Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자, Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제작하는 방법, 및 스크라이브 홈의 형성에 의한 손상을 평가하는 방법 document_id 1020127019973

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기제1 및 제2 오목부는, 상기 육방정계 iii족 질화물 반도체의 a축 및 상기 법선축에 의해서 규정되는 정해진 a-n면따라서형성되는 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 간격은 20 마이크로미터 이상이며, 상기 제1 간격은 50 마이크로미터미만인 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 간격은 50 마이크로미터 미만이며, 상기 제2 간격은 50 마이크로미터이상인 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기iii족 질화물 반도체 레이저 소자의 폭은 200 마이크로미터이하인 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기제1 및 제2 할단면의 각각에는, 상기 지지 기체의 단부면 및 상기 반도체 영역의 단부면이 드러나 있고, 상기 반도체 영역의 상기 활성층에서의 단부면과, 상기 육방정계 질화물 반도체로 이루어지는 지지 기체의 m축에 직교하는 기준면이 이루는 각도는, 상기 iii족 질화물 반도체의 c축 및 m축에 의해 규정되는 제1 평면에 있어서 (alpha-5)도 이상 (alpha+5)도 이하의 범위의 각도이루는 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 각도는, 상기 제1 평면 및 상기 법선축에 직교하는 제2 평면에 있어서 -5도 이상 +5도 이하의 범위되는 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 8] 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 법선축과 상기 육방정계iii족 질화물 반도체의 c축이 이루는 각도는, 63도 이상 80도 이하, 또는 100도 이상 117도 이하의범위인 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 9] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 기체의 두께는 400 ㎛이하인 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 10] 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 기체의 두께는 50 ㎛ 이상이하인 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 11] 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 활성층으로부터의 레이저광은 상기 육방정계 iii족 질화물 반도체의 a축 방향편광되는 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 12] 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,족 질화물 반도체 레이저 소자의 led 모드에서의 광은, 상기 육방정계 iii족 질화물 반도체의 a축 방향으로 편광 성분(i1)과, 상기 육방정계 iii족 질화물 반도체의 c축을 주면에 투영한 방향으로 편광 성분(i2)을 포함하고, 상기 편광 성분(i1)은 상기 편광 성분것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 13] 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반극성주면은 {20-21}면, {10-11}면, {20-2-1}면, 및 {10-1-1}면 중 어느 하나의 면으로부터 -4도 이상 +4도 이하의 범위로 오프된 미경사면인 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 14] 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반극성주면은 {20-21}면, {10-11}면, {20-2-1}면, 및 {10-1-1}면 중하나인 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 15] 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 기체의 적층 결함 밀도는 1×104 ㎝-1 이하인 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 16] 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 기체는 gan, algan, aln, ingan 및 inalgan 중하나로 이루어지는 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 17] 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기제1 및 제2 할단면 중 적어도 어느 한쪽에 형성된 유전체 다층막더 구비하는iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 18] 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 활성층은 파장 430 ㎚이상, 600 ㎚ 이하의 광을 발생시키도록 형성된 발광 영역포함하는 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 19] 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 활성층은 파장 500 ㎚이상, 600 ㎚ 이하의 광을 발생시키도록 형성된 양자 우물 구조포함하는 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 20] 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레이저 구조체는, 상기 반도체 영역 상에 형성되어 개구를 갖는 절연막을 더 포함하고, 상기 전극은, 상기 절연막의 상기 개구를 통해 상기 레이저 구조체의 상기 반도체 영역에 접속되고, 상기 제1 간격은 상기 절연막의 상기 개구와 상기 제1 오목부의 상기 단부 사이의 간격에 의해서 규정되며, 상기 제2 간격은상기절연막의상기개구와상기제2오목부의상기단부사이간격에의해서규정되는 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 21] 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레이저 구조체의 상기 반도체 영역은 릿지 구조를 갖고, 상기 제1 간격은 상기 릿지 구조와 상기 제1 오목부의 상기 단부 사이의 간격에 의해서 규정되며, 상기 제2 간격은상기릿지구조와상기제2오목부의상기단부사이간격에의해서규정되는 것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자. [청구항 22] 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 오목부는, 상기 제1 오목부의 상기 바닥단이 상기 제1 오목부의 상기 단부를 향해서 경사져 있는 제1 슬로프부를 포함하고, 상기 제2 오목부는, 상기 제2 오목부의 상기 바닥단이 상기 제2 오목부의 상기 단부를 향해서 경사져 있는 제2 슬로프부를 포함하며, 상기 제1 슬로프부의 길이는 상기 제2 슬로프부의 길이것인iii족 질화물 반도체 레이저 소자.