플라즈마 챔버용 프로세스 조건 감지 장치 document_id 1020127018009

[청구항 1] 제품(workpieces)의 프로세싱을 위한 플라즈마 챔버에서 플라즈마 프로세스 파라미터를 측정하는 감지 장치로서, 상기 플라즈마 챔버 내의 플라즈마에 의해 프로세싱되는 상기 제품과 동일한 물질인 물질로 이루어진 기판 각각 콜렉터 부분을 포함하며 상기 기판에 내장된 하나 이상의 센서로서, 상기 콜렉터 부분은 상기 기판과 동일한 물질로 이루어지고, 상기 기판 내에 구멍(cavity)이 형성되고, 상기 콜렉터 부분은 상기 구멍 내에 배치되고 상기 기판으로부터 전기적으로 절연되어 있으며, 상기 콜렉터 부분은 상기 기판의 상면과 동일 평면(coplanar)인 표면을 포함하는, 하나 이상의 센서; 및 상기 기판에 내장되고, 상기 콜렉터 부분에 연결된, 센서 전자기기 를 포함하는, 플라즈마 프로세스 파라미터를 측정하는 감지 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 콜렉터 부분 및 상기 기판은 상기 센서 전자기기와 상기 기판의 상면 간의 직류(dc) 접속을 제공하는 것인, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1층과 제2층을 포함하고, 상기 센서 전자기기는 제1층과 제2층 사이에 샌드위칭(sandwiching)되어 있는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기제1 및 제2층은 전도성 또는 반도체 물질로 이루어지고, 상기 센서 전자기기는 상기 제1 및 제2층으로부터 전기적으로 절연되어 있는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 기판 표면과 상기 콜렉터 부분은 제1층으로 형성되고, 상기 콜렉터 부분은 상기 제1층의 나머지 부분으로부터 전기적으로 절연되어 있는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 기판은 100㎜와 450㎜ 사이의 직경을 가진 실리콘 웨이퍼를 포함하는 하나 이상의 층으로 이루어지고,상기 감지 장치는 0.3㎜ 내지 10㎜의 두께를 갖는 것인, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 기판은 반도체 웨이퍼, 리소그라피 마스크 기판(lithography mask substrate), 또는 플랫 패널 디스플레이 기판(flat panel display substrate)과 동일한 물질로 이루어지는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 기판의 표면은 포토레지스트 상층(photoresist top layer)을 포함하는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 콜렉터 부분은 상기 기판의 상면인, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 기판은 상기 콜렉터 부분을 형성하는 저항성 층과 전기적 전도성 층 사이에 샌드위칭된 전기적 절연층을 포함하는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 저항성 층의 하측(underside)에 형성된 하나 이상의 전기적 전도성 센서 접촉을 더 포함하는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 전자기기는 상기 하나 이상의 전기적 전도성 센서 접촉에 전기적으로 연결된 dc 센서 전자기기를 포함하는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 전자기기는 상기 하나 이상의 전기적 전도성 센서 접촉에 전기적으로 연결된 ac 센서 전자기기를 포함하는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 전자기기는 상기 전도성 층과 다른 전도성 층 사이에 샌드위칭되고, 상기 하나 이상의 전기적 전도성 센서 접촉에 전기적으로 연결된, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 기판의 상면은 평면이고, 표준 프로세스 기판(standard process substrate)과 동일한 프로파일(profile)을 갖는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 센서는 콜렉터 부분의 하나 이상의 쌍을 포함하고, 상기 콜렉터 부분과 센서 전자기기는 듀얼 또는 트리플 디퍼렌셜 랭뮤어 프로브(dual or triple differential langmuir probes)로서 동작하도록 구성되는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 전자기기는 신호 컨디셔닝 전자기기(signal conditioning electronics)와 신호 프로세싱 전자기기(signal processing electronics)를 포함하는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,폴리이미드 플렉시블 기판(polyimide flexible substrate) 상에 회로가 형성되는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 20] 제18항에 있어서,상기 기판 또는 상기 기판의 층 바로 위에 회로가 형성되는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 21] 제1항에 있어서,센서를 위한 상기 전자기기는 로컬 디지털 프로세서(local digital processor)를 포함하는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,로컬 디지털 프로세서에 연결된 중앙 통신 유닛(centralized communication unit) 또는 프로세서를 더 포함하는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치. [청구항 23] 제1항에 있어서,상기 콜렉터 부분의 표면 상에 물질을 더 포함하고, 상기 물질은 상기 콜렉터 부분과 상기 플라즈마 사이의 상호 작용을 변경(alter)하는, 플라즈마 프로세스 파라미터측정하는감지 장치.