문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 저장 컴포넌트를 제조한 후에 제 2 도전층을 제조하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 2 도전층은 상기 제 1 도전층과 통신하는, 임베디드 동적 랜덤 액세스(edram) 디바이스제조하기 위한프로세스.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 반도체 피쳐들은 복수의 트랜지스터 컴포넌트들을 포함하고, 상기 제 2 도전층은 비트 라인을 포함하는, 임베디드 동적 랜덤 액세스(edram) 디바이스제조하기 위한프로세스.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,상기 제 2 도전층을 제조하기 전에 상기 제 1 도전층 위에 바이어(via)를 제조하는 단계를 더 포함하며, 상기 바이어는 상기 제 1 도전층과 상기 제 2 도전층 사이의 통신을 제공하는, 임베디드 동적 랜덤 액세스(edram) 디바이스제조하기 위한프로세스.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 반도체 피쳐들을 제조하는 단계는:상기 반도체 기판상의 게이트들과 통신하는 제 1 콘택트들을 제조하는 단계; 및상기 제 1 콘택트들과 통신하는 제 2 콘택트들을 제조하는 단계를 포함하는, 임베디드 동적 랜덤 액세스(edram) 디바이스제조하기 위한프로세스.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 제 1 도전층을 제조하는 단계는:상기 제 1 콘택트들 중 첫 번째 콘택트와 통신하도록 상기 제 2 콘택트들 중 첫 번째 콘택트 상에 스터드(stud)를 제조하는 단계를 포함하는, 임베디드 동적 랜덤 액세스(edram) 디바이스제조하기 위한프로세스.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 저장 컴포넌트를 제조하는 단계는:상기 반도체 피쳐들 위의 산화물층에 커패시터를 제조하는 단계를 포함하는, 임베디드 동적 랜덤 액세스(edram) 디바이스제조하기 위한프로세스.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,뮤직 플레이어, 비디오 플레이어, 엔터테인먼트 유닛, 네비게이션 디바이스, 통신 디바이스, 개인 휴대 정보 단말(pda), 고정 위치 데이터 유닛, 게임 콘솔(console) 및 컴퓨터로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 시스템에 상기 edram 디바이스를 통합하는 단계를 더 포함하는, 임베디드 동적 랜덤 액세스(edram) 디바이스제조하기 위한프로세스.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,뮤직 플레이어, 비디오 플레이어, 엔터테인먼트 유닛, 네비게이션 디바이스, 통신 디바이스, 개인 휴대 정보 단말(pda), 고정 위치 데이터 유닛, 게임 콘솔 및 컴퓨터로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 시스템에 상기 edram 디바이스를 통합하는 단계를 더 포함하는, edram 디바이스제조하기 위한프로세스.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 저장 디바이스 및 상기 제 1 도전층 위에 배치되는 제 2 도전층을 더 포함하며, 상기 제 2 도전층은 상기 제 1 도전층통신하는,집적 회로.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기 제 2 도전층은 비트라인포함하는,집적 회로.
[청구항 14]
제 11 항에 있어서,뮤직 플레이어, 비디오 플레이어, 엔터테인먼트 유닛, 네비게이션 디바이스, 통신 디바이스, 개인 휴대 정보 단말(pda), 고정 위치 데이터 유닛, 게임 콘솔 및 컴퓨터로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 디바이스통합되는,집적 회로.
[청구항 15]
제 11 항에 있어서,상기 집적 회로는 반도체 다이집적되는,집적 회로.
[청구항 16]
제 11 항에 있어서,상기 제 1 도전층은 상기 반도체 구조들 중 적어도 하나와 통신하는 적어도 하나의 스터드포함하는,집적 회로.
[청구항 17]
제 16 항에 있어서,적어도 하나의 스터드는 제 1 비트라인 콘택트와 제 2 비트라인 콘택트 사이배치되는,집적 회로.
[청구항 18]
제 17 항에 있어서,적어도 하나의 스터드는 상기 제 1 비트라인 콘택트의 최상부 영역보다 크고 상기 제 2 비트라인 콘택트의 바닥 영역보다 큰 단면갖는,집적 회로.
[청구항 19]
제 11 항에 있어서,상기 저장 디바이스는 커패시터포함하는,집적 회로.
[청구항 20]
제 11 항에 있어서,제 1 비트라인 콘택트와 제 2 비트라인 콘택트 사이에 배치되는 상기 제 1 도전층의 일부분을 포함하는 스터드 및 추가적인 저장 디바이스를 더 포함하며, 상기 스터드는 상기 저장 디바이스와 상기 추가적인 저장 디바이스 사이배치되는,집적 회로.
[청구항 22]
제 21 항에 있어서,뮤직 플레이어, 비디오 플레이어, 엔터테인먼트 유닛, 네비게이션 디바이스, 통신 디바이스, 개인 휴대 정보 단말(pda), 고정 위치 데이터 유닛, 게임 콘솔 및 컴퓨터로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 디바이스통합되는,집적 회로.
[청구항 23]
제 21 항에 있어서,상기 집적 회로는 반도체 다이집적되는,집적 회로.
[청구항 24]
제 21 항에 있어서,상기 데이터 저장 수단은 복수의 커패시터들포함하는,집적 회로.
[청구항 25]
제 21 항에 있어서,상기 접촉 수단은 상기 데이터 저장 수단을 상기 복수의 게이트들에 커플링하는 복수의 바이어들포함하는,집적 회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
EDRAM 디바이스 제조 프로세스에서 제 1 도전층과 제 2 도전층 사이의 통신을 제공하기 위해 제 2 도전층을 제조하기 전 수행되는 단계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationEDRAM 제조 프로세스 중 제 2 도전층 제조 전, 제 1 도전층과 제 2 도전층 사이의 통신을 위해 수행되는 단계를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 제 2 도전층 제조 전의 단계와 그 목적(통신 제공)에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 제 2 도전층을 제조하기 전에 상기 제 1 도전층 위에 바이어(via)를 제조하는 단계를 더 포함하며, 상기 바이어는 상기 제 1 도전층과 상기 제 2 도전층 사이의 통신을 제공하는
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '제 2 도전층 제조 전 수행되는 단계'와 '통신 제공' 목적이 명시된 구절을 선택한다.
- 상기 제 2 도전층을 제조하기 전에 상기 제 1 도전층 위에 바이어(via)를 제조하는 단계
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4논리 통합
logical_integration청구항 4에 따르면, 제 2 도전층을 제조하기 전 단계로 '제 1 도전층 위에 바이어(via)를 제조하는 단계'가 명시되어 있으며, 이 바이어가 두 층 사이의 통신을 제공함을 알 수 있다.
- 상기 제 2 도전층을 제조하기 전에 상기 제 1 도전층 위에 바이어(via)를 제조하는 단계를 더 포함하며, 상기 바이어는 상기 제 1 도전층과 상기 제 2 도전층 사이의 통신을 제공하는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '제 1 도전층 위에 바이어(via)를 제조하는 단계'를 도출한다.
- 상기 제 1 도전층 위에 바이어(via)를 제조하는 단계
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 제 1 도전층 위에 바이어(via)를 제조하는 단계
최종 답변 (final_answer)
상기 제 1 도전층 위에 바이어(via)를 제조하는 단계
핵심 해석 (core_interpretation)
EDRAM 제조 공정에서 제 1 도전층과 제 2 도전층 간의 전기적 연결(통신)을 확보하기 위해, 제 2 도전층 형성 이전에 제 1 도전층 상부에 바이어(via)를 형성하는 제조 절차를 정의한다.