시키기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 상기 패터닝 플라즈마가 상기 기판의 중심에서 더 먼 상기 베벨 프로세싱 챔버의 외주변 영역에 형성되도록 플라즈마 한정을 증가시킴으로써, 상기 외주변 영역에 상기 패터닝 플라즈마를 형성하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 상기 패터닝 플라즈마를 이용하여, 상기 베벨 영역의 내부 부분 상의 패시베이션층을 유지하면서 상기 베벨 영역의 외부 에지 부분으로부터 패시베이션층을 제거함으로써, 상기 패시베이션층을 패터닝하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 상기 패터닝된 패시베이션층을 보호 마스크로 사용하여 상기 기판의 상기 베벨 에지를 세정하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드
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4논리 통합
logical_integration가스원은 패터닝 가스원과 세정 가스원을 포함하며, 패터닝 단계에서는 플라즈마 한정을 증가시켜 외주변에 플라즈마를 형성하고 패시베이션층을 제거하며, 이후 세정 단계에서 패터닝된 층을 마스크로 활용한다.
- 상기 가스원은 패터닝 가스원 및 세정 가스원을 더 포함하고; 상기 패터닝 플라즈마가 상기 기판의 중심에서 더 먼 상기 베벨 프로세싱 챔버의 외주변 영역에 형성되도록 플라즈마 한정을 증가시킴으로써; 상기 패터닝된 패시베이션층을 보호 마스크로 사용하여 상기 기판의 상기 베벨 에지를 세정하기 위한
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5결론 도출
conclusion_formulation필요한 가스원은 패터닝 가스원과 세정 가스원이며, 단계별 과정은 패터닝 플라즈마 발생 -> 플라즈마 한정 증가를 통한 외주변 형성 -> 패시베이션층 패터닝 -> 패터닝된 층을 마스크로 한 세정 순으로 구성된다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 답변을 서술형으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
기판의 베벨 에지 프로세싱을 위해 필요한 가스원은 패터닝 가스원과 세정 가스원이다. 단계별 플라즈마 형성 및 제어 과정은 다음과 같다. 첫째, 패터닝 가스로부터 패터닝 플라즈마를 발생시킨다. 둘째, 플라즈마 한정을 증가시켜 패터닝 플라즈마가 기판 중심에서 먼 베벨 프로세싱 챔버의 외주변 영역에 형성되도록 제어한다. 셋째, 형성된 패터닝 플라즈마를 이용하여 베벨 영역의 내부 패시베이션층은 유지하고 외부 에지 부분의 패시베이션층을 제거함으로써 패시베이션층을 패터닝한다. 마지막으로, 이렇게 패터닝된 패시베이션층을 보호 마스크로 사용하여 기판의 베벨 에지를 세정한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
패터닝 가스와 세정 가스를 이용하여 패시베이션층을 특정 영역(외주변)만 남도록 패터닝한 후, 이를 보호 마스크로 활용하여 베벨 에지를 세정하는 공정 기술에 관한 것이다.