박막 반도체 장치, 박막 반도체 제조 장치, 및 박막 반도체 제조 방법 document_id 1020127025280

[청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 반금속 원소가 적어도 실리콘(si)과 게르마늄(ge)의 혼합물 si1-xgex(x는 si와 ge의 혼합비로 x=0 내지 1이 성립됨)로, 상기 혼합물(si1-xgex)에 대한 질소(n)의 비(n 수밀도／si1-xgex 수밀도)가1내지인것을특징으로 하는박막 반도체 장치. [청구항 3] 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 플라스틱 기판이적어도롤모양필름기판인것을특징으로 하는박막 반도체 장치. [청구항 4] 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층nan은어모퍼스인것을특징으로 하는박막 반도체 장치. [청구항 5] 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층의 밴드 갭은 1ev내지인것을특징으로 하는박막 반도체 장치. [청구항 6] 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층의 주캐리어는, 전자로, 캐리어 농도는 300k의 열평형 상태에 있어서 1×10e16 내지 1×10e21(m-3), 전계 효과 이동도는 0.1내지인것을특징으로 하는박막 반도체 장치. [청구항 7] 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층이 액정 표시 장치를 구동하는회로구성하는것을특징으로 하는박막 반도체 장치. [청구항 9] 청구항 8에 있어서,상기 반금속 원소가 적어도 실리콘(si)과 게르마늄(ge)의 혼합물 si1-xgex(x는 si와 ge의 혼합비로 x=0 내지 1이 성립됨)로, 상기 혼합물(si1-xgex)에 대한 질소(n)의 비(n 수밀도／si1-xgex 수밀도)가1내지인것을특징으로 하는박막 반도체 제조 장치. [청구항 10] 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,상기 스퍼터 장치는 상기 롤 모양 필름 기판을 장착하는 롤 권기구와, 상기 롤 모양 필름 기판을 긴 방향을 따라서 한쪽 단부로부터 송출하는 송출 기구와,송출된 상기 롤 모양 필름 기판을 권취하는 권취(卷取) 기구와,위치 맞춤 패턴을 가지는 상기 롤 모양 필름 기판에 대해, 상기 롤 모양 필름 기판의 평면 위치 맞춤을 행하는 위치 맞춤 기구와, 상기 롤 모양 필름 기판의 반도체 형성면에 대면하는 금속 타겟을 가지고,상기 모든 기구를 내부에 보유하는진공챔버구비한것을특징으로 하는박막 반도체 제조 장치. [청구항 11] 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,상기 스퍼터 장치는상기 비금속 원소를 포함하는 분위기 가스를 진공 챔버 내에 도입하는 가스 도입 기구와, 상기 금속 원소 또는 상기 반금속 원소 또는 이러한 혼합물을 포함하는 금속 타겟을 복수 가지고, 상기 금속 타겟이 상기 롤 모양 필름 기판의 긴 방향을 따른직선모양의위치배열되어있는것을특징으로 하는박막 반도체 제조 장치. [청구항 12] 청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,상기 스퍼터 장치는상기 비금속 원소, 상기 금속 원소, 상기 반금속 원소 각각 적어도 하나를 포함하는 복수의 원소를 혼합한혼합물을단일이용한것을특징으로 하는박막 반도체 제조 장치.