금속계 전자 구성요소 및 그 제조 방법 document_id 1020127022205

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 금속 베이스는 몰딩 캐비티형성하도록절곡되는 것인패키지. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 금속 베이스에는 절곡을 용이하게 하도록 구성되는 약화점 윈도우형성되어 있는 것인패키지. [청구항 4] 제1항에 있어서,몰딩캐비티 윈도우가 형성된 금속 스트립을 포함하고, 상기 금속 스트립은 금속 베이스 상에 적층되어 몰딩 캐비티형성하는 것인패키지. [청구항 5] 제1항에 있어서,패키지의 일체부로서 히트 싱크 기능부가형성되는 것인패키지. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 금속 베이스는 적어도 하나의 금속화층포함하는 것인패키지. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 금속 베이스는 ni의 층과 au의 층을 포함하는 제1 도금층갖는 것인패키지. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 금속 베이스는 솔더로 된 선택적인 제2 도금층갖는 것인패키지. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 금속 베이스에 결합되는 발광 다이오드더 포함하는 것인패키지. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기led는 공융 접합을 통해 금속 베이스결합되는 것인패키지. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 금속 베이스에 결합되는 정전기 방전더 포함하는 것인패키지. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 금속 베이스에 통합되는 복수 개의 각진 다이 평면을 더 포함하고, 상기 각진 다이 평면은복수개의발광 다이오드실장하도록구성되는 것인패키지. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 종결칩은 복수 개의 매입된 회로 구성요소더 포함하는 것인패키지. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 종결 칩은 상기 금속 베이스와 종결 칩 사이에 전기 절연을 제공하도록 구성되는 금속화된 세라믹 기판더 포함하는 것인패키지. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 종결 칩은 금속 베이스에 솔더링되도록 구성된 세라믹 베이스와 상부, 바닥 및 측면 구리포함하는 것인패키지. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 패키지 상부에는 상승부가 형성되고, 상기 금속 베이스에는 상기 상승부를 수용하도록 치수가 정해진 슬롯형성되는 것인전기 패키지. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 상승부는 상기 제1 및 제2 단자를 전기적절연시키는 것인전기 패키지. [청구항 34] 제31항에 있어서,상기 금속 베이스는 적어도 하나의 도금층포함하는 것인전기 패키지. [청구항 35] 제31항에 있어서,상기 금속 베이스는 금의 층이 도금된 상부면갖는 것인전기 패키지. [청구항 36] 제31항에 있어서,상기 금속 베이스는 솔더의 층이 도금된 하부면갖는 것인전기 패키지. [청구항 37] 제31항에 있어서,상기 캐비티 내에 실장되고 다이 접촉 패드에 전기적으로 연결되는 반도체 다이더 포함하는 것인전기 패키지. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 반도체 다이는 발광 다이오드포함하는 것인전기 패키지. [청구항 39] 제38항에 있어서,상기led는 공융 접합을 통해 금속 베이스결합되는 것인전기 패키지. [청구항 40] 제37항에 있어서,상기 반도체 다이의 적어도 일부를 와이어 접합 패드에 전기적으로 결합하는 와이어 접합부더 포함하는 것인전기 패키지. [청구항 41] 제31항에 있어서,상기 금속 베이스에 연결되는 정전기 방전(esd) 보호 디바이스더 포함하는 것인전기 패키지. [청구항 42] 제31항에 있어서,상기 금속 베이스에 통합되는 복수 개의 각진 다이 평면을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 각진 다이 평면은복수개의발광 다이오드실장하도록구성되는 것인전기 패키지. [청구항 43] 제31항에 있어서,상기 패키지 상부는 접착제 및 전기 도전성 재료 중 적어도 하나에 의해 금속 베이스결합되는 것인전기 패키지. [청구항 44] 제31항에 있어서,상기 패키지 상부는 금속 베이스몰딩되는 것인전기 패키지. [청구항 45] 제31항에 있어서,상기 캐비티를 충전하는 몰딩 재료더 포함하는 것인전기 패키지.